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102.
本文对加气混凝土墙体在温湿度变化下的开裂问题进行试验研究。通过调整内外墙体温度、湿度变化研究加气混凝土砌块应力应变的变化规律;利用ANSYS软件理论分析温差对墙体应力应变的影响。结果表明:随着内外墙体温差的增大,加气混凝土墙体的应变值越大;随着湿度的变化,应变值的变化不大。 相似文献
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邵义娥 《江汉石油职工大学学报》2014,(2):55-56
在剪筒结构中,模板加固大量使用对拉螺杆,优点是加快了工期,节约了成本,但外墙的螺杆洞和外窗四周渗漏一直是质量通病。经查阅资料,结合现场施工,对外墙螺杆洞和窗四周的封堵防水提出了有效地修补方法。 相似文献
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105.
Sheng-Min Yang Yin-Yu Chang Da-Yung Wang Dong-Yih Lin WeiTe Wu 《Journal of Alloys and Compounds》2007,440(1-2):375-379
Ti1−xSixN coatings were synthesized by cathodic arc evaporation with plasma-enhancing filter duct, using Ti80Si20 alloy target as cathodes. Optical emission study revealed that excitation, ionization and charge transfer reactions of the Ti-Si-N plasma occurred during the Ti1−xSixN deposition process. The chemical content of Si varied from 3.3 to 6.0 at% in Ti1−xSixN depending on the nitrogen partial pressure of the reaction chamber. All the Ti1−xSixN coatings displayed a NaCl structure and a preferred (2 0 0) orientation parallel to the substrate surface. Among the studied Ti1−xSixN coatings, the Ti1−xSixN with 6 at.% Si possessed the highest hardness of 45 GPa and H3/E*2 ratio of 0.527 GPa, indicating the best resistance to plastic deformation. We found that the structure and mechanical properties of the Ti1−xSixN films were correlated with the nitrogen pressure and silicon content of the coatings. 相似文献
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影响薄壁球墨铸铁白口倾向和球墨数量的因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同的冷却速度、稀土加入量、碳量、硅量、Si/C、Mn/S及孕育处理等工艺时薄壁球墨铸铁球墨数量和白口深度的影响。结果表明,随着冷却速率增加,薄壁球墨铸铁石墨小球越多,但容易产生白口。冷速较大时,加入稀土元素进行孕育和控制碳当量,可以有效的消除薄壁球墨铸铁的白口现象,当Si/C大于0.80、Mn/S大于20时薄壁件白口倾向较小。 相似文献
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The effect of substrate condition and annealing treatment on the surface morphology of sputter-deposited NiTi-based thin films was studied by means of atomic force microscope. It is found that the surface of the film deposited at 450 °C on a (100) Si wafer is composed of large island groups, consisting of islands of 150–300 nm in diameter. Annealing treatment at 400 °C results in a more homogeneous distribution of the island size. However, for the film deposited at 450 °C on a (111) Si wafer, its surface consists of more homogeneous islands, being about 200–250 nm in diameter. For the film deposited at 450 °C on a SiO2 buffer layer on top of the Si-substrate, the surface islands have ideal spherical shape. After annealed at 650 °C, the islands have grown to about 300 nm in width and 550 nm in length. The surface roughness of the deposited film is related not only to the island sizes but also to the island distributions. 相似文献
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