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Kenji Nomura Hiromichi OhtaKazushige Ueda Toshio Kamiya Masahiro HiranoHideo Hosono 《Thin solid films》2003,445(2):322-326
We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO3(ZnO)m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 105. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm2 (V s)−1 as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds. 相似文献
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钇铁石榴石薄膜材料的光吸收谱及Bi,Al掺入对谱的影响研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用单离子晶场跃迁模型,拟合出钇铁石榴石(YIG)薄膜材料的光吸收谱,与实验谱吻合得较好。从实验和理论上分析了(BIAI)YIG 薄膜材料的光吸收谱,结果表明,Al3+离子的作用如同稀释剂一样,减小了光吸收,Bi3+离子由于其强的自旋轨道耦合作用,增大了跃迁振子强度和跃迁线宽,从而增大了光吸收损耗,在此基础上所作的(BiAl)YIG的理论谱与实验谱符合得较好。 相似文献
36.
High-T
c
Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O thin films have been made on single-crystal MgO substrates using high-pressure dc sputtering technique. X-ray studies confirm the crystallinity and highly oriented structure withc-axis perpendicular to the substrate. By optimizing the annealing schedule the formation of the high-T
c
phase is stabilized. The best film exhibited superconducting transition temperature with zero-resistance temperature,T
c(0), as high as 101 K. Temperature dependence ofJ
c
indicates the presence of Josephson-type weak links. 相似文献
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39.
本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。 相似文献
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