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102.
103.
用自行设计并安装的氢气气氛保护钼丝炉在超高温的条件下(〉1850℃)烧结HN-Al2O3的各种掺合试样,用光学显微镜,电子扫描显微镜,能谱及X射线衍射分析,比较详细地观察了各种掺杂物和温度对氧化铝晶形貌的影响,确定了板状氧化铝晶粒的尺寸,结果表明:在此烧结条件下,各试样中都含有板状氧化铝晶粒,各晶粒的发育情况与原料的纯度,掺杂物的种类和数量及烧结温度有关。 相似文献
104.
研究了AST和ASL两种玻璃料对PTC陶瓷性能的影响,发现在1280℃~1340℃的烧成范围内,添加ASL的样品其室温电阻要比添加AST的样品大,而其电阻—温度特性要比添加AST的样品好,且两种样品的晶粒尺寸及晶粒均匀度有明显差别.研究结果表明,两种样品性能上的差异与它们显微结构上的差异有着密切关系. 相似文献
105.
106.
Yoshihiro Hirata Kazuyoshi Sakeda Yumi Matsushita Kinji Shimada Yoshimi Ishihara 《Journal of the American Ceramic Society》1989,72(6):995-1002
Submicrometer SiO2 -Al2 O3 powders with compositions of 46.5 to 76.6 wt% Al2 O3 were prepared by hydrolysis of mixed alkoxides. Phase change, mullite composition, and particle size of powders with heating were analyzed by DTA, XRD, IR, BET, and TEM. As-produced amorphous powders partially transformed to mullite and Al-Si spinel at around 980°C. The compositions of mullite produced at 1400° and 1550°C were richer in Al2 O3 than the compositions of stable mullite solid solutions predicted from the phase diagram of the SiO2 -Al2 O3 system. Particle size decreased with increasing Al2 O3 content. The sintered densities depended upon the amount of SiO2 -rich glassy phase formed during sintering and the green density expressed as a function of particle size. 相似文献
107.
Zhe-Feng Zhang Zheng Ming Sun Hitoshi Hashimoto Toshihiko Abe 《Journal of the American Ceramic Society》2003,86(3):431-436
Ti/Si/2TiC powders were prepared using a mixture method (M) and a mechanical alloying (MA) method to fabricate Ti3 SiC2 at 1200°–1400°C using a pulse discharge sintering (PDS) technique. The results showed that the Ti3 SiC2 samples with <5 wt% TiC could be rapidly synthesized from the M powders; however, the TiC content was always >18 wt% in the MA samples. Further sintering of the M powder showed that the purity of Ti3 SiC2 could be improved to >97 wt% at 1250°–1300°C, which is ∼200°–300°C lower than that of sintered Ti/Si/C and Ti/SiC/C powders using the hot isostatic pressing (HIPing) technique. The microstructure of Ti3 SiC2 also could be controlled using three types of powders, i.e., fine, coarse, or duplex-grained, within the sintering temperature range. In comparison with Ti/Si/C and Ti/SiC/C mixture powders, it has been suggested that high-purity Ti3 SiC2 could be rapidly synthesized by sintering the Ti/Si/TiC powder mixture at relatively lower temperature using the PDS technique. 相似文献
108.
氮化铝(AIN)因其具有高热导率,作为基片材料在电子元器件中得到日益重视。本文主要论述了氮化铝陶瓷制备过程中各种烧结参数,包括烧结助剂、烧结气氛、保温时间、常压烧结、热压烧结、微波烧结和等离子烧结等对氮化铝陶瓷性能的影响。并指出可通过合适的AIN粉体制备技术,结合快速烧结方法可得到具有晶粒细小、结构均匀、高致密度和高导热率的AIN陶瓷。 相似文献
109.
110.
采用金属铝粉氧化大量放热的自分散法与MgO合成镁铝尖晶石和在低温下直接制成高纯镁铝尖晶石制品进行了研究。结果表明:在1400℃温度下可制成镁铝尖晶石制品。 相似文献