低压组合床重整装置腐蚀调查

重整装置腐蚀类型有高温H2腐蚀、高温H2-H2S腐蚀、有机酸腐蚀、H2S-HCl-H2O腐蚀,针对不同类型的腐蚀,应采取相应的防腐蚀措施。     

Schiff碱-双（呋喃甲醛）缩联苯胺的合成与光谱研究

Schiff碱在材料、催化剂和分析化学方面等的研究都有了很大进展,也越来越受到重视。文章以呋喃甲醛和联苯胺为起始原料,在无水甲醇的溶剂中合成了一种新的Schiff碱,收率为85.0%。反应的最佳条件是呋喃甲醛与联苯胺的比例为3∶1,反应时间为1h,反应温度为30℃。这种新的Schiff碱结构且通过了IR和UV光谱测定。     

短程硝化反硝化生物脱氮技术的探讨

短程硝化反硝化技术是将硝化反应控制在亚硝酸盐阶段,不进行亚硝酸盐至硝酸盐的转化,直接进行反硝化反应。文章阐述了短程硝化反硝化的形成机理,理论研究进展,系统介绍了短程硝化反硝化影响因素与控制分析,并探讨了短程硝化反硝化生物脱氮技术需深入研究的要点     

酸度对P204-HCl-H3AOH体系萃取La(Ⅲ)的机理影响

在pH >1、0204-煤油体系以及P₂₀₄-HCl-H₃AOH 体系负载La有机相进行红外光谱测试,研究了酸度对P₂₀₄-HCl-H₃AOH 体系萃取La(Ⅲ)的机理影响。研究结果表明,当pH>1时,萃取过程的实质是La离子与P-OH 置换,遵循阳离子交换机制;0相似文献   

海水卤水提锂高效吸附剂的合成及应用研究

高效吸附剂的研究和开发是高镁锂比海水卤水中锂分离提取的关键,当前最具工业应用前景的吸附剂为锂锰氧化物离子筛。本研究探讨了各合成条件对锂锰氧化物离子筛吸附剂的结构及吸附性能的影响,合成出了适用于不同镁锂比及锂浓度海水卤水的高容量吸附剂,吸附容量最高可达41.02 mg/g,锰溶损率为3.06%;此外,还开展了锂吸附分离的动态模拟试验,为所合成吸附剂用于海水卤水提锂的应用研究奠定基础。     

ZnO单晶的KOH碱液法生长和表征

采用自发成核方法,以KOH碱液作助熔剂,在银、镍和铁坩埚中分别生长了透明、棕绿色和棕色的纤维锌矿氧化锌单晶。X射线衍射和电感耦合等离子体原子发射光谱分析表明:晶体的颜色与所含的杂质有关,这些杂质来源于所使用的坩埚。采用光致发光(photoluminescence,PL)光谱对所生长的晶体进行了表征,结果显示,从银坩埚中生长的氧化锌晶体质量较高,其室温下用325nm波长光激发的PL光谱显示381nm强的紫外发射峰。在此基础上,从200mL银坩埚中生长出了尺寸为φ3mm×34mm氧化锌晶体。     

载银/铜NaA分子筛的制备及抗菌性能研究

探讨了液相离子交换法制备载银/铜NaA分子筛抗菌剂的实验条件,并对载银/铜NaA分子筛样品中载银、铜的含量,抗变色性能及对大肠杆菌、金黄葡萄球菌的抗菌性进行检测。结果表明,与单独载银的NaA分子筛相比,载银/铜NaA分子筛中银和铜含量分别达到5.5%和1.6%,色差更小,抗菌性显著提高。     

3-丙酰氨基-N,N-二丙酸甲酯基苯胺的合成研究

用无水三氯化铝作催化剂在较低温度下将3-氨基丙酰苯胺和丙烯酸甲酯转化为3-丙酰氨基-N,N-二丙酸甲酯基苯胺,其产品收率达到89%,纯度高于92%。     

四方相BaTiO3薄膜的自组装制备与表征

以(NH₄)₂TiF₆、 Ba(NO₃)₂ 和H₃BO₃为主要原料, 采用自组装单层膜(SAMs)技术, 以三氯十八烷基硅烷(octadecyl-trichloro-silane, OTS)为模版, 在玻璃基片上制备了四方相钛酸钡晶态薄膜. 改性基板的亲水性测定与原子力显微镜（AFM）测试表明, 紫外光照射使基板由疏水转变为亲水, 能够对OTS-SAM起到修饰作用. 金相显微镜观察结果显示,OTS单分子膜指导沉积的薄膜样品表面均匀, 表明OTSSAM对钛酸钡薄膜的沉积具有诱导作用; X射线衍射（XRD）与扫描电镜（SEM）表征显示, 空气中600℃下保温2h实现了薄膜由非晶态向四方相BaTiO₃晶态薄膜的转化过程, 制备的钛酸钡薄膜在基板表面呈纳米线状生长, 线长约在500～1000nm之间, 相互连接的晶粒大小约为100nm. 文章同时对自组装单层膜和钛酸钡薄膜的形成机理进行了探讨.     

Performances of carbon nanotube field effect transistors with altered channel length

The influence of channel length on the performances of carbon nanotube field effect transistors(CNT-FETs) has been studied.Buffered oxide etching was used to remove approximately a 60 nm layer from the original 100 nm silicon dioxide layer,to thin the dielectric layer of the back gate.Channel length of the CNT-FETs was changed along with the etching process.The dependence of drain-source current on gate voltage was measured to analyze the performance of the CNT-FETs,including the transconductance,carrier mo...