发射装置电路盒散热技术及其应用

发射装置电路盒在工作过程中产生的热量,会对电路盒以及发射装置的可靠性产生影响。如何在电路盒的设计制造过程中尽量减少热量的产生,同时又能将工作中所产生的热量尽快散发出去,将热量产生的影响控制在电路盒正常工作范围内,是一个重要的问题。文章针对上述问题展开论述,阐述了散热性对发射装置电路盒工作性能的影响,分析了电路盒中热量的...     

Ka频段上变频模块设计

论述一种Ka频段上变频模块设计,对模块的杂散和相位噪声性能做了分析,根据分析结果,设计出合理的变频方案。滤波器采用Ansoft Designer和HFSS软件协同仿真,薄膜工艺制作,获得足够的杂散抑制度从而实现低杂散。应用取样锁相技术合成了相位噪声极低的27 GHz本振。对波导—微带过渡结构进行仿真,并给出仿真结果。从测试结果表明,模块设计实现了低杂散和低相位噪声。     

LD泵浦Nd:YAG晶体准三能级热效应理论与实验

对LD端面泵浦圆柱形Nd:YAG晶体产生946 nm激光的晶体热效应进行了分析.考虑晶体的准三能级结构和腔内传播功率的分布,对热转换系数进行了修改,得到了更符合实际情况的晶体内部温度场分布.当泵浦功率为15W时,晶体端面中心温度由未修改参数前的242.73℃升高到了387.43℃,提高了144.70℃.分别对修改参数前...     

ZnO-B2O3-SiO2掺杂对锆酸钙基陶瓷性能的影响

研究了ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃掺杂量对CaZrO3陶瓷烧结性能、物相组成、微观组织形貌和介电性能的影响。结果表明:通过掺杂ZBS,可使CaZrO3陶瓷的烧结温度由1 550℃降至1 000℃,且无第二相生成,相对密度达97.8%。当ZBS添加量为质量分数15%时,CaZrO3陶瓷在1 000℃烧结3 h获得良好的介电性能:εr=25,Q·f=8 584 GHz,τf=–45×10–6/℃。     

LED背光源现况与展望

现阶段,LED被广泛地应用到中小尺寸背光源中,大尺寸TV背光源也由原来的CCFL向LED转变。LED背光源的优势有低能耗、无汞环保、超薄化结构设计、高色彩饱和度、高品质画面显示,其应用领域广阔,几乎涵盖了中小尺寸、大尺寸显示应用领域。文章介绍了国内外LED背光源的标准体系建立情况,并根据当前产业面临的困难提出大尺寸LED背光源的发展方向。     

用于超短强激光与气体靶相互作用实验的新型前置差分抽运系统

介绍了用于超短超强激光脉冲 -脉冲气体靶相互作用研究的新型差分抽运系统 ,与高效高分辨率大面积透射光栅光谱仪配合 ,进行了超短激光脉冲辐照下氩气喷靶的软 X射线发射特性的实验研究。实验表明 ,该谱仪有足够的灵敏度参与超短强激光脉冲辐照气体靶的软 X射线产生、X射线激光乃至高次谐波实验的软 X射线光谱诊断工作。     

融合反距离加权和矩阵填充的位置指纹库构建

为解决位置指纹定位在离线阶段构建位置指纹库时耗费的人力和时间成本较大,构建指纹库效率低和利用空间插值法构建的指纹库精度不高的问题,提出了一种融合反距离加权和矩阵填充的位置指纹库构建算法。该算法仅需人工采集定位区域内少量参考点的接收信号强度值用作信标点指纹信息,结合反距离加权算法特性计算出次信标点指纹信息,根据位置指纹库数据矩阵的低秩性,应用奇异值阈值矩阵填充算法构建出位置指纹数据库。仿真实验结果表明,所提算法有效降低了矩阵填充算法构建位置指纹库所需的人工和时间成本,构建出的位置指纹库定位性能优于反距离加权和克里金空间插值法,接近传统人工采集法,显著地提高了位置指纹库的构建效率。     

具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和较好的带外抑制特性;LNA采用单电源和电流复用结构,实现较高的增益和较低的功耗。测试结果表明,该MMIC芯片在30~34 GHz频带内,增益大于28 dB,噪声系数小于2.8 dB,功耗小于60 mW,在17~19 GHz频带内带外抑制比小于-35 dBc。芯片尺寸为2.40 mm×1.00 mm。该LNA MMIC可应用于毫米波T/R系统中。     

MOCVD生长AlGaN/GaN/Si(111)异质结材料

利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。     

一种实用化的数字体温测量算法及其ASIC实现

传统电子体温计芯片采用大量复杂模拟模块,功耗和成本都较高.文章提出了一种适合电子体温计芯片采用的温度测量算法,基于上华(CSMC)1.0μm MGLVCMOS标准工艺,设计出实用化的数字体温测量电路,并绘制了整个电路的版图.利用Spectre、Verilog_XL及Matlab对系统电路进行仿真测试,结果显示所设计的数字体温测量电路在+32.0℃～+42.0℃(+90.0°F ～+108.0°F)的温度范围内可以实现摄氏和华氏两种模式的测量,具有0.1℃(0.2°F)的精度,1.5V电源电压下系统平均电流仅为100μA,整个电路呈现低功耗和高集成度的特点.