固相法合成Ag(Nb0.8Ta0.2)O3的研究

以不同固相合成工艺制备了Ag（Nb0．8Ta0．2）O3粉末，并对其压片烧结后样品的XRD和SEM图进行了分析，对成瓷性较好的样品的介电性能进行了测试．结果表明：不同工艺均可合成具有钙钛矿结构的Ag（Nb0.8Ta0．2）O3（ANT）样品，但对样品成瓷性影响很大．通过先将Nb2O5、Ta2O5在1200℃煅烧，然后再同Ag2O反应生成Ag（Nb0．8Ta0．2）O3的合成工艺，在较低的烧结温度下，就可烧制成粒径均匀、致密的陶瓷，相比其他工艺合成的样品，其介电常数（ε）得到了提高，介电损耗（tanδ）变小，为最佳合成工艺．     

B(C6F5)3催化Si-H/Si-OR缩聚反应机理及产物结构

根据DFT理论,用量子化学的方法对B(C₆F₅)₃催化Si—H/Si—OR缩聚反应的机理进行了研究,用²⁹Si NMR对1,4-双（二甲基硅基）苯（BDSB）与二甲基二甲氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷缩聚产物的微观结构进行了表征,结合反应机理,对单体的结构与缩聚产物的微观结构的关系进行了讨论。B(C₆F₅)₃先与Si—H形成弱加合物,然后Si—OR进攻Si—H/B(C₆F₅)₃加合物使Si—H断裂,形成氧钅翁离子中间体,最后H^-向正电中心迁移形成产物。H^-迁移方向的不同将导致3种反应：缩合、交换、逆反应。烷氧基硅烷中的乙烯基、苯基可以增加烷氧基C的正电性,并使C—O键伸长,减少Si—H/Si—OR交换反应的发生,使得缩聚产物具有更为交替的结构。     

聚酯纤维固相缩聚和拉伸试验研究

对聚酯纤维进行固相缩聚,分别进行了纤维在松弛状态下和在紧张状态下的固相缩聚试验,成功制取了卷绕状态下的高黏度聚酯纤维,纤维特性黏度达到1.003dL/g。通过对这种高黏度聚酯纤维的拉伸试验,制取了强度达到7.03cN/dtex的高强纤维,而对比实验的纤维经过拉伸,强度只有5.40cN/dtex。     

斯托克斯光种子法固体相干反斯托克斯拉曼频移器的理论研究

以波动方程和受激拉曼散射(SRS)物质方程为基础,采用光种子法,建立了固体相干反斯托克斯拉曼频移器的归一化耦合波方程,研究了晶体中反斯托克斯光转换效率。在脉冲抽运条件下分析了归一化增益系数G、归一化相位失配系数ΔK以及一阶斯托克斯光种子的归一化光场振幅ψs0三个变量对固体相干反斯托克斯拉曼频移器的影响,并作出了一系列相应曲线,由所得曲线估算了各归一化变量的合理取值范围。分析结果表明,在ΔK=0时,通过增大sψ0来打破拉曼增益抑制的影响,其转换效率峰值可达到44%。而当sψ0较弱时,可选取合适的相位失配系数,反斯托克斯光转换效率可达40%。     

激光晶体材料的发展和思考

在分析激光晶体研究现状的基础上,指出其未来应用及主要发展趋势：高功率、大能量激光晶体;中红外激光晶体;蓝绿紫和可见光激光晶体;LD抽运超快激光增益和放大介质晶体。以上四个方向中,高功率、大能量全固态激光晶体材料和LD抽运超快激光晶体材料又是覆盖其他方向、带有共性基础科学问题的关键方向。着重报道了LD抽运超快激光晶体材料的最新研究进展。     

