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53.
An OFET charge model,as well as its parameter extraction method are presented.The fitting results are also discussed and different OFET model characters are compared.Some basic OFET based digital circuit blocks, including the inverter,NAND,and ring oscillator are also developed,which would be considered to be helpful to the design of relevant applications. 相似文献
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正Distributed feedback(DFB) quantum cascade lasers(QCLs) in continuous-wave(CW) mode emitting atλ≈7.6μm are presented.Holographic lithography was used to fabricate the first-order distributed feedback grating. For a high-reflectivity-coated QCL with 14.5-μm-wide and 3-mm-long cavity,CW output powers of 300 mW at 85 K and still 10 mW at 270 K are obtained.Single-mode emission with a side-mode suppression ratio(SMSR) of about 30 dB and a wide tuning range of ~300 nm in the temperature range from 85 to 280 K is observed. 相似文献
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Gary E. Bulman Ed Siivola Ryan Wiitala Rama Venkatasubramanian Michael Acree Nathan Ritz 《Journal of Electronic Materials》2009,38(7):1510-1515
Thin-film Bi2Te3- and Sb2Te3-based superlattice (SL) thermoelectric (TE) devices are an enabling technology for high-power and low-temperature applications,
which include low-noise amplifier cooling, electronics hot-spot cooling, radio frequency (RF) amplifier thermal management,
and direct sensor cooling. Bulk TE devices, which can pump heat loads on the order of 10 W/cm2, are not suitable in these applications due to their large size and low heat pumping capacity. Recently, we have demonstrated
an external maximum temperature difference, ΔT
max, as high as 58 K in an SL thin-film p–n couple. This state-of-the-art couple exhibited a cold-side minimum temperature, T
cmin, of −30.9°C. We regularly attain ΔT
max values in excess of 53 K, in spite of the many significant electrical and thermal parasitics that are unique to thin-film
devices. These measurements do not use any complex thermal management at the heat sink to remove the heat flux from the TE
device’s hot side. We describe here multistage SL cooling technologies currently being developed at RTI that can provide useful
microcooling cold-side temperatures of 200 K. This effort includes a three-stage module employing independently powered stages
which produced a ΔT
max of 101.6 K with a T
cmin of −75°C, as well as a novel two-wire three-stage SL cascade which demonstrated a T
cmin of −46°C and a ΔT
max of nearly 74 K. These RTI modules are only 2.5 mm thick, significantly thinner than a similar commercial three-stage module
(5.3 mm thick) that produces a ΔT
max of 96 K. In addition, TE coolers fabricated from these thin-film SL materials perform significantly better than the extrapolated
performance of similar thickness bulk alloy materials. 相似文献
60.
太赫兹量子级联激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
太赫兹技术近年来发展迅速,应用越来越广泛,是当前的热门研究领域。太赫兹量子级联激光器是产生太赫兹辐射的重要器件,对太赫兹量子级联激光器的发展,以及有源区和波导层的设计等进行了详细讨论。 相似文献