顶封封隔管柱的研制与应用

中原油田近年来注水压力不断升高，井况恶化严重，为此开发了顶封封隔管柱，主要阐述了管柱工况受力特点、结构、工作原理及现场使用效果。经现场较大面积的应用证明，各项性能、技术指标达到了现场要求。     

网络安全隔离技术浅析

介绍建设行政主管部门信息网络安全现状及其解决方案     

巨型结构的抗震分析

采用ANSYS有限元程序对巨型框架结构、巨型框架隔震结构进行了抗震动力时程分析,讨论了两种结构在多条地震波作用下的动力位移及内力等地震响应,其计算结果对于确保巨型框架结构的抗震安全性具有较大的意义,对巨型框架结构的抗震设计有较大的参考价值。     

提高塑封双列直插式光耦合器绝缘耐压的设计和工艺要点

介绍了研制出其性能达国际先进公司同类产品水平的塑封双列直插式光耦合器的工作原理和提高绝缘耐压的技术难点，从引线框架设计、加工精度控制、内包封材料选型、理想内包封形状控制、塑封气密性的实现、环境条件的完善等方面讨论了提高绝缘耐压的设计和工艺要点。     

非线性隔振理论初探

本文以线必阻尼，立方刚度非线性系统为例，对非线性隔振理论进行了初步探讨，导出了系统的无量纲运动响应和传递率，并与线性隔振系统进行了比较，着重讨论了非线性对它们的影响，获得了一些有用的结论。     

智能材料电流变流体在运输包装中的应用研究

在深入分析缓冲运输包装基本理论基础上，并将研制的ERF阻尼器用于缓冲隔振支座的设计中，可实现有效的振动控制，使产品在运输过程中不会由于振劝冲击而损坏，经仿真模拟缓冲隔振效果明显。     

STI process steps for sub-quarter micron CMOS

This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated.     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

耀江大厦顶层屋面热泵的振动治理

本文通过耀江大厦27层屋面上六台热泵振动治理前后的振动和噪声测试数据的对比，简要阐述了安装在屋面上热泵的振动影响的程度和范围、产生振动影响和固体噪声传递的原因，并介绍了热泵双层隔振的方法和隔振效果。