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71.
Martins Silvia S.; Mazzotti Guido; Chilcoat Howard D. 《Canadian Metallurgical Quarterly》2006,14(3):275
Background: Despite increases in ecstasy (MDMA) use in the United States, little is known about characteristics linked with recent-onset ecstasy use, especially psychiatric symptoms and deviant behaviors. Aims: To test whether individuals with high levels of other drug use are more likely to be recent-onset ecstasy users; to test whether psychiatric symptoms in adults are associated with recent-onset ecstasy use; to explore the association between recent-onset ecstasy use and concomitant deviant behaviors in adolescents and adults. Methods: Data from the 2001 National Survey on Drug Use and Health. Findings: Recent-onset ecstasy use was significantly more likely to occur among adolescents and adults (18-34 years old) who engaged in deviant behaviors during the past year as compared with those who did not engage in deviant behaviors during the past year. Higher levels of deviancy indicated a higher likelihood of being a recent-onset ecstasy user, and associations were strongest with nonviolent deviant behaviors such as selling illegal drugs and stealing. Associations between deviant behaviors and recent-onset ecstasy use were similar in strength to associations between deviant behaviors and recent-onset cocaine and marijuana use, respectively. Adults who had past-year psychiatric symptoms (both depressive and panic symptoms) were twice as likely to be recent-onset ecstasy users as compared with those without past-year psychiatric symptoms. Greater levels of drug involvement increased the odds of being a recent-onset ecstasy user. Conclusion: Recent-onset ecstasy use seems to be associated with a range of other behavioral problems and may reflect one aspect of a larger problem behavior syndrome. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved) 相似文献
72.
文章介绍了3种宽带数字储频的基本结构,分析了宽带数字储频的一个重要指标——量化噪声,根据输出信号频谱的杂散电平比较了三种结构的优劣。 相似文献
73.
ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
74.
Feng Juanni Guo Xuefeng Xu Chunjie Zhang Zhongming 《中国稀土学报(英文版)》2006,24(1):120-120
As-east mierostruetures and their distribution of Mg-Zn-Y ternary alloy with high magnesium, low zinc and yttrium were examined using Nikon Epiphot optical microscopy (OM), RigakuD/max-3C X- ray diffraetion (XRD), and JEOL JSM-6700F scanning electron microscopy (SEM) equipped with an energydispersive X-ray spectroscopy (EDS). In the as-east mierostructures, Yttrium and zinc tend to segregate at grain boundaries, 相似文献
75.
76.
L. Gao P. Hrter Ch. Linsmeier J. Gstttner R. Emling D. Schmitt-Landsiedel 《Materials Science in Semiconductor Processing》2004,7(4-6):331
Deposition of Ag films by direct liquid injection-metal organic chemical vapor deposition (DLI-MOCVD) was chosen because this preparation method allows precise control of precursor flow and prevents early decomposition of the precursor as compared to the bubbler-delivery. Silver(I)-2,2-dimethyl-6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-3,5-octanedionato-triethylphosphine [Ag(fod)(PEt3)] as the precursor for Ag CVD was studied, which is liquid at 30 °C. Ag films were grown on different substrates of SiO2/Si and TiN/Si. Argon and nitrogen/hydrogen carrier gas was used in a cold wall reactor at a pressure of 50–500 Pa with deposition temperature ranging between 220 °C and 350 °C. Ag films deposited on a TiN/Si diffusion barrier layer have favorable properties over films deposited on SiO2/Si substrate. At lower temperature (220 °C), film growth is essentially reaction-limited on SiO2 substrate. Significant dependence of the surface morphology on the deposition conditions exists in our experiments. According to XPS analysis pure Ag films are deposited by DLI-MOCVD at 250 °C by using argon as carrier gas. 相似文献
77.
在焉耆盆地侏罗系三工河组和八道湾组均发现原油,目前关于侏罗系产层原油的油源问题存在不同的认识。对研究区原油的物理、化学性质进行系统的研究,认为侏罗系三工河组和八道湾组原油不仅在物理性质上有一定的差别,而且在地球化学组成及生物标记化合物上也有一定的差异,应具有不同的来源。侏罗系三工河组原油属于典型腐殖型干酪根成因,而侏罗系八道湾组原油除了具有腐殖型干酪根成因的某些特征外,还具有湖相泥岩生烃的特点。通过原油与各类源岩生物标志物进一步对比分析发现,侏罗系三工河组原油与西山窑、三工河组烃源岩及石炭系、三叠系烃源岩地球化学特征均存在明显差异,与侏罗系八道湾组烃源岩对比性较好。侏罗系八道湾组原油与八道湾组、三叠系源岩有一定相似性,因此认为八道湾组源岩为其主要源岩,三叠系源岩也有一定的贡献。目前勘探生产主要以八道湾组烃源岩为目标,下一步应加强对三叠系烃源岩贡献区带的勘探部署。 相似文献
78.
综合高速效应的凝析气藏流入动态 总被引:1,自引:0,他引:1
当井底压力低于露点压力时,凝析液在近井地带开始析出并不断聚集产生凝析油堵塞现象。因此,在制定凝析气井工作制度时,通常以控制生产压差为指导思想,往往忽略高速流动下凝析气液相变的非平衡特征。对于凝析气体系,当外界温压变化速度超过凝析气液的相平衡速度时,凝析气体系相变滞后,开始呈现非平衡特征,即凝析液的析出量随着压降速度的增加而减小。凝析气在向井筒流动的过程中,近井区高速流动使凝析气产生非平衡相变,凝析气在比较高的压降速度下流入井筒,使得凝析液来不及析出。在分析非平衡相变规律与近井地带凝析气渗流参数分布的基础上,评价凝析气液流动过程中的非平衡特征,给出了考虑非平衡相变的凝析液饱和度分布计算公式,并进行了产能预测结果对比。实例分析表明,可以通过适当放大生产压差,增加凝析气液相变非平衡特征,减小井筒附近的凝析液饱和度,提高气井产能与气藏开发效果。 相似文献
79.
SO4^2-/ZrO2固体超强酸的制备及其催化合成ETBE的研究 总被引:5,自引:2,他引:3
采用沉淀一浸渍法制备了负载型SO4^2-/ZrO2固体超强酸催化剂,运用IR、XRD等方法表征所制备催化剂的物化性质。结果表明,所制备的催化剂具有固体超强酸催化剂的特征,酸性与焙烧温度有关,适当提高焙烧温度有利于样品酸强度的提高,但焙烧温度过高会导致脱硫;浸渍液H2SO4浓度高有利于提高催化剂的硫含量,但是浓度过高,会在催化剂上形成硫酸盐,从而降低催化剂的比表面积和酸性。采用制备的催化剂气相催化乙醇与叔丁醇合成乙基叔丁基醚反应,乙基叔丁基醚的选择性为54.71%。 相似文献
80.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计 总被引:5,自引:2,他引:3
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A. 相似文献