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991.
992.
993.
For a surface-channel n-MOSFET and a buried-channel p-MOSFET, the effect of plasma process-induced damage on bias temperature instability (BTI) was investigated. The gate oxide thickness, tox, of the test MOSFETs was 2.0, 3.0, or 4.5 nm. The shifts of threshold voltage Vth and of linear drain current Idlin were measured after applying a BTI stress at a temperature of 125 °C. The measured shifts of Vth and Idlin indicate that BTI on ultra-thin gate CMOS devices appears only in the form of SiO2/Si interface degradation, and that the positive BTI for the n-MOSFET as well as the negative BTI for the p-MOSFET is important for the reliability evaluation of CMOS devices. Because of positive plasma charging to the gate, a protection diode was very efficient at reducing BTI for the p-MOSFET, but it was much less effective for the n-MOSFET. 相似文献
994.
1 INTRODUCTION Interfacial cruds are supposed to be one of the commonest and most troublesome problems emerging out in practice of copper solvent extraction. Generally, interfacial cruds are inhomogeneous oil/water emulsions that consist of organic phase, aqueous phase and solid particles. It can lead to a lot of detrimental effects on plant operations including difficult phase disengagement, contaminated electrolytes, extractant loss, declined product quality and polluted environment. Lo… 相似文献
995.
综述了光催化技术在无机含氮化合物方面的应用. 从两方面阐述了无机含氮化合物(NOx、NO-3、NO-2)光催化降解的最新进展,以及增加光催化降解效率的方法(如:对二氧化钛光催化剂进行修饰;研制新型光催化剂;研制新型光反应器;研究光催化降解无机含氮化合物的反应机理). 通过采取各种措施,可使NOx的转化率达到60%,NO-3的转化率达32%,且其中有50%的转化为N2. 相似文献
996.
к-卡拉胶有着良好的药理和生理活性 ,但是由于分子量大 ,溶解性差使它的应用受到很大的限制。研究了在中性和酸性条件下利用 H2 O2 对卡拉胶进行降解来制备低分子量的卡拉胶时 H2 O2 浓度、卡拉胶浓度、反应温度和时间对反应的影响。发现提高 H2 O2浓度、降低卡拉胶浓度、提高反应温度有利于卡拉胶分子量的降低。通过粘度法测量了卡拉胶的平均分子量在 1 0 0 0~ 1 0 0 0 0 ,并发现它的溶解性大大提高了。利用 IR和13 C-NMR研究了降解前后卡拉胶的结构变化 相似文献
997.
998.
当今土壤的石油污染是一种较为普遍的现象。土壤石油污染的治理是学术界研究的热点领域,从石油污染的微生物降解。在土壤中的吸附,解吸与迁移。对作物的影响及生物修复方面介绍了国内外的有关研究现状及其发展趋势。 相似文献
999.
淀粉对聚乙烯膨胀阻燃体系降解和阻燃的影响 总被引:9,自引:0,他引:9
以淀粉作为膨胀阻燃体系中的成炭剂,聚代或部分代取了膨胀型阻燃剂中的季戊四醇,研究了淀粉对膨胀阻燃剂及其与线性低密度聚乙烯膨胀体系的热降解行为和阻燃性。研究表明,聚磷酸铵可明显地改变淀粉的热降解行为促进成炭;尽管淀粉可提高IFR的成炭量和膨胀体系的膨胀倍数,但它却在一定程度上降低了LLDPE的膨胀体系的阻燃性,也即是降低了极限氧指数和提高了热释放速率峰值,而用淀粉部分取代PER,对其阻燃性很小,可用 相似文献
1000.
对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了高温反偏(HTRB)、高压反偏(HRB)、高温正向大电流(HFGC)、高温存贮(HTS)4种不同的应力试验。通过HRB,φb从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大,HTS试验中φb从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明,其主要的失效模式为烧毁,同时,SEM观察中也有电徙动及断栅现象发生。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面出现模糊,有明显的互扩散和反应发生。 相似文献