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31.
Herein, a novel Bi3+-activated Ca3Y2Ge3O12 (CYGO) narrow-band cyan-emitting phosphor was synthesized. It can be excited from 320–420 nm, and the strongest excitation peak is located at 370 nm, which is suitable for current near-ultraviolet (NUV) chips perfectly. The full width at half maximum is at 52 nm. By analyzing the crystal structure of the sample, we infer that the Bi3+ ions replace the Y3+ site to form a highly symmetrical BiO6 octahedron. The time-resolved photoluminescence (TRPL) spectra of CYGO: Bi3+ reveal that the only a single emission center exists in the host lattice. A warm white light–emitting diode (WLED) device with a low correlated color temperature (3148 K) and a high color rendering index (90.2) was fabricated by using the as-prepared sample, and the significant thermal stability of CYGO: Bi3+ guarantees its potential application in WLEDs. It is verified that the structure with only one crystallographic Y site for Bi3+ dopant occupation and highly symmetrical and dense structure is conducive to realize narrow-band emission, which will provide experience for researchers to explore more Bi3+-activated phosphors used for high-end lighting.  相似文献   
32.
摘要:采用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)/Ag铁电复合材料,通过X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究,并测量样品的介电温度谱。结果表明:复合材料是由SBTi和Ag两相组成。微量金属Ag的加入使SBTi铁电陶瓷的烧结温度从1120℃降低到950℃以下:可以适当提高铁电陶瓷从室温到200℃的介电常数,但对材料的介电损耗影响很小。同时Ag的加入压抑了介电温度曲线上的介电常数的Curie峰。  相似文献   
33.
目的将锌镀层与具有光催化抗菌性能的纳米粒子复合,实现对锌镀层的改性,成功制备一种具有光催化抗菌性能的功能性复合镀层。方法通过向弱酸性硫酸盐锌镀液中加入梯度浓度具有可见光催化杀菌性能的硫化铋纳米粒子,在20#碳钢表面利用恒电流法一步成功制备了系列硫化铋-锌复合镀膜。利用电化学工作站监测了沉积过程中的沉积电位,分别记录沉积前和沉积后的样品质量并测量沉积面积,通过计算,确定了沉积过程的电流效率。通过扫描电子显微镜(SEM)、X-射线晶体衍射仪(XRD)及电子能谱仪(EDS)对镀层进行了形貌及成分分析,采用大肠杆菌作为代表性的细菌,检测了复合镀膜的抗菌性能。结果与纯锌镀膜相比,硫化铋的加入显著促进了(100)晶相的晶体生长,而抑制了(102)晶相的晶体生长,使镀膜形貌由标准六方晶系变为块状晶体;硫化铋的加入使沉积电位变得更正,且随硫化铋添加量的增加,变正增幅变大;硫化铋的加入使电沉积过程的电流效率与纯锌镀膜的电流效率相比增大了5%左右,但硫化铋的添加量对电流效率的影响不大;硫化铋-锌复合镀膜在可见光下对大肠杆菌具有良好的抗杀性能,且硫化铋的复合量越高,抗菌效果越好。结论通过笔者提出的电沉积方法,硫化铋可成功复合到了锌镀膜中,从而使硫化铋-锌复合镀膜获得了良好的抗菌性能,最终发现当镀液中硫化铋质量浓度为2 g/L时,硫化铋在锌镀层中的复合量最高,抗菌性能最好。  相似文献   
34.
Potassium-ion batteries have emerged not only as low-cost alternatives to lithium-ion batteries, but also as high-voltage energy storage systems. However, their development is still encumbered by the scarcity of high-performance electrode materials that can endure successive potassium-ion uptake. Herein, a hydrated Bi-Ti bimetallic ethylene glycol (H-Bi-Ti-EG) compound is reported as a new high-capacity and stable anode material for potassium storage. H-Bi-Ti-EG possesses a long-range disordered layered framework, which helps to facilitate electrolyte ingress into the entire Bi nanoparticles. A suite of spectroscopic analyses reveals the in situ formation Bi nanoparticles within the organic polymer matrix, which can alleviate stresses caused by the huge volume expansion/contraction during deep cycles, thereby maintaining the superior structural integrity of H-Bi-Ti-EG organic anode. As expected, H-Bi-Ti-EG anode exhibits a high capacity and superior long-term cycling stability. Importantly for potassium storage, it can be cycled at current densities of 0.1, 0.5, 1, and 2 Ag−1 for 800, 700, 1000, and even 6000 cycles, retaining charging capacities of 361, 206, 185, and 85.8 mAh g−1, respectively. The scalable synthetic method along with the outstanding electrochemical performance of hydrated Bi-Ti-EG, which is superior to other reported Bi-based anode materials, places it as a promising anode material for high-performance potassium storage.  相似文献   
35.
