二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究

用超高真空热氧化方法在Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜，并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示，在超薄范围二氧化硅呈层状生长，不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约3eV，形貌对二氧化硅带宽的影响小于膜厚的影响。     

非空气-石英结构PCF的带隙特性分析

光子晶体光纤是近十来年兴起的一个新兴的研究领域,是现今纤维光学的研究重点,光子带隙特性是光子晶体光纤区别传统光纤的主要特征。本文利用全矢量平面波展开法对非空气-石英结构PCF的带隙特性进行分析,并且重点讨论空气孔内填充介电材料对光子带隙存在的影响。     

溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究

主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿c轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温度为800℃,x(Cd)=6%~8%;以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3.22 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度3.30 eV明显减小,适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。     

一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计

模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的.产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流.文章提出了一种基于2 μm双极工艺设计的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单、性能好.用模拟软件进行仿真,其温度系数为30×10-6/...     

一种高PSR CMOS带隙基准电路设计

为了降低芯片电路功耗,电源电压需要不断的减小,这将导致电源噪声对基准电压产生严重影响。为此针对这一问题进行相关研究,采用SMIC 0.18μm工艺,设计出一种低功耗、低温度系数的高PSR带隙基准电压源。仿真结果表明,该设计带隙基准源的PSR在50 kHz与100 kHz分别为-65.13 dB和-53.85 dB;在2⁶ V电源电压下,工作电流为30μA,温度系数为30.38 ppm/℃,电压调整率为71.47μV/V。该带隙基准适用于在低功耗高PSR性能需求的LDOs电路中应用。     

液体介质三维光子晶体禁带可调性能研究

研究了宽频折射率可调液体介质在三维光子晶体上的应用。设计了完美结构的液体光子晶体,采用 平面波展开法和有限时域差分法研究了液体介质的介电常数对光子晶体带隙的影响规律;采用光固化快速成型技 术制造了完美结构光子晶体模型,通过灌注不同介电常数的液体介质,发现液体光子晶体的电磁带隙频率随液体媒 介介电常数的升高而向低频移动,其禁带相比于传统液晶可调光子晶体有所拓宽。     

Optimization of Solubility,Film Morphology and Photodetector Performance by Molecular Side‐Chain Engineering of Low‐Bandgap Thienothiadiazole‐Based Polymers

A series of donor–acceptor (D‐A) type low‐bandgap polymers containing the terthiophene and thieno[3,4‐b]thiadiazole units in the main chain but different numbers of identical side chains are designed and synthesized in order to study the effect of side chain on the polymer properties and optimize the performance of polymer photodetectors. Variation in the side chain content can influence the polymer solubility, molecular packing, and film morphology, which in turn affects the photodetector performance, particularly with regard to the photoresponsivity and dark current. X‐ray diffraction patterns indicate that molecular ordering increases with more side chains. Atomic force microscopy shows that appropriate morphology of the active layer in the polymer photodetector is necessary for high photocurrent and low dark current. Using BCP as a hole blocking layer (10 nm), the photodetector based on P4 exhibits the optimized performance with specific detectivity of 1.4 × 10¹² Jones at 800 nm, which is among the best reported values for polymer photodetectors and even comparable to that of a silicon photodetector.