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71.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
72.
The nature of pairing mechanism as well as transition temperature of yttrium cuprates is discussed using the strong coupling
theory. An interaction potential has been developed for the layered structure with two conducting CuO2(a–b) layers in a unit cell. The interaction potential properly takes care of electron-electron, electron-phonon and electron-plasmon
interactions. Furthermore, the electron-phonon coupling parameter (λ), the modified Coulomb repulsive parameter (μ*) and the 2D acoustic phonon (plasmon) energy as a function of oxygen deficiency is worked out. Finally, the superconducting
transition temperature (T
c) is then evaluated by using these coupling parameters and obtainedT
c = 95(92)K for Y(Yb)Ba2Cu3O7−δ
superconductors withδ = 0·0. The model parameters estimated from the layered structure approach are consistent with the strong coupling theory.
The result deduced on the variation ofT
c withδ are in fair agreement with the earlier reported data on yttrium cuprates. The analysis of the above results are discussed. 相似文献
73.
Thanapalan Murugesan G. S. Venkat Rathnam S. Panduranga Rao P. Gangadhar Rao 《Journal of chemical technology and biotechnology (Oxford, Oxfordshire : 1986)》1995,63(3):290-294
In the present study of gas–liquid contactors, mean residence/contact time was calculated from knowledge of superficial velocity and the gas phase hold-up, for various gas rates and impeller geometry and speeds, and compared with values obtained from RTD measurements. A new correlation, involving Flow Number, Froude Number, system geometry and the physical properties, is proposed. This uses the authors data and those available in literature. 相似文献
74.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
75.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
76.
本文对芝麻营养保健成分的提取进行了系统的研究。确定了芝麻营养原液的制取工艺。为充分发挥芝麻的营养保健作用开辟了新的途径。 相似文献
77.
This article deals with the kinetics of two-step anionic polymerization by way of a non-steady state method. Several molecular parameters can be evaluated using the formulae developed. A bimodal molecular weight distribution function for the resulting polymer is derived from the set of kinetic differential equations, which is in agreement with the experimental data reported. 相似文献
78.
实体造型中的几何约束 总被引:5,自引:0,他引:5
实体造型是一个基于约束的过程,完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示,并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究,提出了基于CSG/GCG/B-rep的模型表示。 相似文献
79.
本文提出并研究了一种新型的强度反射型光纤温度传感器.根据定容气体温度与压力的线性关系,通过简单的测温元调制光纤中的反射光强,从而得知待测温度.这种传感器结构紧凑,造价低廉.在30~50℃范围内,灵敏度可以达到30mV/℃以上. 相似文献
80.
设计并研制了一种用于压缩式致冷设备的电子式定温域多功能控制装置。它除具有控温范围宽、精度高、控温参数易调等优点外,还实现了低成本的温度显示、半自动除霜控制、加电延时保护、过欠压保护等功能。全部采用无触点控制方式,有良好的性能/价格比。 相似文献