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102.
高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战,新的测试技术不断涌现,主要介绍了几种新型测试技术的特点,并对测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。 相似文献
103.
针对某双列直插式(DIP)封装器件在整机温循试验中出现的失效现象,分析在器件与电路板焊接环节、电路板与整机装配环节和整机温循试验环节3个工况下可能的失效原因,对原因分别进行单工况和多工况的失效仿真分析。针对不同仿真模型在不同工况下的叠加仿真难题,提出基于ANSYS Workbench有限元软件的多应力叠加仿真方法,对比单一工况和多种工况下的仿真结果。结果表明,DIP封装器件失效是器件在焊接尺寸不匹配、过定位装配和温循试验三种工况下,机械应力和热应力的叠加使玻璃绝缘子产生裂纹导致的,有限元仿真结果与实验结果基本吻合,为DIP封装器件在多工况下应力叠加失效的故障机理研究提供一种可参考的仿真方法。 相似文献
104.
This paper reports a novel method to enhance solder ball or solder ring bonding strength by using electrowetting-on-dielectric (EWOD) effect. With a low melting point, the metal Sn has been widely used in electronic packaging technology. Since Sn will be molten into liquid when the temperature is increased above the melting point, the method for treating liquid can be herein employed. Contact angle of the molten Pb-free balls or ring structure on silicon substrate have been experimentally changed by applying electric field across the thin dielectric film between the molten solder and the conductive silicon substrate. The contact area between the solder and the substrate is enlarged due to the decrease of the contact angle. Our testing results on the EWOD enhanced packaging structures of solder balls, flip-chip and solder ring hermetic package generally show about 50% enhancement in bonding shear strength. The significantly enhanced solder link bonding strength is hopeful for improving packaging reliability and is promising to be used in high performance silicon based electronic or microelectromechanic SiP (system in package) technologies. 相似文献
105.
106.
由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面,将金属间化合物生长理论与分析手段相结合,研究了Cu/Al界面IMC的生长行为及其微结构。文中采用SEM测试方法,观察了IMC的形貌特点,测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系,计算得到了生长速率和活化能数值,并采用TEM,EDS等测试手段,进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构。 相似文献
107.
108.
Chin-Te WangChien-I Kuo Heng-Tung HsuEdward Yi Chang Li-Han HsuWee-Chin Lim Che-Yang ChiangSzu-Ping Tsai Guo-Wei Huang 《Microelectronic Engineering》2011,88(2):183-186
In this paper, we present a flip-chip 80-nm In0.7Ga0.3As MHEMT device on an alumina (Al2O3) substrate with very little decay on device RF performance up to 60 GHz. After package, the device exhibited high IDS = 435 mA/mm at VDS = 1.5 V, high gm = 930 mS/mm at VDS = 1.3 V, the measured gain was 7.5 dB and the minimum noise figure (NFmin) was 2.5 dB at 60 GHz. As compared to the bare chip, the packaged device exhibited very small degradation in performance. The result shows that with proper design of the matching circuits and packaging materials, the flip-chip technology can be used for discrete low noise FET package up to millimeter-wave range. 相似文献
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采用高温固相合成工艺制备了KSrPO4:x Eu3+红色发光材料,通过X射线衍射、荧光光谱、量子效率仪、封装对发光材料的晶体结构及发光特性进行了研究。XRD表明KSrPO4晶体结构并没有随着Eu3+的掺入而发生变化;荧光光谱表明KSrPO4:Eu3+在394 nm处存在最强激发峰,发射光谱最强发射峰为612nm;量子效率研究表明随着Eu3+掺杂量的增加,量子效率先增后降,在Eu3+掺杂量x=0.04时,量子效率存在最大值51%;封装光源的显色指数为83,色温3497 K,并且随着电流的变化色坐标(X,Y)基本保持不变,因此,KSrPO4:Eu3+红色发光材料作为近紫外激发的红色发光材料具有一定的潜力。 相似文献
110.