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941.
The liquid-phase epitaxial growth of Pb1−xSnx Te on PbTe (100) substrates has been investigated over a range of growth temperatures from 600-400°C, and has been found
to produce material with good uniformity and reproducibility of carrier concen-tration and alloy composition. The assessment
of the epitaxial layers by such techniques as x-ray diffraction, dislocation etching and thermo-electric power measurements
is described. Various features of the epitaxial layers such as interface irregularity, dislocation and diffusion effects are
discussed, and likely mechanisms for their existence are proposed. The hole concentrations of the epitaxial layers, obtained
by thermoelectric power measurements, are shown to have a similar dependence on preparation temperature as for bulk annealed
material, suggesting that native defects are the dominant source of carriers above~ 2×10* cm-3.
The online version of the original article can be found at 相似文献
942.
943.
944.
945.
硬质合金小转子的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
本文阐述了硬质合金小转子的研制过程 ,并就挤压模设计进行了探讨。实验结果表明 ,增塑粉末挤压是生产小口径硬质合金管材的有效途径。 相似文献
946.
硬质合金表面刷镀技术及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
肖心竹 《稀有金属与硬质合金》1997,(2):52-55
介绍了金属刷镀技术及其在YG牌号硬质合金工件表面的应用.对影响刷镀工艺的主要因素进行了研究,并提出了有关工艺参数的计算方法. 相似文献
947.
M. K. Ashby N. T. Gordon C. T. Elliott C. L. Jones C. D. Maxey L. Hipwood R. Catchpole 《Journal of Electronic Materials》2003,32(7):667-671
A novel detector structure in which photons are absorbed in narrow-gap material, but the junction lies in wider bandgap material,
has been examined. A possible reduction in bulk 1/f noise by a factor of 33 for a 240 K operation was predicted, based on
studies that have suggested that the source of 1/f noise is the p-n junction and the large reduction in 1/f noise, which is
observed in conventional detectors when the bandgap is increased. The increased bandgap at the junction produces a potential
barrier; however, calculations are presented showing that for T > 150 K the thermal energy of the electrons enables them to
cross the barrier and reach the p-n junction before recombining in the active region, thus giving high quantum efficiency.
Experiments performed on the diodes showed that the quantum efficiency was maintained as expected, but the 1/f noise was not
reduced, suggesting that it does not originate at the p-n junction. However, the structure does give excellent reverse-bias
characteristics with low breakdown even at 2-V reverse bias. 相似文献
948.
袁光国 《水电自动化与大坝监测》1999,(1)
冶勒水电站土石坝坝址覆盖层基础内有一种粉质粘土,其物理性质与力学性质的关系相差甚远,用几种方法的测试结果进行微观分析,以释疑。 相似文献
949.
等离子体刻蚀处理对金刚石膜粘附性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用直流等离子体射流CVD法在YG8质合金基体上成功地合成了多晶金刚薄膜。通常基体表面经金刚石磨盘研磨、稀硝酸化学侵蚀脱钴预处理后,沉积的金刚石薄膜的的粘附性能仍不理想。本文首次采用原位的Ar-H2等离子体射流对基体表面进行适当的轰击、刻蚀处理,显著粗化了基体表面,并使基体表面显微组织和化学成分发生重大变化,并且在合适的沉积工艺条件下,沉积的金刚石膜的粘附性能显著提高。借助XRD、SEEM、TEM 相似文献
950.