组合室温硫化硅橡胶对绝缘子电场分布的影响

户外运行的瓷或玻璃绝缘子在潮湿污秽的情况下容易发生污闪,而且在覆冰期中可能冰闪,这两种闪络均会对电力系统的正常运行造成很大的危害,绝缘子周围电场分布的均匀程度对于其闪络电压有很大的影响.为此,通过对110 kV下的瓷绝缘子串进行建模,对其表面涂覆不同种类的室温硫化硅橡胶(RTV)(包括长效RTV(PRTV)、半导体RT...     

Changes in Electrical Characteristics of ZnO Thin Films Due to Environmental Factors

The impact of light and controlled gas ambient on the electrical characteristics of ZnO:P grown by pulsed laser deposition (PLD) is investigated with temperature-dependent Hall-effect and photo-Hall-effect using above-bandgap light. Exposure to blue/ultraviolet (UV) light results in long-lived persistent photoconductivity (PPC) effects dominated by electron conduction. However, these persistent effects can be largely reversed by exposing the sample to a controlled ambient of dry O₂ gas. These O₂-induced changes in the electronic properties persist in vacuum up to at least 400 K. Exposure to dry N₂ gas following blue/UV light has no effect on the observed PPC characteristics. The implications of these effects on the preparation of p-type ZnO will be discussed.     

有机半导体研究进展

1977年人们发现通过掺杂可以使聚乙炔膜的电导率提高 1 2个量级 ,由绝缘体变成导体 ,从此掀起了有机半导体的研究热潮。其研究工作包括有机高分子材料、有机小分子材料和有机分子晶体材料的电学、光学等性质。有机半导体中的载流子除了电子和空穴外 ,还有孤子、极化子等。人们已经获得低温迁移率高达 1 0 5cm2 /V.s的高质量有机半导体晶体 ,在其中观察到量子霍尔效应 ,并用其制成有机半导体激光器。如今有机半导体彩色显示屏已进入实用阶段。     

Ⅱb型金刚石单晶的制备和半导体特性研究进展

Ⅱb型金刚石由于具有极佳的半导体性能,适合于制造高性能电力电子器件,可以在更高的温度和恶劣的环境下正常工作,是一种有发展前途的高温、大功率半导体材料。本文从结构、合成方法、半导体特性和应用等方面阐述了Ⅱb型半导体金刚石的研究现状,在此基础上提出了今后的研究方向。     

高分子半导电材料的研制

在以氯丁橡胶为骨架材料的高分子半导电材料配方中,并用10～30质量份（简称份,以下同）氯化聚乙烯以改善材料的物理机械和耐热性能以及加工工艺;为降低生产成本,填充30～40份的活化硫化胶粉;导电物质选用具有一定协同效应的导电炉黑和导电石墨并用,并用量在40～70份;由此配制的高分子半导电材料具有较好的物理机械、加工和导电性能。混炼时,在满足工艺性能的同时,尽量缩短混炼时间、增加交联密度,同时尽量使导电物质均匀分散。     

BaO过量的钛酸钡中施主Sb的取代位置

Sb仅在低浓度掺杂时,才能使BaTiO_3半导化。对该现象的解释,先需弄清楚Sb在BaTiO_3晶格中的位置。本文运用缺陷化学理论,分析了Sb掺杂BaTiO_3电导率和氧分压之间的关系,提出BaO过量时,Sb位于BaTiO_3晶格中的Ti位,形成电子补偿,导致BaTiO_3半导化的机理。     

InAs基室温中波红外探测器的液相外延生长

材料质量好坏对于获得高性能红外探测器至关重要。提出决定材料质量的关键点在于精准控制材料结构中层与层之间的晶格失配度,报道了晶格失配对材料质量和器件暗电流性能的影响。实验结论表明在液相外延技术生长的InAs/InAsSbP材料体系中,InAs和InAsSbP间的晶格失配不是越小越好,而是有一个最佳值。如果晶格失配偏离这个值,不管是偏大还是偏小,材料的质量都会恶化。阐述了如何调整生长参数以获得合适的晶格失配度。制备了具有适宜晶格失配度的红外探测器件,该探测器零偏压下的室温峰值探测率为6.8×10⁹ cm Hz^1/2W^-1,与国际商用InAs探测器的指标相当。     

全透明低回滞s-SWCNT/AgNW薄膜晶体管的可控制备

利用高纯度、高均一性的半导体型单壁碳纳米管(s-SWCNT)网络薄膜作为薄膜晶体管的沟道材料,以高透明度、低薄膜电阻的银纳米线(Ag NW)网络薄膜作为源、漏电极,在玻璃基底上制备了大面积、高透明度的碳纳米管薄膜晶体管阵列,并使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜在器件表面通过干法封装获得了较低回滞的电子器件,得到了整体透明度达到82%以上的器件。提出的器件制备方法不仅制备材料易得,不需要高温过程,而且能够实现器件的大面积制备,对碳纳米管薄膜晶体管的全透明柔性化进程具有推进作用。