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71.
Influence of Ni Interlayers on the Mechanical Properties of Ti6Al4V/(WC-Co) Friction Welds 总被引:2,自引:0,他引:2
M. Shamanian M. Salehi A. Saatchi T. H. North 《Materials and Manufacturing Processes》2003,18(4):581-598
Ni interlayers were introduced prior to dissimilar friction welding of Ti6Al4V base material to three cemented carbide substrates. The fracture strength of Ti6Al4V/(WC-6 wt% Co) welds were poor and were markedly improved when 20-µm thick Ni interlayers were introduced prior to dissimilar friction welding. These results were only produced when the (WC-6 wt% Co) cermet was electroplated prior to friction welding. When the Ti6Al4V alloy was electroplated prior to friction welding, fractured WC particles and cracking were observed in the (WC-Co) carbide substrate. The fracture strengths of Ti6Al4V/(WC-11 wt% Co) and Ti6Al4V/(WC-24 wt% Co) welds were not improved when 20-µm thick Ni interlayers were introduced prior to friction welding. During mechanical testing, the Ni layer retained at the dissimilar joint interface created a region of weakness. 相似文献
72.
单片机软件模拟SPI接口的解决方案 总被引:3,自引:0,他引:3
SPI接口是一种同步串行通讯接口,具备SPI接口的外围芯片十分丰富,应用非常广泛。但是,具备SPI接口的单片机种类较少。介绍了一种基于单片机的模拟SPI接口的方法,使没有SPI接口的单片机扩展带有SPI接口的外围芯片成为现实。 相似文献
73.
Takuma Suzuki Hang-Ju Ko Agus Setiawan Jung-Jin Kim Koh Saitoh Masami Terauchi Takafumi Yao 《Materials Science in Semiconductor Processing》2003,6(5-6):519-521
We report the successful growth of Ga-polar GaN epilayers on O-polar ZnO templates pre-deposited on c-sapphire. Prior to GaN growth, NH3 is exposed onto the ZnO template. The polarity of the GaN layers is confirmed by etching of the surface and by conversion beam electron diffraction (CBED), while the O-polar ZnO is confirmed by CBED. It is suggested that the NH3 pre-exposure helps form a Zn3N2 layer, which possesses inversion symmetry and inverts the crystal from anion polar to cation polar. 相似文献
74.
Al-Cu双金属复合结构的扩散连接试验研究 总被引:16,自引:0,他引:16
应用扩散连方法进行了Al-Cu双金属复合结构的试验研究,比较了不同的焊接工艺,材料组合以及母材状态情况Al合金与Cu的连接性,观察了接头区域的微观组织结构,研究表明,固相扩散连接是一种适用于异种材料连接的有效方法,通过在连接区域形成Al-Cu金属间化合物,达到Al和Cu的有效连接,材料组合,母材原始状态以及连接工艺参数对Al合金与Cu的扩散连接存在着明显的影响。表面镀Ni工艺不但能够有效阻止Al和Cu之间形成脆性相,而且Al和Ni之间形成了良好的扩散连接,改善了接头性能。 相似文献
75.
针对TPS/TDC30 0 0系统串口通讯方式、机理进行了一般性的介绍 ,对规划与应用中常见的的问题 ,根据实际工程应用经验提出了解决方案。 相似文献
76.
在前新生代油气资源选区评价中,前志留面之下未变质沉积地层(简称前志留基础层)的分布具有重要的参考价值。从提高纵向分辨率的处理和反演技术的应用入手,结合约束条件,利用大地电磁测深数据反演,揭示前志留面等界面的埋深和分布;同时应用小波分析技术,从磁场中分解出区域磁异常,反演结晶基底的埋深。通过这2个界面埋深的差异来分析前志留基础层的分布 相似文献
77.
O.V. TretyakV.A. Skryshevsky V.A. VikulovYu.V. Boyko V.M. Zinchuk 《Thin solid films》2003,445(1):144-150
The character of electronic states in porous silicon (PS)-Si, Pd-PS interfaces, and/or PS bulk at the formation of the metal-PS-silicon heterostructure was studied. The energy parameters were estimated using the deep-level transient spectroscopy and capacitance-voltage characteristics at the accounting of the voltage drop distribution along the structure. The analytical expression for voltage drop distribution along dielectric layer, porous layer and space charge region in silicon was obtained by solving the equation for continuity of the electrostatic induction vector. The electronic states studied were shown to manifest the quasi-continuous sub-band in the energy gap if the porous layer was 30-nm thick. Their density increased, as the energy position was being transformed to a deeper energy level of Ev+0.81 eV at the PS layer growing to 90 nm wide. 相似文献
78.
网络虚接口对特殊数据包的处理起着很大的作用。文章介绍了网络虚接口的概念,在对传统的网络接口比较分析的基础上,设计和实现了一个基于量Linux的用于对发送数据包的内容进行特殊处理的网络虚接口。 相似文献
79.
80.