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991.
992.
全光纤VISAR系统具有大的测速范围,其测速的动态范围和条纹常数有关。从干涉光路的实现原理出发,推导出速度与条纹常数的关系式,并分析了FVISAR系统不同速度分档下的条纹常数确定。在保证1.5%精度及假设光源相干长度为1 mm的前提下,给出了具体的速度分档情况。 相似文献
993.
994.
The doping dependence of the velocity-field characteristic in InGaAs has been investigated by an analysis of measurements
with transferred-electron devices. The electron peak velocity has been determined directly as a function of electron concentration
and low-field mobility. The carrier-concentration dependence of the velocity-field characteristic has been deduced by comparing
experimental and theoretical transient device behaviour. The experimental results support a theoretical approach for the velocity-field
characteristic which has been proposed recently. 相似文献
995.
该文从药柱装填密度、密度梯度等方面进行分析,讨论了黑索今压药方式对雷管起爆威力的影响,建议采用定压压药方式压制黑索今药柱. 相似文献
996.
A puzzling question in dynamic fracture has been why cracks in amorphous brittle materials always travel at velocities smaller than the Rayleigh wave speed. The answer is that the energy per length needed for the crack to propagate depends strongly on velocity. As the energy flux to the crack tip increases, the crack chooses new modes of dissipation such as micro-cracking and the creation of subsurface damage zones to dissipate this energy. In this paper we use a potential drop technique to measure length and velocity of a crack with high spatial precision and time resolution so as to investigate the modes of dissipation in Homalite-100 and make qualitative comparisons with PMMA. The technique is capable of resolving crack initiation, run, and arrest. Using this technique we search for a 'forbidden band' of velocities in PMMA, Homalite-100, and glass, and we show that no such velocity gap exists in these amorphous materials at room temperature. 相似文献
997.
998.
999.
建立了球形破片对避弹衣和人体侵彻的数学模型,并以此为基础提出了新的杀标准,用此新标准计算杀伤面积和进行球形靶实验比较简便,并与战场实际相符。 相似文献
1000.
High pressure oxidation of silicon was performed at an oxidation temperature range of 650 to 800°C for thin oxide films with about 300 å thickness. The index of refraction was dependent on an oxidation temperature but independent of the oxidation pressure as 1.475 at 750°C. The dielectric breakdown strength of the oxide film was measured by the voltage ramping,method. The fixed oxide charge about 1.0 × 1011 cm?2 was also measured from the high frequency C-V measurement. The pulse scanning C-V measurement technique was used to measure the minority carrier generation rate in the depleted surface. The surface generation velocity was slightly dependent on the oxidation temperature and indicated that the fast surface states increased with decreasing oxidation temperature. 相似文献