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51.
通过引进型国产300MW汽轮机在启动试运中出现的一次窜轴事故,根据计算机追忆打印的有关图表、数据分析了产生事故的原因,并提出了为防止类似事故重演应采取的措施和建议。经采取措施后该机组多次又在相同情况下启机,已安全运行。说明分析正确,措施得当,值得同类型机组借鉴。 相似文献
52.
53.
M. Saaoudi E. Chassaing M. Cherkaoui M. Ebntouhami 《Journal of Applied Electrochemistry》2002,32(12):1331-1336
Electroless NiP films, with 12 to 16 wt % P, were deposited from a moderately acid solution. Thermogravimetric analysis indicates the presence of occluded hydrogen in the layers, which desorbs upon heating. The amount of incorporated hydrogen decreases when the pH of the solution or the nickel sulfate concentration is increased; by contrast it increases with hypophosphite concentration. Cyclic voltammetry, using an electrochemical quartz crystal microbalance, confirms the existence of parasitic reactions, namely the reduction of protons of the solvent during the cathodic process and oxidation of hydrogen during the dissolution of the layers. This behaviour is in qualitative agreement with the proposed reaction scheme. 相似文献
54.
The energies of various steps on the As-terminated GaAs(001)-2 × 4 surface are evaluated using a novel, approximate method of “linear combination of structural motifs”. It is based on the observation that previous total energy minimizations of semiconductor surfaces produced invariably equilibrium structures made of the same recurring local structural motifs, e.g. tetrahedral fourfold Ga, pyramidal threefold As, etc. Furthermore, such surface structures were found to obey consistently the octet rules as applied to the local motifs. We thus express the total energy of a given semiconductor surface as a sum of (i) the energies M of the local structural motifs appearing in the surface under consideration and (ii) an electrostatic term representing the Madelung energy of point charges resulting from application of the octet rule. The motif energies are derived from a set of pseudopotential total energy calculations for flat GaAs(001) surfaces and for point defects in bulk GaAs. This set of parameters suffices to reproduce the energies of other (001) surfaces, calculated using the same pseudopotential total energy approach. Application to GaAs(001)-2 × 4 surfaces with steps reveals the following. (i) “Primitive steps”, defined solely according to their geometries (i.e. step heights, widths and orientations) are often unstable. (ii) Additional, non-geometric factors beyond step geometries such as addition of surface adatoms, creation of vacancies and atomic rebonding at step edges are important to lower step energies. So is step-step interaction. (iii) The formation of steps is generally endothermic. (iv) The formation of steps with edges parallel to the direction of surface As dimers (A steps) is energetically favored over the formation of steps whose edges are perpendicular to the As dimers (B steps). 相似文献
55.
Abstract— We have developed a process to fabricate optical components, such as a lens, prism, or diffuser, directly on to a glass substrate. Processes include precision mastering by diamond cutting and multi‐layer photopolymer (2P) molding to realize flat surfaces and the integration of multiple components with an alignment within a few micrometers. 相似文献
56.
57.
通过XDCAM、P2HD在大洋D^3-edit、D^3-edit HD、苹果非编上的测试,分析各自的特点,总结出相应的工作流程,为下一步的设备选型和应用打下基础。 相似文献
58.
袁永军 《石油化工腐蚀与防护》2002,19(5):20-21
讨论了锅炉补给水管道的腐蚀情况 ,指出溶解氧和二氧化碳是产生腐蚀的主要原因 ,其腐蚀速率为0 .4 2mm/a。确保真空除气系统正常运行和二级除盐水箱的密封效果是控制腐蚀的主要手段。在此情况下 ,该管线尚可运行 7年 相似文献
59.
镀液中SiC含量和粒径对Ni-P-SiC复合化学镀层性能的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
采用化学镀方法制备了Ni P SiC复合镀层 ,系统研究了镀液中SiC含量和粒径对镀层结构及显微硬度的影响。结果表明 ,镀层中SiC析出量随镀液中SiC含量的增加而增加 ,在SiC含量一定的情况下 ,当SiC粒径为 7.0 μm时 ,析出量最大 ;镀液中SiC的含量和粒度对原始镀层的硬度影响不大 ,但对 4 0 0℃热处理后的镀层硬度有显著影响 相似文献
60.