Cylindrical gate all around Schottky barrier MOSFET with insulated shallow extensions at source/drain for removal of ambipolarity: a novel approach

In this paper TCAD-based simulation of a novel insulated shallow extension (ISE) cylindrical gate all around (CGAA) Schottky barrier (SB) MOSFET has been reported,to eliminate the suicidal ambipolar behavior (bias-dependent OFF state leakage current) of conventional SB-CGAA MOSFET by blocking the metal-induced gap states as well as unwanted charge sharing between source/channel and drain/channel regions.This novel structure offers low barrier height at the source and offers high ON-state current.The ION/IoFF of ISE-CGAA-SB-MOS-FET increases by 1177 times and offers steeper subthreshold slope (～60 mV/decade).However a little reduction in peak cut off frequency is observed and to further improve the cut-off frequency dual metal gate architecture has been employed and a comparative assessment of single metal gate,dual metal gate,single metal gate with ISE,and dual metal gate with ISE has been presented.The improved performance of Schottky barrier CGAA MOSFET by the incorporation of ISE makes it an attractive candidate for CMOS digital circuit design.The numerical simulation is performed using the ATLAS-3D device simulator.     

光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

IEEE 802.11g性能分析及应用

全面介绍IEEE802.11g标准的无线局域网,详细讲述IEEE802.11g草案标准的概念、产生背景、特点、构件及其体系结构和发展前景,探讨实现IEEE802.11gWLAN所需的关键技术及其双频多模应用方式,同时分析IEEE802.11g标准的网络性能。     

IPv4向IPv6过渡策略研究

为解决IPv4的设计缺陷,国际互联网工程任务组(IETF)开发了新一代Internet协议IPv6,但由于IPv4与IPv6之间存在着很大的差异,同时存在众多基于IPv4协议的网络及应用,因此,要用新的IPv6代替旧的IPv4只能采用逐步演进的办法,文章就现存的过渡策略做了研究和分析.     

加速自校正直流漂移的可编程增益放大器

设计了一种应用于移动数字多媒体广播系统终端的可编程增益放大器.该可编程增益放大器采用源极反馈电阻可变的差分放大器结构,且带有直流漂移校正电路.分析了校正直流漂移时间的决定因素,通过采用双带宽切换的方法加速校正过程.分析了引发输出直流漂移发生变化的因素,设计了增益控制信号触发的双带宽控制信号发生电路.可编程增益放大器采用TSMC 0.25μm CMOS工艺.仿真结果表明,放大器的动态范围为30~84db,2db步进,对输入直流漂移的校正效果为-21.45db,加速后的直流漂移校正时间约15μs.     

GaAs MMIC MESFET混频器性能比较

给出了几种 Ga As MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明 ,在相同本振功率激励下 Ga As MMIC双栅混频器具有良好变频特性 ,栅混频器指标次之 ,漏混频器结构最简单 ,但变频特性不如前两种。另外 ,单片巴仑双平衡混频器具有高的动态范围和宽频段工作特点。     

双馈风力发电机功率解耦控制的研究

介绍双馈风力发电机的基本原理,利用矢量控制并结合定子磁场定向的矢量控制,建立基于Matlab的双闭环控制系统仿真模型。为了更为准确地实现定子磁场定向并考虑到定子绕组电阻对磁场定向的影响,采用改进型的定予磁链观测模型。通过仿真验证了采用改进型定子磁场定向的双馈风力发电控制系统,实现了有功功率和无功功率解耦。     

环F4+uF4上线性码及其对偶码的Gray象

研究了环F4+uF4与域F4上的线性码,利用环F4+uF4上码C的Gray重量wG,Gray距离d G和(F4+uF4)n到F4 2n的Gray映射φ,证明了环F4+uF4上线性码C及其对偶码的Gray像φ(C)为F4上的线性码和对偶且dH G(φ(C))dG(C)。同时,给出了F4+uF4上循环码C的Gray像φ(C)为F4上的2-拟循环码。     

1～12GHz单通道单脉冲跟踪天线

介绍了以六单元圆形阵列天线作为照射器的超宽频带双圆极化单脉冲抛物面天线的工作机理,并给出了通过数字移相器和耦合器将宽频带的和差两个通道变成单通道的途径.成功研制了一套超宽频带单通道单脉冲天线系统,天线系统由大、小两个抛物面天线组成,小天线置于大天线的边缘.进行了试验研究,给出了和差方向图的测试结果.该天线系统具有同时左右旋圆极化、十二倍频程自跟踪、单通道、馈源体积小等特点.     

一种基于电话网络的家居智能报警系统

介绍了基于网络的家居智能监控系统的软、硬件设计方法。该系统可实现家居的火灾报警、非法入侵检测和报警等,还预留了其它报警接口。报警信号通过有线网络到小区监控中心,并通过电话网络向主人报警,也预留110报警功能。系统由单片机作为主控制器。给出系统的基本原理、组成框图和软件流程．详细描述了电话网络的接入方法和语音功能的实现。设计了系统的硬件电路,并实现了相应的软件编程。