三元复合驱注入剖面测井初探

三元复合驱技术是在聚合物驱油技术基础上开展的进一步提高原油采收率的高科技手段，三元混合液在注入水中加入了一定量的聚合物，碱和表面活性剂，可以提高驱油效率，扩大波及体积，其注入液的主要特点是具有非牛顿性及强腐蚀性，据此设计了一套注入剖面测井仪，且仪器和电缆的选用须适应这两个特点，选用磁性定位器，井温仪，压力仪，电磁流量计多参数组合测井可以较好地解释三元复合驱注入剖面的测井问题，多参数组合测井综合解释可以提供更多，更好的资料和信息，现场试验证明了其仪器及技术方案的可行性，对今后将会出现的分层配注井也提出了测井方案。     

高纯硼烷中杂质的低温气相色谱分析

用低温色谱法解决硼烷的分解问题，使硼烷中氢的分析成为可能，该法又能消除硼烷和四硼烷（B4H10)对氧、氮和甲烷峰测定的干扰，此方法的建立使硼烷的标准制定成为可能。     

应用德国PAR88挤出机生产PVC异型材的工艺研究

从控制PVC异型材挤出机的工艺参数的角度，分析并论述了挤出机工艺参数对PVC异型材低温落锤性能的影响。     

聚苯乙烯生产工艺及其产品性能的改善

介绍了苯乙烯单体热引发本体聚合的特点及美国FINA石油化学公司聚苯乙烯生产工艺的特点，探讨了影响HIPS产品质量的多种因素，并对HIPS产品质量的改善提供提出建议和看法。     

Measurement of Thermal Diffusivity at Low Temperatures Using an Optical Reflectivity Technique

An experimental arrangement has been developed for measuring the transient temperature responses and the thermal diffusivities of foil materials in the range of 10 to 300K by using the optical reflectivity technique. The cryogenic system with optical windows is designed to provide temperatures from 10 to 300 K. The front surface of a foil specimen is heated by a pulsed Nd:YAG laser. In situ measurement of the reflectivity of a continuous-wave He–Ne laser at the rear surface is conducted on the microsecond time scale. Using the temperature dependence of reflectivity, the transient temperature response is deduced. The thermal diffusivity is obtained by fitting Parker's formulae to the experimental data on temperature rise. Stainless-steel foils are chosen as samples and are studied in the region from 10 to 300 K. The accuracy is examined by comparing the present results with the theoretical temperature responses and thermal diffusivity data from the literature. Good agreement is observed.     

吐丝圈径对大规格高碳盘条组织性能的影响

计算与分析了斯太尔摩冷线上盘条的吐丝圈径、搭接密度及"佳灵"装置横向布风曲线之间的关系,研究了吐丝圈径的大小对大规格82B盘条组织和性能的影响,确定了大规格82B盘条最小吐丝圈径应为980mm.     

钢筋混凝土圆形水池裂缝分析与处理

本文针对某钢筋混凝土圆形水池在使用过程中出现的裂缝进行计算和分析，讨论了温度对水池的影响，特别是考虑储水区与非储水区存在温差的条件对水池池壁裂缝的影响，并提出处理方案。     

测定钠中杂质的手动阻塞计的研究

文章介绍了测定钠中杂质浓度的手动阻塞计的原理、装置和实验结果。为了减少测量误差,我们研究了影响准确测定阻塞温度的因素,并且找到了减少测量误差的办法。在同样的杂质饱和温度下,该阻塞计测得的高、低阻塞温度所对应的杂质浓度差是很接近的。对氧其差值为1.03ppm;对氢为0.0763ppm。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

SO2转化温度异常情况分析

结合凤山实业总公司硫酸车间 SO2 转化系统的具体工艺流程 ,分析近几年转化系统出现温度不正常的原因 ,提出解决方法