块状转变与钢中贝氏体相变的亲缘关系——再论贝氏体相变的切变扩散整合机制

应用JEM-2010高分辨电镜和Quanta-400型环境扫描电镜,运用试验与综合分析的方法,研究了纯铁的块状转变和钢中的贝氏体相变,通过对相变的形核、长大,贝氏体亚单元和组织的形成的综合研究和分析,认为贝氏体相变与块状转变存在亲缘关系.依靠随机涨落,形成贫碳区,贝氏体铁素体在贫碳的奥氏体中形核.Fe原子和替换原子通过热激活跃迁、界面扩散或切变等方式,重复产生亚单元.在亚单元边界处,富碳奥氏体析出碳化物或成为残留奥氏体.贝氏体相变机制具有过渡性,即切变扩散整合机制.     

钢中贝氏体相变热力学

应用综合理论分析的方法研究了钢中贝氏体相变热力学.指出以往的KRC,LFG模型不适于贝氏体相变驱动力的计算.在进行相变热力学分析的基础上,依据γ→αB γ1→BF γ1转变机制设计了新的计算模型,并估算了Bs温度下相变阻力为105 J/mol.指出相变不仅与驱动力有关,而且取决于原子扩散能力.在贝氏体上部温度区,可以依靠界面扩散进行台阶长大;在460 ℃以下的某一段温度,可能以原子热激活跃迁无扩散机制进行贝氏体铁素体形核-长大过程;在Ms点稍上一段温度,可能以切变方式进行.     

投本刊“安全工程”栏目的文章将优先发表

为了进一步强化《河南理工大学学报（自然科学版）》的特色。本刊新开设了《安全工程》栏目。该栏目依托河南理工大学的“安全工程”省级重点学科。主要刊登与安全工程有关的各类科研成果．对该栏目的稿件。本刊将优先发表．欢迎全国安全专家向本栏目赐稿。     

沉积岩相地热水中亚硝酸盐增高机理探析

为探析开封沉积岩相地热田地热水中亚硝酸盐增高机理,根据29眼地热井的水质动态检测资料,分析了亚硝酸盐在平面及垂向上的增高趋势及超标情况.利用现场实测的31组“三氮”数据,研究了温度及混入空气时间对地热水中“三氮”质量浓度变化规律的影响.在上述研究的基础上,指出亚硝酸盐增高的机理为:由于地热水的大量开采,导致地热水赋存环境显著改变,或发生硝化作用或发生反硝化作用,致使亚硝酸盐增高.     

椭球参数对大地坐标转换的影响——大地坐标微分公式再推导

针对e(椭圆第一偏心率)与a(椭圆的长半轴)之间的函数关系,对大地坐标微分公式进行了再次推导,得出一种新的广义大地微分公式.对两公式进行比较,并用WGS-84坐标与BJ54坐标转换的差异进行计算、分析,结果表明:在小区域范围内,利用两公式进行坐标转换效果相差不大,但对测区范围较大的情况,新的大地坐标微分公式为获得GPS测点的高精度坐标转换,提供了有用的工具.     

一种推导黑体温度变换的简易新方法

近一个世纪以来,对黑体相对论温度变换的讨论一直在进行着。其中最具代表性的变换是在上世纪六十年代,由R.N.Bracewell等人以从实验发现的3K宇宙背景辐射为基础、从与实验符合很好的Plank黑体辐射公式出发,用不同方法得到的变换式T=T0     

中国纺织品对外贸易转换增长方式的思索

针对目前我国纺织品对外贸易增长方式相对粗放、国际贸易环境日趋严峻的局面,笔者从转变经济增长方式的角度研究如何迎接挑战,避险求强,重点就政府进行宏观调控、实施品牌战略、加快科技进步及创新等方面做了前瞻性的分析。     

一次同余方程组的一种矩阵解法

同余方程组是数论中一个极为有用的课题。文中考虑的是具有一个未知数而具有不同的模的一次同余方程组。一般可以用中国剩余定理或者递推算法等方法给出一次同余方程组的解法。利用矩阵的初等变换和矩阵的Sm ith标准形给出了求解一次同余方程组的一种矩阵解法。     

地方政府职能转变中的行政伦理探析

行政伦理建设对整个社会伦理以及整个精神文明建设都起着重要作用,由于其自身的特点及所处的特殊地位,行政伦理存在的问题具有极强的影响力,阻碍着社会的进步和发展。地方政府在职能转变的过程中,损害公共利益的情况时有发生。分析了地方政府职能转变过程中行政伦理存在的各种问题的表现类型及其产生的原因,从外部控制和内部控制方面提出加强行政伦理建设的主要途径。     

磁控溅射法镀制氮化铝薄膜特性研究

氮化铝薄膜具有高折射率,良好的化学稳定性,耐磨摩、高电阻等特性在微电子器件和光学薄膜中有着广泛地应用.本文研究了反应式磁控溅射方法利用Ar/N2混合气体镀制氮化铝薄膜的工艺过程,实验表明在高真空和高泵浦速率条件下,放电电压直接依赖于反应气体珠浓度.薄膜的折射率,消光系数和薄膜硬度都依赖于氮气浓度的比例.通过工艺研究,找到了氮气在不同浓度下对氮化铝薄膜的折射率,消光系数以及薄膜硬度的影响,找出了镀制氮化镀制氮化铝薄膜的最佳工艺参数.在Ar/N2工作气体中氮气含量保持在40%条件下,用反应式磁控溅射方法,可以精确镀制出良好的氮化铝薄膜,其中折射率范围在2.25~2.4之间,消光系数为10-3,薄膜显微硬度大于20GPa.该薄膜可以广泛应用于微电子器件和光电器件上.