离子注入中污染的产生及防护

本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施，特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ＵＬＳＩ加工对离子注入的要求。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.     

聚合物载体－稀土金属络合物的研究 ⅩⅢ．聚［苯乙烯－甲基丙烯酸β（甲基亚硫酰基）乙酯］的结构与其稀土金属络合物催化丁二烯聚合的活性

从测得的竞聚率计算了单体链节在聚［苯乙烯－甲基丙烯酸β（甲基亚硫酰基）乙酯］（ＰＳＭ）中的序列分布。苯乙烯（Ｓ）或甲基丙烯酸β（甲基亚硫酰基）乙酯（Ｍ）的长序列的概率随着ＰＳＭ中相应单体含量的增加而增加。对于Ｓ和Ｍ摩尔分数大致相等的ＰＳＭ，单体链节的长序列分布函数值相接近。用与此结构相近的ＰＳＭ合成的稀土金属络合物，其催化活性不佳。在Ｍ短序列分布和Ｓ长序列分布较高的情况下，络合物的催化活性最好。所得聚丁二烯的微观结构与ＰＳＭ中单体单元的分布无关。     

氧化锌压敏电阻的老化机理

研究了ZnO压敏电阻的老化现象,提出了一种新的老化机理-线性链理论。该理论认为,在外电场作用下,压敏电阻势垒高度降低;当降低到一定值时,晶界可变电阻转化为线性晶界电阻,从而压敏链转化为线性链。线性链是稳定的,因而压敏电阻老化到一定程度后其电性能将不能完全恢复。     

荷能束辐照致使Cu/Ag表面偏析的研究

本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10~(-1)～1eV量级的平均能量差异对膜层表面偏析行为的影响。对溅射淀积所得膜层进行keV量级的离子束辐照,Ag原子的表面偏析程度更甚。     

再生用碱的质量对阴离子交换树脂性能的影响

我国许多电厂在再生阴离子交换树脂时都习惯采用隔膜法生产的工业氢氧化钠，这种氢氧化钠中的杂质离子含量较高，会对阴离子交换树脂的性能产生很大的影响。就碱中杂质成分对阴离子交换树脂的影响，通过比较两种不同纯度的碱再生后的阴离子交换树脂的技术经济性，提出再生阴离子交换树脂时应优先选择纯度较高的碱。     

离子交换铒掺杂磷酸盐玻璃波导特性研究

给出有关离子交换铒掺杂磷酸盐玻璃波导的制备以及发光特性的基本结果。用Ag+ Na+ 离子交换在含有适量氧化钠的铒掺杂磷酸盐玻璃上很容易实现低损耗平面波导 ,并且离子交换过程对这种玻璃的光谱特性没有影响。     

HPMBP与伯胺N_(1923)对希土元素(Ⅲ)的协同萃取

本文研究了HPMBP与伯胺N_(1923)的二甲苯溶液,从盐酸介质中协同萃取希土(Ⅲ)的机理。用斜率法、恒摩尔法确定了协萃配合物的组成为:RNH_3Ln(PMBP)_4。求得关于Pr(Ⅲ)协萃反应的平衡常数及协萃配合物的生成常数分别为:logK_(12)=-1.95;logβ_(12)=3.94。实验发现,协萃系数(R)随希土元素的原子序数(Z)递变而呈现“双峰效应”。还研究了协萃配合物的IR,NMR谱。     

Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究

采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。