首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12414篇
  免费   1634篇
  国内免费   594篇
电工技术   227篇
技术理论   1篇
综合类   854篇
化学工业   6193篇
金属工艺   380篇
机械仪表   301篇
建筑科学   553篇
矿业工程   131篇
能源动力   533篇
轻工业   1552篇
水利工程   142篇
石油天然气   377篇
武器工业   56篇
无线电   634篇
一般工业技术   2114篇
冶金工业   223篇
原子能技术   149篇
自动化技术   222篇
  2024年   53篇
  2023年   342篇
  2022年   504篇
  2021年   657篇
  2020年   606篇
  2019年   517篇
  2018年   490篇
  2017年   525篇
  2016年   613篇
  2015年   635篇
  2014年   750篇
  2013年   819篇
  2012年   872篇
  2011年   900篇
  2010年   632篇
  2009年   724篇
  2008年   577篇
  2007年   768篇
  2006年   679篇
  2005年   650篇
  2004年   443篇
  2003年   380篇
  2002年   298篇
  2001年   246篇
  2000年   193篇
  1999年   142篇
  1998年   99篇
  1997年   113篇
  1996年   66篇
  1995年   59篇
  1994年   45篇
  1993年   27篇
  1992年   36篇
  1991年   34篇
  1990年   14篇
  1989年   20篇
  1988年   10篇
  1987年   17篇
  1986年   13篇
  1985年   18篇
  1984年   8篇
  1983年   14篇
  1982年   16篇
  1981年   2篇
  1980年   5篇
  1979年   2篇
  1977年   3篇
  1951年   6篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
从乳品污水中筛选出一株蛋白降解细菌,经鉴定为短小芽孢杆菌(Bacilluspumilus)。其蛋白酶反应的最适温度为38℃,最适pH值为7.0。最佳产酶条件为30℃,150r·min-1,种龄18h,接种量5%,250mL三角瓶中装液量90mL,发酵周期64h。在此条件下,菌株产生的中性蛋白酶活力最高达到52U·mL-1。  相似文献   
992.
纳米TiO2薄膜的制备及其性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以钛酸丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶工艺制备了TiO2溶胶,并用浸渍提拉法在陶瓷基体上负载了TiO2薄膜.探讨了前躯体浓度和热处理方式对TiO2薄膜性能的影响.此外,通过XRD表征,检测了TiO2的晶体结构.结果表明:500℃下煅烧的TiO2薄膜为锐钛型结构;随着前驱体浓度的增大,薄膜的亲水性能变化不大,光降解性能逐渐提高;陶瓷片每负载一层TiO2薄膜后煅烧一次,薄膜的附着力提高.  相似文献   
993.
For a surface-channel n-MOSFET and a buried-channel p-MOSFET, the effect of plasma process-induced damage on bias temperature instability (BTI) was investigated. The gate oxide thickness, tox, of the test MOSFETs was 2.0, 3.0, or 4.5 nm. The shifts of threshold voltage Vth and of linear drain current Idlin were measured after applying a BTI stress at a temperature of 125 °C. The measured shifts of Vth and Idlin indicate that BTI on ultra-thin gate CMOS devices appears only in the form of SiO2/Si interface degradation, and that the positive BTI for the n-MOSFET as well as the negative BTI for the p-MOSFET is important for the reliability evaluation of CMOS devices. Because of positive plasma charging to the gate, a protection diode was very efficient at reducing BTI for the p-MOSFET, but it was much less effective for the n-MOSFET.  相似文献   
994.
1 INTRODUCTION Interfacial cruds are supposed to be one of the commonest and most troublesome problems emerging out in practice of copper solvent extraction. Generally, interfacial cruds are inhomogeneous oil/water emulsions that consist of organic phase, aqueous phase and solid particles. It can lead to a lot of detrimental effects on plant operations including difficult phase disengagement, contaminated electrolytes, extractant loss, declined product quality and polluted environment. Lo…  相似文献   
995.
综述了光催化技术在无机含氮化合物方面的应用. 从两方面阐述了无机含氮化合物(NOx、NO-3、NO-2)光催化降解的最新进展,以及增加光催化降解效率的方法(如:对二氧化钛光催化剂进行修饰;研制新型光催化剂;研制新型光反应器;研究光催化降解无机含氮化合物的反应机理). 通过采取各种措施,可使NOx的转化率达到60%,NO-3的转化率达32%,且其中有50%的转化为N2.  相似文献   
996.
к-卡拉胶有着良好的药理和生理活性 ,但是由于分子量大 ,溶解性差使它的应用受到很大的限制。研究了在中性和酸性条件下利用 H2 O2 对卡拉胶进行降解来制备低分子量的卡拉胶时 H2 O2 浓度、卡拉胶浓度、反应温度和时间对反应的影响。发现提高 H2 O2浓度、降低卡拉胶浓度、提高反应温度有利于卡拉胶分子量的降低。通过粘度法测量了卡拉胶的平均分子量在 1 0 0 0~ 1 0 0 0 0 ,并发现它的溶解性大大提高了。利用 IR和13 C-NMR研究了降解前后卡拉胶的结构变化  相似文献   
997.
由约束最小二乘方法改进的图像恢复方法   总被引:6,自引:0,他引:6  
介绍了图像退化模型和约束最小二乘方法(包括参变维纳滤波方法和平滑约束最小平方滤波方法)。参变维纳滤波法和平滑约束最小平方滤波法在图像恢复的过程中分别有对图像锐化和平滑的作用。结合这两种方法的特点,本文由约束最小二乘方地方法推导出改进的图像恢复法。这种图像恢复方法具有前两种方法的优势。试验证明,用改进的图像恢复方法恢复图像比用参变维纳滤波法恢复的图像更平滑,信噪比更大;比用平滑约束最小平方滤波法恢复的图像的边缘更突出,有更好的视觉效果。  相似文献   
998.
当今土壤的石油污染是一种较为普遍的现象。土壤石油污染的治理是学术界研究的热点领域,从石油污染的微生物降解。在土壤中的吸附,解吸与迁移。对作物的影响及生物修复方面介绍了国内外的有关研究现状及其发展趋势。  相似文献   
999.
淀粉对聚乙烯膨胀阻燃体系降解和阻燃的影响   总被引:9,自引:0,他引:9  
以淀粉作为膨胀阻燃体系中的成炭剂,聚代或部分代取了膨胀型阻燃剂中的季戊四醇,研究了淀粉对膨胀阻燃剂及其与线性低密度聚乙烯膨胀体系的热降解行为和阻燃性。研究表明,聚磷酸铵可明显地改变淀粉的热降解行为促进成炭;尽管淀粉可提高IFR的成炭量和膨胀体系的膨胀倍数,但它却在一定程度上降低了LLDPE的膨胀体系的阻燃性,也即是降低了极限氧指数和提高了热释放速率峰值,而用淀粉部分取代PER,对其阻燃性很小,可用  相似文献   
1000.
对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了高温反偏(HTRB)、高压反偏(HRB)、高温正向大电流(HFGC)、高温存贮(HTS)4种不同的应力试验。通过HRB,φb从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大,HTS试验中φb从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明,其主要的失效模式为烧毁,同时,SEM观察中也有电徙动及断栅现象发生。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面出现模糊,有明显的互扩散和反应发生。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号