纽柯公司2002年的运作及未来发展

介绍纽柯公司2002年的运作情况和做的几件大事：1)扩张与兼并；2)新工艺的采用；3)和外部的合作等。     

一种工艺过程流体强化装置

介绍了一种提高工艺过程效率的强化装置,即通过在过程设备上设置振荡装置,使过程设备内的流体产生扰动,破坏流动边界层,使流体获得附加雷诺数提高流动的湍流程度,达到强化过程设备内工艺过程的目的。该强化装置的调节弹性大,适应范围宽。调节强化装置中转子的转速、几何尺寸、空间位置和方向等参数或更换挡板形式,就能适应各种工艺过程条件。该装置可用于传热、传质及化学反应等多种过程,以提高过程效率,节约能源和资金,减小设备体积,并可将机械搅拌类的间歇过程转化为连续过程。     

铝型材推弯工艺

通过铝型材圆环的推弯实验,研究了推弯工艺原理、变形过程,结合有限元模拟得到了和实验结果相吻合的型材厚度分布、成形零件卸载回弹后的曲率半径及型材截面畸变.结果表明:推弯零件曲率及截面畸变一致性高,成形模具结构简单且便于调整,数值模拟可以用于推弯工艺的优化分析.     

电子直线加速器中计入纵向与横向耦合效应的束流包络线方程组

一、引言从束流动力学的观点出发,对于粒子束在直线加速器中的运动,有两种主要的分析方法,也即粒子轨迹跟踪法及考察束流包络运动的方法。前者是通过解单粒子运动方程,跟踪大量的单粒子运动轨迹而后进行分析;后者则是通过解束流的包络线方程,根据束流包络的变化来进     

32位实时操作系统FCCRTOS的设计与实现

介绍了自行设计的，不依赖其他软件支持而存在，可直接运行在Ｉｎｔｅｌ８０３７６、８０３８６、８０４８６和８０５８６处理器的计算机上，便于移植的一个完全独立的实时操作系统—ＦＣＣＲＴＯＳ。其特点为：３２位寻址、内存保护模式的段式管理、多任务并发处理、实时事件线程管理、支持多总线通信协议、模块化设计及目标程序完全ＲＯＭ化等。     

球化退火态钢脱碳层深度的金相法测定

论述了国内外金相测定球化退火钢脱碳层深度的标准方法和常用方法存在的不准确性和不适用性问题,提出了解决问题的途径——定量金相法。     

热浸镀铝护栏的生产工艺研究

热浸镀铝护栏的生产通过除油→除锈→烘干→热浸镀→精整等过程完成，最佳热浸镀温度为７３０～７５０℃，保温时间３～８ｍｉｎ，护栏提升速度１ｍ／ｓ     

扩展有限递归进程模型

主要讨论离散事件动态系统的建模问题。由ＫＩｎａｎ和ＰＶａｒａｉｙａ提出的有限递归进程（ＦＲＰ）是描述并发离散事件动态系统的有力工具，但在其ＦＲＰ中，没有定义对数据变量的操作和条件转移算子。本文扩展ＦＲＰ包括这两方面内容。最后举例说明扩展ＦＲＰ的描述能力。     

A theory for the formation of tetrahedral amorphous carbon including deposition rate effects

A theoretical model is presented to describe the effect of ion beam bombardment rate on the formation of tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films. The critical ion energy, E_c, corresponding to a 50% sp³ content in the films, is found to be dependent on both the effective thermal resistance and the ion beam bombardment rate. In the model, the ‘window’ width in the ion energy scale for the formation of ta-C material increases with decreasing deposition rate and with a reduction in the effective thermal resistance, until limited by lower and upper boundary thresholds. Experimental data are reproduced by the model. The plasmon energy, which correlates with sp³ fraction, is found experimentally of be higher for lower deposition rate and smaller effective thermal resistance. Data points for high sp³ content ta-C films deposited on silicon substrates at room temperature occupy a region in the ion energy-deposition rate (E-r) diagram similar to that predicated from the theory.     

Growth structure investigation of MgF2 and NdF3 films grown by molecular beam deposition on CaF2(111) substrates

The growth structure of MgF₂ and NdF₃ films grown on polished CaF₂(111) substrates deposited by molecular beam deposition has been investigated using transmission electron microscopy (TEM) of microfractographical and surface replications as well as cross-sectional TEM, atomic force microscopy, packing density, and absorption measurements. It has been shown that by taking advantage of ultrahigh vacuum environments and a special stratification property of MgF₂ and NdF₃ films, the preparation of nanocrystalline films of high packing density and low optical absorption is possible at a substrate temperature of 425 K.