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101.
In this paper, a colored timed resource‐oriented Petri net (CTROPN) is developed to model the cluster tools in semiconductor fabrication. It is structurally simple and concise, since each module in a cluster tool corresponds to a unique place in CTROPN. It is also powerful in modeling the qualitative and temporal behavior of the cluster tools with a single‐blade or dual‐blade robot. The initial transient behavior, steady‐state behavior and the final transient behavior can all be investigated through a single model. Copyright © 2010 John Wiley and Sons Asia Pte Ltd and Chinese Automatic Control Society 相似文献
102.
详细阐述了离散事件仿真技术的原理及其关键技术,并将其应用于半导体生产线建模。在分析半导体生产线系统的仿真需求的基础上,以单进程为离散事件处理机制,对12个加工中心、40台机器组成的半导体生产线进行了建模研究,验证了半导体生产线仿真的正确性。 相似文献
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Shunpei Yamazaki Takuya Hirohashi Masahiro Takahashi Shunsuke Adachi Masashi Tsubuku Junichi Koezuka Kenichi Okazaki Yohsuke Kanzaki Hiroshi Matsukizono Seiji Kaneko Shigeyasu Mori Takuya Matsuo 《Journal of the Society for Information Display》2014,22(1):55-67
Our crystalline In–Ga–Zn oxide (IGZO) thin film has a c‐axis‐aligned crystal (CAAC) structure and maintains crystallinity even on an amorphous base layer. Although the crystal has c‐axis alignment, its a‐axis and b‐axis have random arrangement; moreover, a clear grain boundary is not observed. We fabricated a back‐channel‐etched thin‐film transistor (TFT) using the CAAC‐IGZO film. Using the CAAC‐IGZO film, more stable TFT characteristics, even with a short channel length, can be obtained, and the instability of the back channel, which is one of the biggest problems of IGZO TFTs, is solved. As a result, we improved the process of manufacturing back‐channel‐etched TFTs. 相似文献
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108.
改进的模糊交叉算子及其在CGA中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
基于标准化适应值信息,提出改进的模糊交叉算子,并应用到细胞状遗传算法(CGA)中。在具有局部搜索倾向的交叉操作中,该算子能使后代更偏向于适应值高的父体。在具有全局搜索倾向的交叉操作中,能使较差个体在更大范围内进行搜索,有效地引导CGA算法向全局最优解的方向收敛。仿真实验结果表明,基于改进模糊交叉算子的CGA算法性能更好。 相似文献
109.
对大功率半导体激光器驱动电源仿真研究时,需要建立体现大功率半导体激光器电气特性的等效负载模型,目前的LD(Laser Diode)电路模型由于缺乏寄生参数而不适用.本文根据大功率半导体激光器的测试数据,通过分析改进LD的速率方程,建立了包含寄生参数的大功率半导体激光器等效电路模型.仿真结果表明:该等效电路模型的V-I曲线和P-I曲线与厂家给出的曲线一致,可以作为仿真大功率半导体激光驱动电源的等效负载. 相似文献
110.
为探究大气风速对深凹露天矿山爆破排烟时间的影响,采用CFD数值模拟方法构建了深凹露天矿山爆破非稳态数值模型,模拟大气风速为3、6、9、15 m/s和不同爆破位置条件下炮烟扩散场景,研究了不同大气风速对深凹露天采坑内风流场特征和爆破排烟时间的影响。研究结果表明:不同爆破位置下,随着大气风速的增大,露天采坑内的风流分布呈现出单复环流向双复环流结构的转变;当大气风速大于6 m/s后,随着大气风速的增大,爆破炮烟排烟时间下降的幅度逐渐减小,大气风速对排烟时间的影响逐渐降低;不同爆破位置下,随着大气风速的增大,露天采坑爆破炮烟排烟时间均呈现下降趋势,且与大气风速呈现良好的指数函数关系。
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