高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施，采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0．1Te晶锭．测试结果表明：该晶锭结晶质量良好，位错密度低，成分均匀，杂质含量低，红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd.9Zn0．1Te的值．并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度，分析了生长高性能晶体的条件，研究了生长Cdl-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系．     

硬质合金工具和异型产品的发展战略探讨

根据硬质合金异型产品和工具市场分析以及江西省的具体情况，提出了江西发展硬质合金异型产品和工具的基础条件、重点产品选择、发展步骤。认为江西应重点发展硬质合金棒材和孔加工工具，快步引进世界最先进的生产线和技术，采取跳跃式的发展战略，赶上世界先进水平。     

湘潭新大粉末冶金设备制造有限公司的一体化真空烧结炉

简要介绍了湘潭新大粉末冶金设备制造有限公司研制的一体化真空烧结炉的炉子结构、脱蜡系统、工艺气体的引入系统、设备的控制系统以及炉子性能的鉴定结果。     

高速线材轧制用硬质合金轧辊的质量控制

通过对高速线材轧制用硬质合金轧辊 (轧槽 )失效机理的分析 ,提出了高速线材轧制用硬质合金轧辊质量控制的基本方法 ,认为轧辊质量控制的关键在于轧辊材料设计、生产工艺过程控制、轧制过程、轧机工况、轧辊储运装卸以及轧制环境因素的控制 ,并建议尽早制订相关的材料和产品质量标准。     

我国硬质合金工业发展现状与资源保护

分析了我国硬质合金工业的发展现状,论述了战略资源保护的重要性,提出了增强我国硬质合金企业核心竞争力的方法及途径。     

只读式超分辨光盘的膜层设计和分析

超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法。Ge Sb Te是一种良好的相变光存储材料 ,在超分辨光盘中可作为掩膜。利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2 Sb2 Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系 ,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配。采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘 ,测量了光盘的光学性质。     

Bulk growth of Hg0.8Cd0.2Te single crystals by a combined CVT-seeding technique

The growth of high quality Hg_0.8Cd_0.2Te bulk single crystals by CVT, combined with an in-situ seeding technique, is reported here for the first time. For this purpose, a temperature difference of 590° → 540° C with a gradient of 40°-50° C/cm at the solid-vapor interface, and about 0.1 atm of HgI₂ as a transport agent, were employed. The bulk crystals have the expected stoichiometry and compositional homogeneity. Etch pit densities of 10⁴-10⁵ cm⁻² on the (111) face and hitherto unreported etch pits on the (100) face were observed in this work. Possible origins of the sub-grain structure are discussed.     

硬质合金与铁基复合材料热等静压扩散连接

以烧结结态硬质合金和粉末态铁基复合材料为连接对象，研究了两种材料的热等静压扩攻连接工艺，获得了直接连接接头和加镍作中间过渡层的间接连接接头，考察了接头的结合界面形貌，界面的元素扩散和界面结合强度。     

简述近期我国硬质合金工业发展趋势

介绍了2005年我国硬质合金行业基本情况,分析了近期行业发展趋势。     

Ohmic contact and transport properties of II–VI Green/Blue laser diodes

The employment of the Zn(Se,Te) pseudo-graded contacting scheme to p-type ZnSe-based alloys contributes directly to the recent demonstration of room temperature continuous-wave operation of II– VI green-blue laser diodes. Contact ohmicity is maintained down to cryogenic temperatures which enabled the investigation of electrical transport properties associated with the p-type nitrogen-doped ZnSe, Zn(S,Se), and (Zn,Mg)(S,Se). The observation of both persistent photoconductivity and a metastable population of holes which are in thermodynamic equilibrium with hydrogenic acceptors having reduced activation energy suggests the presence of a DX-like behavior for holes in p-type (Zn,Mg)(S,Se).