晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

主电机轴瓦异常情况分析解决办法

介绍南钢中板厂四辊轧机主电机轴瓦一种非典型故障现象，原因分析及解决办法，提出了对类似问题个人见解。     

聚氨酯-聚丙烯酸酯共聚乳液的成膜和性能

通过XPS和接触角测试研究了聚氨酯-聚丙烯酸酯共聚乳液在不同基材上的成膜情况，并对共聚胶膜的耐水性和附着力进行了考察．由于该共聚乳液同时存在着亲水组分和疏水组分，所以它在不同的基材上成膜可导致其膜表面的组成成分不同，因而导致其耐水性和附着力也随基材而异。结果表明，亲水性的聚氨酯组分均富集于胶膜内部，但胶膜底层聚氨酯组分的含量却随基材的不同而不同。在憎水且表面张力较高的基材上，共聚胶膜的耐水性良好；共聚胶膜的附着力在表面张力较高的基材上也良好。     

基于SPM技术的纳米信息存储薄膜的研究进展

扫描探针显微技术SPM可以在原子或分子尺度上对表面进行表征和修饰，应用SPM技术可以在薄膜表面形成纳米级的信息点阵，特别适合发展超高密度的信息存储，是一种非常有希望代替传统磁存储，光存储的纳米级存储技术，本文介绍了纳米信息存储薄膜的研究进展，并对其制备技术和读写机制进行了初步的探讨。     

Electron transport in InGaO3(ZnO)m (m=integer) studied using single-crystalline thin films and transparent MISFETs

We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO₃(ZnO)_m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 10⁵. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm² (V s)⁻¹ as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds.     

溅射靶材的应用及制备初探

随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求越来越多，本文介绍了靶材的发展概况、分类和应用情况，以及靶材的特性要求．探讨Ni-Cr合金靶材的制备工艺，结果表明，产品能满足靶材特性要求。     

Bi3+对纳米MnO2水热合成的影响研究

在中性和酸性条件下，以MnO2作为锰源，通过水热合成了纳米MnO2，通过XRD和TEM对产物进行的观察表明，在酸性条件下，向溶液中添加一定量的Bi^3 ，产物的晶型由α型向γ型转化，产物形貌由针状、丝状向颗粒状转变。     

分割电极片状压电致动器——(二)位移特性及狭缝宽度对其影响的实验研究

研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。理论分析表明，分割电极狭缝宽度会减小致动器自由端的位移输出，但当狭缝宽度小于致动器电极宽度的１０％时，可忽略狭缝宽度的影响。致动器端部位移的测试结果大于理论计算值。与现有磁头悬浮臂尺寸相近的致动器，在２０Ｖ～５０Ｖ的电压驱动下均可获得１μｍ～２μｍ的致动位移。对９８５０道／厘米的密度磁盘，该位移能覆盖至少一个磁道宽度，满足磁头定位两级伺服系统对第二级致动器位移的基本要求。     

钇铁石榴石薄膜材料的光吸收谱及Bi,Al掺入对谱的影响研究

采用单离子晶场跃迁模型，拟合出钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜材料的光吸收谱，与实验谱吻合得较好。从实验和理论上分析了（ＢＩＡＩ）ＹＩＧ 薄膜材料的光吸收谱，结果表明，Ａｌ３＋离子的作用如同稀释剂一样，减小了光吸收，Ｂｉ３＋离子由于其强的自旋轨道耦合作用，增大了跃迁振子强度和跃迁线宽，从而增大了光吸收损耗，在此基础上所作的（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ的理论谱与实验谱符合得较好。     

薄膜微型电源

介绍了新型的薄膜微型电源的工作原理、结构及制造工艺。