金属熔化热的粒度效应

本文根据热力学原理推导出高分散度金属的熔化热与其粒度的关系式,并从一系列金属的有关热力学量数值计算证明:高分散度金属粉末的熔化热小于其非分散状态的熔化热。     

烧结机布料的改进

为克服烧结生产中布料不均的问题,邢钢通过对烧结机布料系统的改造,使布料更为均匀、平整、偏析合理,提高了烧结矿产质量、降低了能源消耗。     

催化裂化机理模型的应用开发

AspenFCC软件以21集总反应动力学模型为基础,结合进料和催化剂指纹库技术,是当前较为完善的催化裂化机理模型。以某炼厂一催化装置为例,利用该软件建立装置模型,并对该软件的应用进行分析。     

松脂液制备氢化松香较优工艺条件的探究

以松脂为原料,Raney-Ni为催化剂,高温高压下催化加氢制备氢化松香,以产品中二氢枞酸及四氢枞酸含量的总和为指标,设计了四因素四水平的正交实验,得到了反应的较优工艺条件：催化剂用量占松脂液的6％、反应温度为200℃、反应时间100min、反应压力为9MPa。     

分子筛和SiO2对含三嗪大分子膨胀阻燃聚丙烯体系的阻燃协效性

研究了两种化合物4A分子筛(Zeolite4A)和二氧化硅(SiO2)对聚丙烯膨胀阻燃新体系聚丙烯/聚磷酸铵/三嗪系成炭剂(PP/APP/CFA)阻燃性的影响,通过垂直燃烧、氧指数、热重分析、锥形量热仪和扫描电镜等技术研究表明,这两种含硅物质均能有效提高聚丙烯体系的阻燃性。膨胀阻燃剂能有效降低聚丙烯材料的热释放速率和烟释放速率,特别是,这两种含硅物质能明显降低聚丙烯体系第二个燃烧过程的热释放速率和烟释放速率。     

多级热流逸式真空泵流量与压力特性分析

为满足流量和压力要求,热流逸式真空泵通常采用多级串联结构。本文依据稀薄气体动力学建立了多级热流逸式真空泵运行特性数学模型,探讨了温差、努森数、串联级数对流量和压力的影响。研究表明,在满足真空度要求的前提下,为获得较大流量并减少串联级数,应合理增大多级热流逸式真空泵各级的温差;并尽可能采用特征尺寸大的连接通道,以使其内气体处于连续流区域;但微通道的特征尺寸须视情况而定,以确保其内气体处于高努森数的过渡流区域。从大气端指向真空端,多级热流逸式真空泵内的压力大致呈指数规律降低;越接近大气端的级,其内压力变化越显著;就每一级而言,压力在连接通道内略微升高,而在微通道内大幅降低。     

基于参数拟合的室内多用户定位算法

为了提高室内环境下对目标的定位精度,提出一种室内单站精确定位技术. 该技术利用室内电波传播多径效应构成的复杂信道信息,基于机器学习,构建卷积神经网络架构,通过卷积提取不同位置目标到达接收传感器的多径时延特征信息;然后通过多层全连接层深度神经网络的模型训练,将基于复杂信道的定位问题转化为回归模型的问题,建立信道指纹与位置之间的非线性关系来完成被动定位. 训练和仿真结果表明,在室内复杂电波传播环境下,基于神经网络的室内单站精确定位技术能够实现单接收站情况下对目标的精确定位. 本文主要对3×3网格大小的金属散射体进行定位,接收站位于室内时,平均定位误差为0.621个网格（12.42 cm）;接收站位于室外时,能够分别实现信噪比20 dB、30 dB、40 dB情况下44.09 cm、21.42 cm、20.96 cm的平均定位误差. 本文方法为室内复杂环境下的目标定位提供了一种新的定位方法.     

薄壁钢管混凝土短柱轴压力学性能试验研究

为研究不同壁厚钢管混凝土短柱轴压力学性能,制作了10组不同壁厚的钢管混凝土短柱试件进行轴压性能对比试验.试验结果表明,钢管混凝土轴压短柱壁厚效应的本质是核心混凝土的围压效应.在弹性变形阶段,随着钢管壁厚增加,轴压短柱弹性极限承载力增加,试件弹性极限承载力与钢管壁厚呈线性关系.在塑性变形阶段,随着钢管壁厚增加,轴压短柱塑性变形模型增加,钢管混凝土短柱塑性变形模量与钢管壁厚呈线性关系,试件呈现理想塑性状态时的钢管壁厚约为5 mm.通过对几种典型轴压承载力计算公式进行试验验证,得出欧洲和日本标准能够较好预测不同壁厚钢管混凝土短柱试件的弹性极限承载力.

     

320kA铝电解槽生产的节能探索

节能对于高耗能的铝电解生产来说是企业的重要课题。国内目前平均综合电耗在14500kWh/t-Al左右,由于各个企业之间存在着不同技术思路和管理思路,使得各个企业的电耗不同,好的企业可以达到13700kWh/t-Al左右。中孚实业在320kA铝电解槽生产上经过多年探索,在管理上不断创新,使节能工作一直走在行业前列。     

Electronic Synapses Enabled by an Epitaxial SrTiO3-δ / Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Field-Effect Memristor Integrated on Silicon

Synapses play a vital role in information processing, learning, and memory formation in the brain. By emulating the behavior of biological synapses, electronic synaptic devices hold the promise of enabling high-performance, energy-efficient, and scalable neuromorphic computing. Ferroelectric memristive devices integrate the characteristics of both ferroelectric and memristive materials and present a far-reaching potential as artificial synapses. Here, it is reported on a new ferroelectric device on silicon, a field-effect memristor, consisting of an epitaxial ultrathin ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂ film sandwiched between an epitaxial highly doped oxide semiconductor SrTiO_3-δ and a top metal. Upon a low voltage of less than 2 V, the field-effect modulation in the semiconductor enables to access multiple states. The device works in a large time domain ranging from milliseconds down to tens of nanoseconds. By gradually switching the polarization by identical pulses, the ferroelectric diode devices can dynamically adjust the synaptic strength to mimic short- and long-term memory plasticity. Ionic contributions due to redox processes in the oxide semiconductor beneficially influence the device operation and retention.