InGaAs／AlGaAs 941 nm高功率半导体激光二极管阵列

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs／GaAs／AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm，光谱的半高全宽(FWHM)为3．3nm，在400μs、50Hz的输入电流下，输出峰值功率达到67．9W，斜率效率高达0．85W／A(64％)。     

锆酸铅薄膜的生长特性与表面化学态

以醋酸铅和异丙醇锆为原料，乙二醇甲醚为溶剂。通过溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Pt(111)／Ti／SiO2／Si(100)基片成功地制备出不开裂的钙钛矿PbZrO3薄膜。用XRD和原子力显微镜测量了薄膜随退火温度变化的结构和表面形貌特征，用XPS测试了650℃退火PbZrO3薄膜的表面化学态。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

纳米二氧化铈化学共沉淀法制备及结构表征

采用化学共沉淀法制备了稀土氧化物CeO2纳米粉末材料,并用XRD、SEM和TEM对其结构特性进行了表征。分析结果表明,化学共沉淀法制备的CeO2纳米粉末颗粒细小均匀,形状完整,CeO2粉末粒子尺寸在20 nm左右。粉末的电子衍射分析发现,CeO2纳米粉末具有完整的晶格。     

半导体元件清洗技术浅谈

随着社会的进步和科学技术的迅猛发展,对洗净技术的要求也越来越高。清洗方式多种多样,但最主要的是突出在喷射清洗和超声波清洗两大方面,应用于全国各行各业,并且也得到了明显进步。     

高密度互连印制板

本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连印制板的工序和详细方法,意在探寻最为经济、简单而又行 之有效的工艺。     

Growth of InGaN HBTs by MOCVD

The design and growth of GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors (HBTs) by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are studied. Atomic-force microscopy (AFM) images of p⁺InGaN base layers (∼100 nm) deposited under various growth conditions indicate that the optimal growth temperature is limited to the range between 810 and 830°C due to a trade-off between surface roughness and indium incorporation. At these temperatures, the growth pressure must be kept above 300 Torr in order to keep surface pit density under control. An InGaN graded-composition emitter is adopted in order to reduce the number of V-shaped defects, which appear at the interface between GaN emitter and InGaN base and render an abrupt emitter-base heterojunction nearly impossible. However, the device performance is severely limited by the high p-type base contact resistance due to surface etching damage, which resulted from the emitter mesa etch.     

碳纳米管的大面积合成及磁性(英文)

通过溶胶凝胶法和氢气还原法制备出Co纳米颗粒并以此作为催化剂材料,通过催化裂解苯的方法,实现了较低温度(460℃)下在Co纳米颗粒表面上合成碳纳米管。采用X射线衍射、激光喇曼光谱、场发射扫描电镜、透射电子显微镜和振动样品磁强计对所合成的碳纳米材料进行了表征。通过优化实验参数,可制备出最大产率和纯度分别为约50和98.02%(质量分数)的碳纳米管。由于铁磁性Co纳米颗粒的进入,使得整个复合物表现出比较好的磁性能。和以往以苯作为碳源合成碳纳米材料相比,此合成方案简单、成本低,且对环境无任何危害,非常适用于磁性碳纳米复合物的批量合成。     

蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低

采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻挡,窗口区内二次生长的GaN的位错也大幅降低;在相邻生长前沿所形成的合并界面处形成晶界;化学湿法腐蚀无法得到关于合并界面处缺陷的信息.侧翼区域中极低的穿透位错使得ELOG GaN适用于在其上制作高性能的氮化物基激光器.     

DF/HF化学激光器高振动态基频谱线机理分析

在采用冷泵浦反应体系的DF/HF化学激光器中多次观察到了DF分子4-3振动能级跃迁的谱线以及HF分子3-2振动能级跃迁的谱线.给出了几幅典型的光谱图,并理论计算了高振动态基频谱线的增益曲线.实验和理论分析显示,上述高振动态基频谱线并非直接产生于冷泵浦反应,F原子复合和热泵浦反应起到了重要作用.最后讨论了热泵浦反应和链泵浦反应对采用冷泵浦反应DF/HF激光器输出光谱、增益及增益区长度的影响.