量子绝热近似条件与量子几何势

阐述了传统量子绝热定理,给出了传统的量子绝热近似条件.基于传统的量子绝热近似条件存在不足,采用微扰论思想,通过 绝热变换不变,给出并讨论了新的绝热理论以及新的绝热近似条件.最后对新的绝热条件中所包含量子几何势的几何性进行了较为深入的分析和讨论.     

双三电平交-直-交变频系统研究

双PWM变频调速系统采用交一直一交拓扑结构,通过可控整流,实现网侧电流接近正弦波,网侧功率因数近似为1,具有较快的动态响应,双向传输电能等诸多优点,实现了节能调速。针对NPC型三电平拓扑给出了一种参考电压分解的三电平SVPWM算法,简化为两电平SVPWM算法,比传统的三电平SVPWM算法易于实现,仿真验证7该算法的有效...     

基于潜在博弈的认知无线电频谱分配研究

为解决认知无线电网络中认知用户、授权用户共存情况下的频谱分配问题,提出了一种基于潜在博弈的认知无线电频谱分配模型,该模型以最小化系统总干扰水平为目标,认知用户采用避免机会浪费的改进型策略动态调整规则进行频谱选择,经过有限改进路径快速收敛到博弈的纳什均衡点。在30个认知用户和2个授权用户共存的场景下进行仿真实验,算法以较快的收敛速度实现了频谱分配的目标,证明了模型及算法的可行有效。     

低功耗CMOS限幅放大器设计

利用0.18μm CMOS工艺设计了应用于光接收机中的10Gb/s限幅放大器.此限幅放大器由输入缓冲,4级放大单元,一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路构成.输入动态范围为38dB(10mV～800mV),负载上的输出限幅在400mV,在3.3V电源电压下,功耗仅为99mW.整个芯片面积为0.8×1.3mm2.     

全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型

提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.     

新型浮动板调制器用触发器的设计与实现

浮动板调制器在现代雷达发射机中得到广泛应用。新型浮动板调制器用触发器在低电位中采用了固定触发宽度及宽度跟随技术，在高电位中应用了多重隔离方法，解决了高电位定宽、高重复频率输出等关键技术。在多部雷达发射机上应用表明，电路设计合理，可广泛用于地面和机载雷达设备。     

Accurate surface potential determination in Schottky diodes by use of correlated current and capacitance voltage measurements. Application to n–InP

Based on current voltage (I-V_g) and capacitance voltage (C-V_g) measurements, a reliable procedure is proposed to determine the effective surface potential V_d.V_g/ in Schottky diodes. In the framework of thermionic emission, our analysis includes both the effect of the series resistance and the ideality factor, even voltage dependent. This technique is applied to n-type indium phosphide (n-InP) Schottky diodes with and without an interfacial layer and allows us to provide an interpretation of the observed peak on the C-V_g measurements. The study clearly shows that the depletion width and the flat band barrier height deduced from C-V_g, which are important parameters directly related to the surface potential in the semiconductor, should be estimated within our approach to obtain more reliable information.     

高压大电流VDMOS研究

本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω。设计中,按照要求,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数。在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功地实现了把大约二万人元胞集成在一块芯片上。同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积。     

[N_2]_2二聚物激光介质研究

理论上通过从头算法 (abinitio)计算强相互作用的N2 分子二聚物可能存在的 6种点群构型的势能曲线 ,证明N2 分子二聚物以D2h 对称群构型存在 ,且存在电偶极允许的类准分子跃迁a1B2 g →a1B3u,并计算了a1B2 g →a1B3u 跃迁的荧光谱。估算了N2 分子二聚物 ( 3 3 6 2 1nm)的小信号增益系数。利用微波 ( 2 45GHz)激励高纯氮 ,实验观测了N2 分子二聚物的系列荧光谱带 ,并利用放大自发辐射 (ASE)法测量N2 分子二聚物 ( 3 3 6 2 1nm)的小信号增益系数 ,在误差范围内与理论估算基本一致。最后从理论上估算了N2 分子二聚物激光振荡的输出功率。     

变电站■接线中母线电压互感器缺省的设计及研究

在11/2主接线的变电站中,当母线保护不采用母线电压信号时,提出了不设母线电压互感器,可节省两套母线电压互感器及其避雷器。如果需要母线电压测量值,则可通过可编程控制器控制的切换开关来实现,取自于与母线相联的进出线或变压器的电压互感器二次回路。