Fold-Hopf bifurcation in a simplified four-neuron BAM (bidirectional associative memory) neural network with two delays

The bidirectional associative memory (BAM) neural network with four neurons and two delays is considered in the present paper.A linear stability analysis for the trivial equilibrium is firstly employed to provide a possible critical point at which a zero and a pair of pure imaginary eigenvalues occur in the corresponding characteristic equation.A fold-Hopf bifurcation is proved to happen at this critical point by the nonlinear analysis.The coupling strength and the delay are considered as bifurcation parame...     

纳米MgAl2O4粉体的溶液燃烧合成及烧结性能

以氨基乙酸和尿素为燃料,用溶液燃烧合成法制备了 MgAl2O4 纳米粉体,并研究了氨基乙酸和尿素的摩尔比(0:1,2:9 和 1:1)对粉体特性和烧结性能的影响。对粉体的扫描电子显微照片分析发现:用两种混合燃料制备的 MgAl2O4 粉体呈多孔状结构,且实验所用混合燃料有利于 MgAl2O4粉体的分散。结果表明:颗粒(团聚体)的平均粒径随所用燃料中氨基乙酸含量的增加而明显减小,粉体的比表面积随氨基乙酸含量的增加而显著增大,表明所用的混合燃料能显著降低 MgAl2O4粉体的团聚程度。此外,MgAl2O4粉体的烧结性能随所用燃料中氨基乙酸含量的增加而显著提高。     

低温烧成高纯Al_2O_3多孔陶瓷膜支撑体的制备

为了降低高纯Al2O3(α-Al2O3质量含量≥99%)多孔陶瓷膜支撑体烧成温度,以粒径为30μm的α-Al2O3为原料,分别添加TiO2和TiO2/Cu(NO3)2为烧结助剂,通过干压成型和挤出成型制备片状和管式多孔支撑体。Al2O3-TiO2和Al2O3-TiO2-CuO体系分别在高温下出现的液相低共熔物促进了多孔支撑体的烧结。当氧化铝支撑体中添加0.5%(摩尔分数,下同)TiO2+0.5%Cu(NO3)2后,在1600℃的烧成即可获得机械性能高、渗透性能好和耐酸碱腐蚀性能优异的管式支撑体。在压力为0.1MPa时,支撑体的水渗透通量为12.1m3/(m2·h),弯曲强度为44.5MPa。经过80℃,含10%(质量分数,下同)HNO3的溶液腐蚀800h及80℃,含10%NaOH的溶液1200h后,支撑体的质量损失率分别为1%和0.35%。     

弹道方程边值问题中的直射弹道公式

本文探求了属于微分方程边值问题的直射弹道公式,以形简、意明、精确度高、研究方法的多样性和事物规律的不同表现形式为特征。在直射弹道的定义和数学描述之后,先从它的微分方程出发推导出了公式;再从方程的数字解出发探寻并确立了其规律性。     

烟气污染物协同治理中的负协同效应串联作用现象

随着烟气污染物协同治理技术在燃煤电站的普遍应用,协同治理过程中各单元设备间的不良影响及其造成的设备治理能力下降或污染物增量排放现象日益显现,对此类负协同效应展开分析,并通过性能试验、检测化验、运行诊断等方法对某350 MW机组进行研究,结果表明：存在负协同效应串联作用现象,即上游设备的负协同效应不断蚕食本体或下游设备的污染物治理能力,最终导致设备治理能力不足。最后,提出控制及消纳负协同效应的建议。     

地面甚低频辐射渗透进电离层的数值模拟分析

利用全波解模型进行数值模拟实验, 研究了具有不同辐射源参数(辐射频率和功率)的地面甚低频(Very Low Frequency, VLF)辐射源在不同地磁场参数(地磁场强度和倾角)和电离层参数(电子密度和碰撞频率)条件下激发的地球-电离层波导和电离层中的电磁场能量空间分布, 并重点研究了电离层D/E区对电磁辐射能量的吸收.模拟结果发现:VLF辐射在波导中衰减只受辐射源频率的影响, 不受辐射功率、地磁场参数和电离层参数变化影响, 波导中的衰减随频率的增大而减小, 而电离层D/E区吸收随频率增大而增大, 两者总衰减量随频率增大而增大.辐射源功率对电离层D/E区的吸收也无影响.地磁强度和地磁倾角越大, 电离层D/E区吸收越小; 电离层碰撞频率和电子密度越大, 电离层中能量衰减越大.     

掺钠钛酸铋薄膜的制备及主要性能的研究

采用金属有机溶液分解法（MOSD）在SiO2/p-Si（111）衬底上制备了Bi3．25 Na2．25 Ti3O12（BNaT）薄膜。利用X-射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性，同时还研究了不同退火温度对漏电流、积累态电容、损耗因子的影响及薄膜的I-V、C-V和ε-f性能。     

Highly Crystalline Soluble Acene Crystal Arrays for Organic Transistors: Mechanism of Crystal Growth During Dip‐Coating

The preparation of uniform large‐area highly crystalline organic semiconductor thin films that show outstanding carrier mobilities remains a challenge in the field of organic electronics, including organic field‐effect transistors. Quantitative control over the drying speed during dip‐coating permits optimization of the organic semiconductor film formation, although the kinetics of crystallization at the air–solution–substrate contact line are still not well understood. Here, we report the facile one‐step growth of self‐aligning, highly crystalline soluble acene crystal arrays that exhibit excellent field‐effect mobilities (up to 1.5 cm V^?1 s^?1) via an optimized dip‐coating process. We discover that optimized acene crystals grew at a particular substrate lifting‐rate in the presence of low boiling point solvents, such as dichloromethane (b.p. of 40.0 °C) or chloroform (b.p. of 60.4 °C). Variable‐temperature dip‐coating experiments using various solvents and lift rates are performed to elucidate the crystallization behavior. This bottom‐up study of soluble acene crystal growth during dip‐coating provides conditions under which one may obtain uniform organic semiconductor crystal arrays with high crystallinity and mobilities over large substrate areas, regardless of the substrate geometry (wafer substrates or cylinder‐shaped substrates).     

智能ODN解决方案及应用探讨

智能光分配网络(ODN)技术因具有可管可控、稳定高效等优势,已成为近期光纤接入(FTTx)网络建设与改造的研究重点。首先,通过简单介绍业界三种典型的智能ODN解决方案,然后分析各自的差异性和优缺点,并提出了一种基于电子标签和二维码的智能ODN解决方案。最后,对智能ODN系统的发展进行了展望,认为制定智能ODN规范标准以及提高产品兼容性对实现ODN规模化发展及差异化运营具有重要的意义。     

一种新型超净高纯试剂在半导体技术中的应用

通过对新型超净高纯试剂同常规CMOS酸碱试剂同时进行CMOS工艺中栅氧化前的清洗实验,从清洗后硅片残留金属量的电感耦合高频等离子体原子发射光谱分析、硅片表面形貌的AFM分析和MOS电容测量三个方面进行了应用实验.结果表明,以超净高纯乙腈为主要组分的新型试剂,其清洗效果总体优于常规CMOS酸碱试剂,可以考虑在半导体器件相应清洗工艺中采用.