Comparison of Solid-State Microwave Annealing with Conventional Furnace Annealing of Ion-Implanted SiC

Rapid solid-state microwave annealing was performed for the first time on N⁺-, Al⁺-, and B⁺-implanted SiC, and the results were compared with the conventional furnace annealing. For microwave annealing, temperatures up to 2,000 °C were attained with heating rates exceeding 600 °C/s. An 1,850 °C/35 s microwave anneal yielded a root-mean-square (RMS) surface roughness of 2 nm, which is lower than the 6 nm obtained for 1,500 °C/15 min conventional furnace annealing. For the Al implants, a minimum room-temperature sheet resistance (R _s ) of 7 kΩ/□ was measured upon microwave annealing. For the microwave annealing, Rutherford backscattering (RBS) measurements indicated a better structural quality, and secondary-ion-mass-spectrometry (SIMS) boron implant depth profiles showed reduced boron redistribution compared to the corresponding results of the furnace annealing.     

一种双频微波功率合成器的设计与实现

一种新型的双频微波功率合成器，通过阶跃阻抗低通滤波器和平行耦合线带通滤波器构成的微带电路实现。该微波功率合成器实现了915MHz和2．5GHz两个非相干频率微波信号的功率合成。同时通过附加工作在915MHz和2．5GHz的20dB微带定向耦合器，就可以构建实验系统进行微波功率合成的测量。实验测量结果与数值模拟结果吻合，双频微波功率合成器和定向耦合器的性能达到了要求，可用于注入式微波器件效应的研究。     

纳米BiVO_4的微波合成及其光催化性质

以五水硝酸铋和五氧化二钒为原料,通过微波合成法制备了纳米BiVO4,采用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征了样品的形貌、结构和特性。XRD表明所制备的样品是纯的单斜晶型BiVO4;SEM显示样品的形貌呈层状结构;TEM进一步指出这些片层结构是由小粒子聚集而成的多孔结构。以催化降解甲基橙来考察其光催化性能。在100mL的10mg/L甲基橙溶液中加入0.12g经673K恒温热处理2h后的BiVO4及0.2mL H2O2,调节pH值为3.0,在可见光下照射90min后,降解率达到94.70%,催化性能良好。     

发射天线罩抗微波烧毁理论分析

本文给出了机载宽带大功率发射天线抗烧毁理论分析方法和实验结果 ,从天线近场理论出发 ,计算了天线罩、极化器、密封膜片等处的功率密度。结合材料特性 ,给出了天线罩等的安全距离的计算公式 ,并提出了具体的抗微波烧毁措施。     

防爆型双监探测器的窗口设计

被动红外与主动微波组合的探测器是一种双监探测器,从双监探测器工作机理出发,得出了防爆箱探测窗口基本技术要求,并在此基础上对各类窗口材料进行了计算分析及细节设计,实现了双监探测器的主动微波及被动远红外信号低损耗通过。所设计的防爆箱,解决了双监探测器在具有防爆性要求的\环境中的应用难题,对提升易燃易爆等危险环境下的防入侵监测技术水平有着重要的意义。     

微波Colpitts混沌电路实验研究

本文首先介绍了Colpitts电路的数学模型，给出了基于预设定频谱分布的Colpitts混沌电路中主要电路参数的设计方法；然后对工作在微波频段的Colpitts混沌电路进行了实验研究，验证了给出的电路参数设计方案；最后对实验过程中的电路调试方法，电路频谱宽度的瓶颈问题，电路功耗问题以及进一步的工作进行了讨论。     

微波组件用镀镍壳体的烧结性能研究

用荧光厚度分析仪、X光透视、扫描电子显微镜/能谱仪及切片分析等手段研究了不同镀镍壳体的烧结性能。结果表明,不同镀镍类型的镀层可焊性不同,电镀暗镍可焊性最差,电镀氨基磺酸镍和化学镀NiP的可焊性相对较好。SnAgCu焊料与镀镍壳体润湿较好,基片烧结空洞率较低,烧结界面与壳体及基片和玻璃绝缘子结合致密,玻璃绝缘子烧结的密封检漏通过率达90%。温度冲击后,烧结界面无明显分层和裂纹出现,镀镍壳体试制样品的电性能满足设计要求。     

Capacitive Microwave MEMS Switch

A novel capacitive microwave MEMS switch with a silicon/metal/dielectric as a membrane is fabricated successfully by bonding and etching-stop process.Its principal,design,and fabricating process are described in detail.A patterned dielectric layer,Ta2O5,with dielectric constant of 24 is reached.Experiment results show this novel structure,where the switch’s dielectric layer is not prepared on the transmission line,features very low insertion loss.The insertion loss is 0.06dB at 2GHz and lower than 0.5dB in the wider range from DC up to 20GHz,especially when the transmission line metal is only 0.5μm thick.     

新型高功率微波模式转换天线研究

给出了一种新型高功率微波模式转换天线,该天线将同轴插板式模式转换器和一种新型喇叭有机结合,可直接辐射高功率微波源输出的同轴TEM模或TM01模,具有结构尺寸小、口径效率高、轴向辐射、容易实现等优点.优化设计了一个中心频率为3.8GHz的天线,长度约300mm、口径为280mm,在中心频率上增益为19dBi、反射损耗为-20dB,在3.7～ 4.1GHz的频率范围内增益大于18.7dBi、反射损耗小于-15dB.     

基于窄带光纤光栅的微波载波单边带调制

利用窄带光纤光栅简单而有效地实现了RoF系统中单边带调制,克服长距离传输时的色散损耗.分析了RoF系统中双边带调制对系统带来的影响,以及单边带滤波对窄带光纤光栅反射光谱和反射率的要求.研究了采用基于窄带光纤光栅的单边带调制后,对不同调制方式、不同调制速率、不同传输距离的RoF传输系统性能的改善情况.实验研究表明,光纤光栅单边带调制在以16QAM调制的15GHz RoF系统中传输25km后,信噪比与双边带调制相比可提高约4dB.