方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性。由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

SiO2抛光液对A1N基片抛光性能的影响

针对AlN基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响。通过对AlN基片进行抛光实验,确定pH为10.5～11.5时,采用大粒径、高质量分数纳米SiO2溶胶作为磨料,有利于抛光速率的提高。利用纳米SiO2溶胶、去离子水、pH调节剂和稳定剂自主配制抛光液A,与纯水按质量比1∶5稀释后,在压力1.8MPa、转速60r/min、流速340mL/min条件下,对AlN基片进行抛光,抛光速率为0.5μm/min。抛光1.5h后,AlN基片的表面粗糙度可达28nm,表面无划痕。     

楔形光纤探针传输效率的研究

用实验方法测量了楔形光纤探针的传输效率随光纤楔角的变化关系,作出传输效率曲线,通过测定楔形光纤探针传输效率的实验可知,楔体角度越大,过渡区越短,泄漏光就越少,传输效率会提高.在楔角由20.2° 增大到33.6°以及楔角由55.8°增大到83.6°时,传输效率曲线呈较快的上升趋势;在楔角由33.6° 增大到55.8°,传输效率曲线上升趋势较缓.在相同的条件下,楔形光纤探针的传输效率随入射光波长的增大而快速地下降.     

Investigation of charge loss characteristics of HfO2 annealed in N2 or 02 ambient

The retention characteristics of electrons and holes in hafnium oxide with post-deposition annealing in a N2 or 02 ambient were investigated by Kelvin probe force microscopy. The KFM results show that compared with the N2 PDA process, the O2 PDA process can lead to a significant retention improvement. Vertical charge leakage and lateral charge spreading both played an important role in the charge loss mechanisms. The retention improvement is attributed to the deeper trap energy. For electrons, the trap energy of the HOS structure annealed in a N2 or 02 ambient were determined to be about 0.44 and 0.49 eV, respectively. For holes, these are about 0.34 and 0.36 eV, respectively. Finally, the electrical characteristics of the memory devices are demonstrated from the experiment, which agreed with our characterization results. The qualitative and quantitative determination of the charge retention properties, the possible charge decay mechanism and trap energy reported in this work can be very useful for the characterization of hafnium charge storage devices.     

上海轨道交通车厢满载率实时感知与估计

本文通过利用WIFI探针设备,将其布设在上海轨道交通列车车厢内探测客流,同时收集同日同车次的车厢称重数据、断面客流数据进行数据分析与融合,得到列车车厢满载率的估计值,从而建立起更为精确的地铁车厢满载率数据.     

树莓派在云网端到端运营支撑中的应用与探讨

随着企业上云,客户核心IT系统部署在云端,客户对云网业务的可用性要求极高,而云网业务涉及客户、运营商、云服务提供商等多个环节,如何提升云网业务服务质量是运营商面临的首要问题.中国电信江西公司采用树莓派硬件探针方式进行了初步探索,旨在用较低的成本实现先于客户发现故障、快速故障定界定段定位、及时感知客户异常的能力,为云网端到端运营支撑提出可供借鉴方式,对相关运营商而言,具有可实施性和一定的参考实用价值.     

研究开发适应于国际标准的SPM针尖特性表征结构

标准化是当前扫描探针显微镜领域(SPM)的一项重要工作.国际标准化组织ISO自2004年起已经将SPM标准化列入其工作框架之内,并建立了相关的分委员会、技术委员会和工作小组.本文介绍了国际上当前有关SPM标准化方面努力和主要趋势:SPM术语的标准化被认为是SPM标准化工作范围内首先需要考虑的问题,其相关标准即将发表;SPM数据管理及处理的标准化则是另一项正在进行的有利于数据访问、处理和共享的重要工作.可溯源计量型原子力显微镜(AFM)的发展解决了纳米尺度的度量问题,能够通过对标准物质进行定量分析与定标实现量值的传递.当前发展能够被计量型AFM鉴定的参考物质以及标准化仪器校正过程是实现SPM标准化之前的当务之急.为了促进SPM领域ISO标准的实现,一种新的针尖特性表征结构(tip characterizer)已经被开发出来.这种tip characterizer由超晶格组装技术实现,能够描述针尖的形状并且同时进行侧向尺度的校正.本文探讨了这种新型tip characterizer的性能.这种tip characterizer不易损坏针尖,具有很好的重复性,并能帮助实验观察分析针尖形状和结构几何特性之间的关系.     

4H-SiC MESFET结构外延生长技术

利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.     

示波器测量指导（上）

本文着重讨论了典型示波器的结构、模拟与数字示波器两者的分别和普遍采用的各种探针.     

1034探针台平面电机功放部件的维修

在1034探针台中，驱动承片台在X－Y方向运动的平面电机功率放大部件是该设备的核心部件，其性能的好坏直接关系到探针台的性能。本文拟从简述平面电机的原理入手，对该功放部件的性能、测试方法和维修作一讨论。