高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能

垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘（SI) GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题. 在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理. 结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高. 利用Hall、热激电流谱（TSC) 、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法（LEC) SI-GaAs单晶样品进行了比较. 原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.     

MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

一种基于空间滤波的钢轨表面擦伤检测改进算法

钢轨表面擦伤检测是保障铁路运输安全的重要手段之一。应用图像处理和模式识别技术来处理钢轨数字图像,检测并定位擦伤区域是一种可行且发展迅速的研究手段。课题组在前期工作中提出了一种鲁棒实时的钢轨表面擦伤检测算法,该算法首先对钢轨图像进行灰度对比度增强,在此基础上定位可疑擦伤区域并进行判定。算法对于常规擦伤图像具有较高的检测性能,但对于钢轨图像包含多处擦伤且擦伤区域灰度值差异较大的情况,往往造成漏检。针对原算法的不足,提出了一种基于空间滤波的钢轨表面擦伤检测改进算法,该算法对原算法检测到的擦伤区域进行钢轨灰度图均值填充,并对填充后的图像进行二次检测,在重新生成的灰度对比度图中,原检测图像中灰度值不明显的擦伤区域的灰度对比度值得到增强,从而增加了检出的可能性。经实验结果验证,改进算法具有较高的检测性能:在总的时间耗费没有明显增加的情况下,检测的平均准确率为90.8%,平均漏检率为4.0%,较原算法有较大改善。     

软件错误定位研究综述

错误定位是软件调试中的一个热点问题,旨在高效地检测出软件错误。首先根据研究方法的不同,将已有错误定位方法从轻量级和重量级两个角度进行分类并进行比较。轻量级错误定位技术不涉及程序依赖关系分析,在程序执行覆盖信息的基础上用统计学或数据挖掘等方法找出可疑错误代码的集合来定位错误;重量级错误定位技术涉及程序依赖关系分析,主要分析数据依赖、控制依赖关系或使用程序切片等来识别可疑代码。然后,总结了常用的评测数据集和评测标准。最后,对错误定位的未来研究趋势进行了展望。     

软件缺陷数据的分析方法及其实现

软件缺陷数据的分析对于软件质量保证、项目管理和过程改进具有重要的意义,但目前的缺陷管理工具的数据分析功能普遍比较薄弱.本文首先分析了软件缺陷属性数据的类型,在此基础上阐述了软件缺陷数据分析的基本方法,包括一元数据分析和多元数据分析.最后讨论了实现软件缺陷数据分析方法所涉及到的几个关键技术.     

Sulfidation of iron at high temperatures and diffusion kinetics in ferrous sulfide

The kinetics and mechanism of iron sulfidation have been studied as a function of temperature (950–1200 K) and sulfur pressure (10^–3-0.065 atm). It has been stated that a compact Fe_1–yS scale on iron grows according to the parabolic rate law as a result of outward lattice diffusion of metal ions through cation vacancies. The activation energy of sulfidation increases with sulfur pressure and the 1/n exponent increases with temperature. This nontypical dependence of iron sulfidation kinetics on temperature and pressure results from the analogous effect of both these parameters on defect concentration in ferrous sulfide. The chemical diffusion coefficients,D_FeS, and diffusion coefficients of defects, D_d, in ferrous sulfide have been calculated on the basis of parabolic rate contacts of iron sulfidation and deviations from stoichiometry in ferrous sulfide. It has been shown thatD_FeS is practically independent of cation vacancy concentration whereas the diffusion coefficient of defects depends strongly on that parameter. A comparison of self-diffusion coefficients of iron in Fe_1–yS calculated from the kinetics of iron sulfidation to those obtained from radioisotopic studies indicates that within the range studied of temperatures and sulfur vapor pressures the outward diffusion of iron across the scale occurs preferentially along the c axis of columnar ferrous sulfide crystals.