利用红外测温诊断技术发现电流互感器内部缺陷

在电力系统中，电力设备的质量直接关系到电网的运行安全，而由于电力设备内部缺陷而引起的设备事故对电网的危害更大。应用红外测温诊断技术可以及时发现电力设备缺陷特别是内部缺陷，使设备故障得到及时的消除，避免电力系统事故的发生。     

含液晶缺陷层阶梯型双周期结构的电场方向调控特性

利用传输矩阵法研究了含向列相液晶缺陷层的一维阶梯型Double-period第四代准周期结构缺陷模的电场方向调控特性。分析了外加电场方向和正入射波方向间夹角θ与缺陷模的位置、品质因子、空间位置光场分布的变化关系,最后探讨了缺陷模的品质因子对光场强度的影响。结果表明：随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的位置向短波方向移动,缺陷模波长的调控量为84nm;随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的品质因子逐渐增大;缺陷模在空间位置的光场分布呈现出局域现象,随夹角θ的增大,空间位置的光场强度逐渐增强;缺陷模的品质因子与光场强度成正比关系。     

过量维生素A对鼠胚眼发生影响的超微结构研究

本实验选用雌性wistar大鼠14只,妊娠第8天胃管给予Vit.A 120mg/kg体重,分别于妊娠第10、11、12、13、14、17、20天剖腹取胎,进行电镜观察,结果显示在透射电镜下角膜、晶状体、视网膜的细胞膜结构不清,线粒体肿胀,次级溶酶体增多,粗面内质网(RER)扩张,核染色质边集,核周障增宽。扫描电镜发现,角膜前上皮表面微绒毛减少,视网膜层次变薄,视网膜细胞侧面突起减少。本文对上述变化进行了讨论。     

消除产品良率隐藏的杀手--电子束检查是铜逻辑和晶圆代工厂的最佳方法

监控和消除隐藏的电路缺陷已成为130nm和130nm以下器件的关键。这使得电子束检查正在广泛应用于开发、试生产和量产的监控过程。我们将描述当前铜逻辑和晶圆代工厂电子束检查技术的执行情况,其中包括详细的案例研究,它说明了从开发到量产过程中应用电子束检查技术的好处。我们也描述了过去克服通用工具障碍的方法。然后,分别介绍了利用电子束检查技术的新进展,以及为假设的20000WSPMφ300mm工厂模拟的最理想执行情况的最佳实例。     

基于一维缺陷光子晶体的角度测量仪的设计

提出用一维缺陷光子晶体来测量角度特别是小的角度变化的设计方案。用Si薄膜和SiO2薄膜组成一维缺陷光子晶体,用特征矩阵法研究该光子晶体的禁带中的缺陷模的波长和强度随入射角缓慢变化而变化的规律,由此提出根据缺陷模的波长、强度、偏振性与入射角的关系进行角度测量的原理。本设计特别适用于极小的角度变化的测量。     

Dual Additive for Simultaneous Improvement of Photovoltaic Performance and Stability of Perovskite Solar Cell

Additive engineering is one of the most efficient approaches to improve not only photovoltaic performance but also phase stability of formamidinium (FA)-based perovskite. Chlorine-based additives, such as methylammonium chloride (MACl), have been in general used to improve phase stability of FAPbI₃, which however often leads to loss of open-circuit voltage V_oc, accompanied by instability of the perovskite phase due to the volatile nature of the MA cation. A dual additive strategy for improving V_oc and thereby the overall efficiency are reported here. The mixing ratio of MACl to CsCl is varied from [MACl]/[CsCl] = 4 to 1, where V_oc increases with decreasing the ratio and best performance is achieved from [MACl]/[CsCl] = 2. As compared to the single source of MACl, the addition of CsCl reduces trap density and increases resistance against charge recombination, which is responsible for the increased V_oc. Moreover, defect passivation achieved by dual additive enables better stability than the single additive MACl as confirmed by long-term stability tests with unencapsulated devices for 50 days under relative humidity of about 40% at room temperature. The best power conversion efficiency of 23.22% is achieved by dual additive, which is higher than that for single additive of MACl or CsCl.     

基于太赫兹布拉格光纤的表面生物传感器

空心布拉格光纤在传感领域应用极为广泛。本文提出了一种基于带有缺陷层的太赫 兹(terahertz,THz)空心布拉格光纤的表面生物传感器,并对该传感器在太赫兹频段的细菌种类检测性能进行 分析。在太赫兹布拉格光纤中,高折射率光敏树脂层和低折射率空气层以纤芯为中心周期性 排列,在纤芯内壁沉积分析物引入缺陷模式。本文对提出的传感器性能进行了数值研究。仿 真结果表明,该传感器有很高的纤芯功率比,限制损耗在0.3 THz和0.45 TH z频 段有损耗峰,能得到可识别的特征频率,此特征频率用于细菌种类检测。当频率大于0.7 TH z时,该传感器可实现厚度无关的表面生物传感。本文所提出的基于太赫兹空心布拉格光纤 的 表面生物传感器可用于检测细菌种类,在微生物检测方面有很大的应用潜力。     

含负折射率材料一维掺杂光子晶体的缺陷模特性研究

采用光学传输矩阵给出了含负折射率材料一维掺杂光子晶体的特征矩阵,研究了缺陷模的相关特性,经数值模拟计算得出：改变负折射率的大小、杂质的吸收系数和厚度,缺陷模的中心频率位置不变,缺陷模透射率随负折射率的减小而降低,透射谱的频率宽度也逐渐减小,同时缺陷模的半高宽度随消光系数和杂质厚度增大而增宽。光子晶体的这些特性将为光的传输控制、全反射镜和滤波器的设计等提供理论依据。     

奥克托今/3-硝基-1，2，4-三唑-5-酮共晶炸药晶体缺陷的分子动力学研究

为研究晶体缺陷对奥克托今（HMX）/3-硝基-1,2,4-三唑-5-酮（NTO）共晶炸药稳定性、感度、爆轰性能与力学性能的影响,分别建立了“完美”型与含有掺杂、空位与位错缺陷的共晶炸药模型。采用分子动力学方法,预测了“完美”型与缺陷模型的性能,得到了不同模型的结合能、引发键键长分布、键连双原子作用能、内聚能密度、爆轰参数与力学性能参数,并进行了比较。结果表明：由于晶体缺陷的影响,造成炸药结合能减小,稳定性变差;缺陷晶体的引发键最大键长增大,键连双原子作用能与内聚能密度减小,炸药感度升高,安全性减弱;缺陷晶体的密度、爆速与爆压减小,能量密度与威力降低;与“完美”型晶体相比,缺陷晶体的拉伸模量、体积模量与剪切模量减小,柯西压力增大,炸药刚性与硬度减弱,柔性与延展性增强。     

Defect reduction in Hg1−xCdxTe grown by molecular beam epitaxy on Cd0.96Zn0.04Te(211)B

A study on preparation of Cd_0.96Zn_0.04Te(211)B substrates for growth of Hg_1−xCd_xTe epitaxial layers by molecular beam epitaxy (MBE) was investigated. The objective was to investigate the impact of starting substrate surface quality on surface defects such as voids and hillocks commonly observed on MBE Hg_1−xCd_xTe layers. The results of this study indicate that, when the Cd_0.96Zn_0.04Te(211)B substrates are properly prepared, surface defects on the resulting MBE Hg_1−xCd_xTe films are reduced to minimum (size, ∼0.1 m and density ∼500/cm²) so that these MBE Hg_1−xCd_x Te films have surface quality as good as that of liquid phase epitaxial (LPE) Hg_1−xCd_xTe films currently in production in this laboratory.