各向异性导电胶膜新型填充粒子的研究

用分散聚合法合成了直径为3μm左右的聚苯乙烯核,在核表面化学镀形成带小突起的镍合金导电层,制成ACF新型填充粒子,对聚合物核做了粒径分布、比表面积测试,对核以及导电微球做了环境扫描电镜(ESEM)测试。结果表明:制备的导电微球密度小,呈单分散,镀层结构致密,镀层表面形成了近球形、锥形及其它不定形突起。这些突起可以刺穿电极的氧化膜。实践证明通过控制工艺参数实现控制镀层结构是一条可行方法。     

La0.5Sr0.5CoO3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。     

激光驻波场中铬原子的三维沉积特性分析

利用近共振激光驻波场操纵中性原子实现纳米级条纹沉积是一种新型的研制纳米结构长度标准传递方法,但仅通过一维和二维形式的仿真不能给出激光驻波场作用下中性原子沉积纳米光栅的全部信息。利用半经典模型,从铬原子在高斯激光驻波场中的运动方程出发,通过四阶Rungo-Kutta法模拟了铬原子在高斯激光驻波场中的三维运动轨迹以及三维沉积条纹结构,并分析了原子束发散、色差和球差等因素对三维运动轨迹及沉积条纹结构的影响。结果表明,利用三维仿真形式模拟高斯激光驻波场中铬原子的运动得到的结果与一维和二维形式下相比可以直观地表现出其较为详细的本质。     

1.06μm大功率连续半导体激光器

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系,获得了最高达到57.5%的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试,结果显示研制出的单管激光器室温下在1.5A工作电流下寿命远大于104h。     

High power λ～8.5 μm quantum cascade laser grown by MOCVD operating continuous-wave up to 408 K

Robust quantum cascade laser(QCL)enduring high temperature continuous-wave(CW)operation is of critical import-ance for some applications.We report on the realization of lattice-matched InGaAs/lnAIAs/InP QCL materials grown by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD).High interface quality structures designed for light emission at 8.5μmare achieved by optimizing and precise controlling of growth conditions.A CW output power of 1.04 W at 288 K was obtained from a 4 mm-long and 10 μm-wide coated laser.Corresponding maximum wall-plug efficiency and threshold current density were 7.1％and 1.18 kA/cm2,respectively.The device can operate in CW mode up to 408 K with an output power of 160 mW.     

VLSI用低介电常数含氟碳膜研究

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜。测量了薄膜的厚度和介电常数,并用傅立叶红外光谱分析了薄膜化学结构,发现薄膜成分和介电性与沉积工艺密切相关,对薄膜的SEM分析表明所得薄膜均匀致密。控制适当的工艺条件,可沉积理想的超大规模集成电路(VLSI)用钝化膜。     

高功率CO2激光薄膜的离子辅助镀工艺进展

真空蒸发镀膜技术已经应用了很多年，随着激光技术的发展，人们对激光薄膜尤其是高功率激光薄膜的质量要求越来越高，离子辅助沉积薄膜技术已被广泛用来作为一种改善光学薄膜特性的工艺手段。本文简单地介绍了这项技术的原理及国内外研究现状；总结了该技术的优、缺点；客观评价了该技术的应用前景；对该技术今后的研究方向提出了建议。     

射流推力矢量喷管粒子沉积特性数值模拟

运用粒子轨道模型对基于激波控制的三维轴对称收缩扩张喷管中的气固两相流动进行了数值模拟,研究了1～100μm不同直径粒子的沉积特性。计算结果表明:主流中粒子的沉积部位主要集中在喷管的收敛段和喉部附近,粒子直径越大,沉积区域越大,大沉积率越高;二次流中的大尺寸粒子会对扩张段壁面造成烧蚀。射流推力矢量喷管的热防护设计应充分考虑到二次流中粒子对壁面的烧蚀。     

氮氧化硅薄膜红外吸收特性的研究

利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮氧化硅(SiOxNy)薄膜,通过X射线光电子能谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪等表征技术,研究不同N2O与NH3流量比R条件下薄膜的组分、光学常数及红外吸收特性.研究结果表明:随着流量比R的增加,SiOxNy薄膜中O的相对百分含量提高,N含量降低,而Si含量基本不变;薄膜由于Si-...     

Epitaxial growth of nonpolar GaN films on r-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition

Single-crystalline nonpolar GaN epitaxial films have been successfully grown on r-plane sapphire (Al₂O₃) substrates by pulsed laser deposition (PLD) with an in-plane epitaxial relationship of GaN[1-100]//Al₂O₃[11-20]. The properties of the ~500 nm-thick nonpolar GaN epitaxial films grown at temperatures ranging from 450 to 880 °C are studied in detail. It is revealed that the surface morphology, the crystalline quality, and the interfacial property of as-grown ~500 nm-thick nonpolar GaN epitaxial films are firstly improved and then decreased with the growth temperature changing from 450 to 880 °C. It shows an optimized result at the growth temperature of 850 °C, and the ~500 nm-thick nonpolar GaN epitaxial films grown at 850 °C show very smooth surface with a root-mean-square surface roughness of 5.5 nm and the best crystalline quality with the full-width at half-maximum values of X-ray rocking curves for GaN(11-20) and GaN(10-11) of 0.8° and 0.9°, respectively. Additionally, there is a 1.7 nm-thick interfacial layer existing between GaN epitaxial films and r-plane sapphire substrates. This work offers an effective approach for achieving single-crystalline nonpolar GaN epitaxial films for the fabrication of nonpolar GaN-based devices.