Alloying-type metal sulfides with high theoretical capacities are promising anodes for sodium-ion batteries, but suffer from sluggish sodiation kinetics and huge volume expansion. Introducing intercalative motifs into alloying-type metal sulfides is an efficient strategy to solve the above issues. Herein, robust intercalative In S motifs are grafted to high-capacity layered Bi2S3 to form a cation-disordered (BiIn)2S3, synergistically realizing high-rate and large-capacity sodium storage. The In S motif with strong bonding serves as a space-confinement unit to buffer the volume expansion, maintaining superior structural stability. Moreover, the grafted high-metallicity Indium increases the bonding covalency of Bi S, realizing controllable reconstruction of Bi S bond during cycling to effectively prevent the migration and aggregation of atomic Bi. The novel (BiIn)2S3 anode delivers a high capacity of 537 mAh g−1 at 0.4 C and a superior high-rate stability of 247 mAh g−1 at 40 C over 10000 cycles. Further in situ and ex situ characterizations reveal the in-depth reaction mechanism and the breakage and formation of reversible Bi S bonds. The proposed space confinement and bonding covalency enhancement strategy via grafting intercalative motifs can be conducive to developing novel high-rate and large-capacity anodes.  相似文献   
36.
综述了传统催化剂和一些新型复合型催化剂在氮氧化物催化还原方面的研究进展,并展望以氧化铋纳米材料为载体,通过不同方法将金属(Ag、Au、Pt、Pd和Rh等)纳米颗粒负载在氧化铋材料上形成金属-氧化铋纳米复合材料用于NOX的催化还原.利用氧化铋晶体结构中较多的氧空位以及金属纳米颗粒的高催化活性的特点提高复合材料对NOX的催化活性,并降低催化剂成本.期望通过考察复合材料的不同组分、金属负载量、反应温度以及还原剂种类对NOX催化还原效果的影响,寻求具有最佳催化活性的金属-氧化铋复合材料,为进一步的工业化应用奠定基础.  相似文献   
37.
38.
39.
以Bi(NO3)3·5H2O和(NH4)2TiF6为原料,采用微波水热法在120℃~220℃反应1h得到了具有不同形貌的粉体.借助XRD、FE-SEM和EDS等分析手段对粉体的组成和形貌进行了表征,并以罗丹明B溶液为目标降解物,研究了200℃下所得粉体的光催化性能.结果表明:所得粉体是一种新型的F掺杂钛酸铋粉体,其中Bi、Ti、O、F的原子比例约为6∶11∶27∶8;随着反应温度的升高,粉体形貌从球形向六棱短柱状转变;紫外光照射下粉体具有较好的降解罗丹明B溶液的能力.  相似文献   
40.
J.Y. Son  Bog G. Kim  J.H. Cho   《Thin solid films》2006,500(1-2):360-363
We have studied grain-shape dependence of Kelvin probe force microscopy of SrBi2Ta2O9 thin films on epitaxial La0.5Sr0.5CoO3/LaAlO3 substrates. By changing the growth condition in pulsed laser deposition, we have grown the SrBi2Ta2O9 thin films with various grain shapes. The shape and the orientation of SrBi2Ta2O9 the thin films with various growth conditions have been analyzed by X-ray diffraction and scanning electron microscope. The large number of the long rectangular grains was observed accompanied with relatively larger (220) peaks than other peaks. From the Kelvin probe force microscope study, it has been observed that the long rectangular grains showed characteristics of easy ferroelectric domain switching at a low writing bias and weaker influence of surface charges.  相似文献   
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