国外离子束系统（IBS）发展概况

综述了国外离子束刻蚀和沉积系统的研究进展，指出了离子束系统在半导体技术研究，开发和生产中的重要性。     

用于高压电容器的SrTiO3基陶瓷

报道ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的制备方法和介电性质，给出了用此种陶瓷制成的高压电容器的试验结果，并对它位进行了讨论。     

离子注入对Cr12MoV钢表面组织结构和力学性能的影响

研究了Ｃｒ１２ＭｏＶ钢离子注入层的显微组织特征及其对表面性能的影响。结果表明，离子注入使Ｃｒ１２ＭｏＶ钢的表面硬度和耐磨性能得到显著改善，且存在着一个最佳的注入剂量，约为３×１０＾１＾７Ｎ＾＋／ｃｍ＾２左右。离了注入在Ｃｒ１２ＭｏＶ钢表面层中形成了大量细小弥散的第二相粒子，并使α－Ｆｅ晶格发生严重畸变，从而引起材料表面强化。     

GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。     

飞行时间二次离子质谱--强有力的表面、界面和薄膜分析手段

二次离子质谱（Secondary ion mass spectrometry，简称SIMS）是一种对表面灵敏的质谱技术，建立在表面各种类型带正、负电荷原子或分子发射的基础上。用飞行时间（Time of flight，简称TOF）仪器对这些二次离子进行质量分析，能确保并行质量登录、高质量范围、高流通率下的高分辨和精确质量测定这些优异性能。配合细聚焦扫描一次离子束，可在优于1nm的高深度分辨和优于50nm的横向分辨本领下，实现对表面优于单层ppm(百万分之一）量级的极高检测灵敏度。当今TOF－SIMS已发展为一种成熟且完善的表面分析技术。极高的灵敏度，再加上即使对大分子及不易挥发性分子都独具的敏感性，使它成为很多高技术领域不可缺少的分析手段，这些领域包括微电子学、化学和材料科学以至纳米技术和生命科学等。本文简述了TOF－SIMS的原理、仪器及其多方面的应用和展望。     

锂离子电池正极材料锂锰氧化物的固相合成研究进展

阐述了固相合成反应的原理，综述了锂锰氧化物的几种固相合成方法，并着重介绍了熔融渍法，多步加热法，机械化学法和微波化学法等在锂锰氧化物合成中的研究进展。     

硫脲树脂对Cu~(2+)吸附性能研究

考察了不同吸附时间、pH值和吸附温度下,聚对苯甲酰基硫脲树脂和聚酯基硫脲树脂对Cu2+的吸附性能影响;并对吸附动力学和热力学进行了研究。     

基于MATLAB仿真的无功补偿电容器投切控制研究

对目前常用的无功补偿电容器投切控制方案所存在的不足进行了详细的分析,给出了补偿电容器投切的优化控制方案,并在MATLAB电力仿真环境下进行了仿真试验。结果表明,所提出的优化方案达到较理想的效果。     

Ion implantation effect on atomic structure of deformed Si, Ir, W, Ni and Cu

It has been revealed, that in Ir subjected to severe plastic deformation, an ultrafine grained structure (UFG) is formed (the grain size of 20-30 nm). Practically no defects have been detected within the grains, while, in the case of Ar⁺ implantation, the subgrain structure with characteristic sizes of about 3-5 nm is formed; defects have been detected within subgrains.The subgrain structure was also revealed in UFG Ni and Cu after severe plastic deformation (SPD) (subgrain size of 3-15 nm), but in the latter case the observed boundary region is broader and subgrain is highly disoriented.