全文获取类型
收费全文 | 12495篇 |
免费 | 1373篇 |
国内免费 | 542篇 |
专业分类
电工技术 | 132篇 |
综合类 | 569篇 |
化学工业 | 3555篇 |
金属工艺 | 3750篇 |
机械仪表 | 503篇 |
建筑科学 | 91篇 |
矿业工程 | 310篇 |
能源动力 | 131篇 |
轻工业 | 234篇 |
水利工程 | 4篇 |
石油天然气 | 300篇 |
武器工业 | 76篇 |
无线电 | 493篇 |
一般工业技术 | 2325篇 |
冶金工业 | 1804篇 |
原子能技术 | 104篇 |
自动化技术 | 29篇 |
出版年
2025年 | 1篇 |
2024年 | 257篇 |
2023年 | 243篇 |
2022年 | 400篇 |
2021年 | 417篇 |
2020年 | 537篇 |
2019年 | 433篇 |
2018年 | 413篇 |
2017年 | 497篇 |
2016年 | 422篇 |
2015年 | 489篇 |
2014年 | 637篇 |
2013年 | 712篇 |
2012年 | 752篇 |
2011年 | 805篇 |
2010年 | 593篇 |
2009年 | 654篇 |
2008年 | 467篇 |
2007年 | 796篇 |
2006年 | 778篇 |
2005年 | 700篇 |
2004年 | 636篇 |
2003年 | 495篇 |
2002年 | 394篇 |
2001年 | 333篇 |
2000年 | 287篇 |
1999年 | 210篇 |
1998年 | 185篇 |
1997年 | 138篇 |
1996年 | 133篇 |
1995年 | 85篇 |
1994年 | 90篇 |
1993年 | 44篇 |
1992年 | 74篇 |
1991年 | 56篇 |
1990年 | 77篇 |
1989年 | 75篇 |
1988年 | 19篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 10篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1976年 | 4篇 |
1975年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
52.
研究了电解铜箔制造时旨在防止缺陷的镀铜层上发生的异常粒子成长。在Ti基板上形成镀铜层,应用配备有能量耗散x一线分光计的电子扫描显微镜(SEM-EDX)和x一线衍射观察异常粒子析出。异常粒子的发生取决于Ti基材预处理方法。预处理加工时机械抛光发生的Ti粒子与异常粒子成长有关。Ti粒子附近的铜的取向不同于其它部分的镀层。因此Ti粒子与异常粒子成长有关。 相似文献
53.
根据激光沉积修复的热传导特点, 利用有限元法中的生死单元技术, 建立了激光沉积修复TA15钛合金的过程模型, 采用参数化设计语言编程实现对多道多层激光沉积修复过程三维热应力场的数值模拟。研究了不同功率、不同扫描速度下以及对修复基体预热后热应力的动态分布规律, 并对热应力变化的原因进行了分析。结果表明, 随着激光功率的减小、扫描速度的增大热应力呈减小趋势, 对修复基体预先加热, 可以有效调控热应力的产生和演化, 为降低激光沉积修复过程中的热应力, 提高修复质量提供理论依据。 相似文献
54.
A new design concept for diffusion barriers in high‐density memory capacitors is suggested, and both RuTiN (RTN) and RuTiO (RTO) films are proposed as sacrificial oxygen diffusion barriers. The newly developed RTN and RTO barriers show a much lower sheet resistance than various other barriers, including binary and ternary nitrides (reported by others), up to 800 °C, without a large increase in the resistance. For both the Pt/RTN/TiSix/n++poly‐plug/n+ channel layer/Si and the Pt/RTO/RTN/TiSix/n++poly‐plug/n+ channel layer/Si contact structures, contact resistance—the most important electrical parameter for the diffusion barrier in the bottom electrode structure of capacitors—was found to be as low as 5 kohm, even after annealing up to 750 °C. When the RTN film was inserted as a glue layer between the bottom Pt electrode layer and the TiN barrier film in the chemical vapor deposited (Ba,Sr)TiO3 (CVD–BST) simple stack‐type structure, the RTN glue layer was observed to be thermally stable to temperatures 150 °C higher than that to which the TiN glue layer is stable. Moreover, the capacitance of the physical vapor deposited (PVD)–BST simple stack‐type structure adopted TiN glue layer initially degraded after annealing at 500 °C, and, thereafter, completely failed. In the case of the RTN and RTO/RTN glue layers, however, the capacitance continuously increased up to 550 °C. Thus, the new RTN and RTO films, which act as diffusion barriers to oxygen, are very promising materials for achieving high‐density capacitors. 相似文献
55.
56.
57.
研究了室温下铌酸钙钡单晶的光学性质。分别用分光光度计和椭偏光谱仪测量了铌酸钙钡晶体的透射率和折射率随波长的变化关系,结果表明铌酸钙钡晶体具有正常色散关系,且寻常光折射率‰大于异常光折射率ne,说明该晶体为负的单轴晶。折射率之差在短波区达到0.12。透射率光谱显示该晶体在400~900nm波段是透明的。根据透射率计算了该波段晶体的吸收系数以及它的平方根。通过对该曲线的研究,发现铌酸钙钡晶体吸收边以下对应的跃迁为间接跃迁,计算出间接跃迁的禁带宽度E为2.94eV以及声子能量E为0.17eV。此外,通过改变系统光路中偏振片的透振方向,获得了寻常光和异常光的透射率,并进一步计算了它们的吸收系数。 相似文献
58.
SiCp/6061Al金属基复合材料焊缝“原位” 总被引:1,自引:0,他引:1
以Ti作为合金化元素对SiCp/6061Al金属基复合材料(SiCp/6061AlMMC)进行焊缝“原位”合金化激光焊接。研究了焊缝“原位”合金化元素Ti添加量对焊缝显微组织的影响。结果表明,采用焊缝“原位”合金化方法激光焊接SiCp/6061AlMMC,可以有效抑制焊缝中针状脆性相Al4C3的形成,并获得以均匀分布TiC,Ti5Si3等为增强相的新型金属基复合材料焊缝,焊缝“原位”合金化激光焊接是焊接SiCp/Al复合材料的一种新方法。 相似文献
59.
60.