OLED背光源技术研究进展

有机电致发光二极管(OLED)因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性,特别是其面光源的属性,相较于电致发光二极管(LED)的点光源,更有望成为未来液晶显示器件背光源的主角。介绍了OLED背光源关键技术的最新进展,分别阐述了白光OLED发光效率的提升,OLED器件稳定性和寿命的提高,OLED制备的最新工艺,偏极化的OLED技术,OLED背光源与液晶显示面板匹配技术,还介绍OLED背光源产业发展及发展现状,并对OLED背光源技术的发展趋势进行了展望。     

低温固态反应制备纳米BaTi1-xZrxO3介电材料

采用低温固态反应合成了一系列BaTi1-xZrxO3固溶体纳米粉末（0≤X≤0．3）。经XRD证明,产品为立方晶系的完全互溶取代固溶体。TEM形貌观察,粒子为均匀球形,平均粒径70nm。通过制陶实验,分别测定了该系列固溶体的室温介电常数、介电损失。结果发现,采用低温固态反应在BaTiO3中掺入适量锆以后,室温介电常数由纯钛酸钡的3000提高到8600,而介电损失却下降了一半。     

含金刚烷聚合物的研究进展

含金刚烷聚合物在气体分离、液晶显示材料、通讯技术、微电子、生物医学等高新技术领域已显示出潜在用途。文中对以金刚烷衍生物为单体的聚合物的合成、结构与性能等方面的研究进展做了分析和评述,对这一领域的发展趋势进行了展望。     

基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法

介绍了全固态调制器采用IGBT 管等固态器件进行串并联组合应用的典型工作模式,分析了固态调制器传统开关组件的检测和保护技术,提出基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法,阐述了设计思想及工作原理,给出了工程实现方案和检测方法原理框图,并分析比较了传统的在线检测方法和基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法,基于PLC 编程软件平台,根据采样电压的数值及其变化量,实现精确判定IGBT 管损坏数量和百分比的计算。工程应用验证了检测结果的准确可靠。     

蓝色荧光粉K(Na)BaBP2O8:Eu2+的制备与发光特性

采用高温固相法在还原气氛中合成K(Na)BaBP₂O ₈:Eu²⁺系列硼磷酸盐蓝色荧光粉,研究煅烧温度 以及用Na⁺掺杂替换K⁺对荧光粉晶体结构和发光性能的影响。利用热重-示差扫描量热 (TG-DSC)、X射 线衍射(XRD)、荧光(PL)光谱和色坐标(CIE)等手段确定了 荧光粉的合成温度,并对荧光粉的晶体 结构和发光性能进行表征。结果表明,800～875℃制备的KBaBP₂O ₈:0.03Eu²⁺荧光粉具有KBaBP₂O₈纯相 结构,属于四方晶系,空间群I42d,荧光粉的最佳合 成温度为875℃。K(Na)BaBP₂O₈:Eu²⁺系列荧光粉 可被波长为365nm的近紫外光有效激发,与InGaN芯片( 350~410nm)相匹配;其发射光谱为 400~650nm的不对称宽带,发射峰位于456nm 左右,对应Eu²⁺的4f^65d1-4f⁷-5d⁰跃迁。利用van Uitert经 验公式计算了Eu²⁺取代KBaBP₂O₈中Ba²⁺和K⁺时所占的晶体学格位,得出 449.4nm、439.1nm两个发射属 于Eu²⁺占据8配位的Ba²⁺和K⁺的5d-4f跃迁发射 ,511.0、506.7nm两个发射属于Eu²⁺ 占据6配位的 Ba²⁺和K⁺的5d-4f跃迁发射。用适量Na⁺替换K⁺可 以明显提高荧光粉的发光强度,其最佳掺杂摩尔比例为 Na/K=0.35/0.65,此时荧光粉的主晶相没有改变,但XRD衍射峰向大角度方向偏移。K(Na)Ba BP₂O₈:Eu²⁺ 荧光粉的CIE点可落在从蓝光到蓝白光区域,在近紫外LED应 用中可以根据实际需要灵活选择。