用于预防和解除有机垢的修井液添加剂

原油沥青质沉积形成的有机垢是造成油气层损害的主要原因之一,并且某些损害是永久性和不可逆的,因此有必要对原油中沥青质的沉积采取有效的预防和解除措施.使用所建立的评价方法,筛选出了能有效预防有机垢损害的修井液添加剂正电聚醇,以及用于解除有机垢损害的修井液添加剂L-01.正电聚醇分子链上的多个羟基具有较强的正电性和比沥青质更强的吸附能力,因此能够优先吸附在岩石表面上,形成保护层,从而起到很好的预防沥青质沉积的作用.L-01中的甲苯对沥青质具有很好的溶解能力,并且其中的石油磺酸(或盐酸)还对无机垢具有一定的溶解和解堵能力.在适宜的加量下,正电聚醇的抑制率可达到100%,而L-01的相对溶解度可达到80%以上.     

国外无侵害钻井液技术

介绍了国外无侵害钻井液体系的技术背景,论述了防止钻井液侵入储层技术的发展和无侵害钻井液技术的形成过程,分析了无侵害钻井液的技术关键和封堵机理,并简要介绍了无侵害钻井液组成.该钻井液体系的主要处理剂--无侵害钻井液降滤失剂FLC2000由一系列可溶于油和水的改性聚合物混合而成,这些聚合物具有较宽的HLB值,当加入到水基钻井液中时,混合物中一些聚合物溶解,类似于常规降滤失剂,可以控制滤失量;而另外一些组分由于其亲油特性,只能部分溶解,这些聚合物组成可变形的胶束,在孔喉和微裂缝中快速形成低渗阻挡层,有效地阻止液体侵入.基于上述钻井液组分的作用机理,无侵害钻井液在防止地层伤害、防止衰竭地层的压差卡钻、防止钻井液漏失、提高地层承压能力、控制微裂缝地层的不稳定性等方面具有独特优点.最后总结了国外保护储层钻井液的发展方向.     

延迟神经网络测井资料评价水淹层的方法及应用

以取心分析的孔隙度和水饱和度为基础,建立测井信息与这些地居参数之间的非线性计算关系.用这种方法进 行参数解释,测井信息与油层参数之间的复杂关系不需要具体的数学物理模型描述,而只需要合适的样本集对网络进行 训练来获得解释模型,避开了油层水淹后,混合水电阻率求不准的问题.不同于已有的点对点的建模方法,本方法采用延迟神经网络模型,在建模和计算过程中自动考虑了测井响应上下围岩的影响.从而较好地解决了测井资料解释中地层厚度自适应校正和地层参数计算同时进行的问题.对一个油田注水开发后期 50口井的测井资料计算表明,这种方法具有良好的效果.     

地质蠕变体的成因及分类

文章从边坡应力的成因及分带、岩体变形的种种特性 ,论述了地质蠕变体的成因 ;并将蠕变体分为开裂、倾倒、溃屈及滑移 4种基本类型和若干亚类型。较深入地分析了每一类型形成的特定地形地质条件 ;并简要地论述了每一类型的工程地质意义     

抽油井测压资料解释新方法

利用幂函数描述产量与压力值，并通过拉氏变换进行校正，可将抽油井测压早期段数据校正到径向流段，从而大大缩短抽油井测压时间。对校正后资料进行处理，即可求得地层参数，解决了其它早期解释方法不能求地层压力的问题。     

烃类蒸汽转化过程析炭后的消炭处理

扼要叙述了以水蒸汽作气化剂在析炭的转化催化剂上进行消炭处理的可能性。根据工厂实际消炭例证，提出了蒸汽消炭终点判断的依据主要是转化管出口气体中ＣＯ２含量需经过最大值。同时指出了蒸汽消炭的注意事项为消炭处理时转化管出口气体温度需低于正常操作的转化管出口温度，以消炭处理后的转化催化剂必须重新还原     

“两路法”压井设计与施工

介绍了特殊压井方法——“两路法”的压井原理、适用条件、计算公式及其在赤水地区的应用情况。分析认为，该压井方法可以使用较低密度的泥浆平衡地层压力，避免了强行下钻作业所带来的风险，因而其效果优于“压回法”     

Crack formation in metallized single crystal silicon substrates

Ball bonding of metallized silicon substrates has been simulated by microindentation, with a hemispherical diamond indentor, of (100) silicon wafers that contained aluminum film layers. The indentation loads varied up to 35N and the thickest aluminum film, composed of four layers, was 100 × 10^-6 m. The radial cracks in the silicon, beneath the aluminum film, were measured as a function of indentation load and aluminum film thickness, and compared to that of unmetallized silicon. The crack lengths have been used to determine the fracture toughness,K _c = 24.4 ± 4.9 MPam^0.5, which is twice the value obtained by Vickers indentation experiments. A model describing the relationship between the film thickness versus the radial crack length is presented.