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61.
The MOVPE overgrowth of high [0 1¯ 1]-oriented ridges confined at sides by facets related to {n 1 1} crystallographic planes is reported. We studied the influence of the side tilt on the thickness of the AlGaAs and GaAs epitaxial layers grown under the condition of the kinetic growth mode. The multi quantum well (MQW) structures were prepared on the sides of ridges tilted at 54.7°, 45° and 30° to (1 0 0). The sidewall surface morphologies before and after epitaxial growth were evaluated and compared. We observed no tendency towards planarization towards a neighbouring high-index crystallographic plane, such as (2 1 1) and (3 1 1). We also showed that the quantum wells of the MQW structure make a smooth transition over the edge between the top surface and the facet as both AlGaAs and GaAs grew at similar rates on the surfaces. 相似文献
62.
63.
量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础。为了提供足够的载流子跃迁,阱层一般为重掺杂层。重掺杂使半导体材料禁带宽度变窄,从而改变量子阱中能级的位置。通过对不同温度、量子阱区不同掺杂浓度条件下的量子阱材料PL 谱进行测量,得出PL 谱峰值波长对应的电子跃迁峰值能量,它与阱中基态能级的位置有关。分别计算了考虑和不考虑禁带变窄效应时的电子跃迁峰值能量,并与实验结果相比较,可以看出考虑禁带变窄效应时与实验结果相吻合,因此掺杂量子阱区能级的计算需要考虑禁带变窄效应,这样可以较为精确的得出阱中能级的位置。 相似文献
64.
给出一个新的量子阱激光器等效电路模型,由量子阱激光器单模速率方程推导得到并在电路模拟程序SPICE中完成。该模型考虑了热辐射效应和分离限制区域(SCH)内的载流子工作情况,给出了新的光增益表达式。并利用该模型对单量子阱激光器的小信号特性和瞬态大信号特性进行了预测,模拟结果表明和速率方程的直接求解结果吻合很好。 相似文献
65.
假设量子阱是类W-势阱,应变效应表现为势阱底部出现了类抛物线鼓包。在量子力学框架下,讨论了应变效应对输出波长的影响。结果表明,在应变作用下,量子阱出现了能级分裂,正是这种分裂为高性能量子阱光学器件的研制提供了更大的设计空间,为量子阱激光器件输出波长的调节提供了理论基础。 相似文献
66.
对用原子层外延方法,在[001]晶向GaAs衬底上生长的[(Cdse)m(Znse)n]p-ZnSe应变量子阱结构,在10~300K温度范围内测量了喇曼散射光谱,观察到两种类ZnSeLO声子限制模.利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射,观察到高达7阶的类ZnSeLO声子模.并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别. 相似文献
67.
68.
69.
为解决超精密光学仪器要求兼顾超低固有频率和超低振动速度的问题,提出了一种基于复合摆-倒摆串联的超低频气浮隔振方法。利用单摆和倒摆的水平刚度作用相反、相互抵消的特性,将二者串联,研制了能够与气浮隔振系统组合使用的复合摆-倒摆串联水平隔振装置,并对其进行了建模、仿真和实验分析。实验结果表明:采用本文提出的隔振方法,气浮隔振... 相似文献
70.
本文针对垂直分模平锻机前滚轮和凸轮在工作中经常损坏的问题,分析了影响其寿命的因素,并结合本厂的实践,提出了提高前滚轮和凸轮寿命的措施。 相似文献