一种有效的八位MCU桶形移位器 BIST 电路

针对8位微控制器（MCU）数据通道中桶形移位器的可测试性问题，提出了一种新颖的确定性内置自测试（BIST）电路设计方案，并对其进行了验证。该方案采用5个D触发器，在16个测试时钟周期内产生16个测试矢量，可完成对8位桶形移位器100％故障覆盖率测试。本论文的电路设计方案也可应用于一般2^N位（N≥4）桶形移位器的可测试设计。     

The Effectiveness of Test in Controlling Quality Costs: A Conformability Analysis Based Approach

Test and inspection are an increasingly costly element of electronic system design and manufacture and so it is critical that the cost effectiveness of test and inspection are well understood. This paper presents techniques which may be used to assess test capability and hence the implied test quality costs of PCB level electronic circuits. The techniques presented are based on the electronic Conformability Analysis (eCA) approach which combines process capability indices and Failure Modes and Effects Analysis with a cost mapping procedure. It introduces a new measure of test capability based on the widely used process capability measure C _pk. This analysis allows the quality costs associated with design and manufacture induced faults to be estimated and the effectiveness of test strategies in reducing these costs to be determined. It allows the trade-off between quality costs and the component, manufacturing process and test costs to be explored. The technique has been applied to analogue & mixed signal, safety critical circuits from automotive systems.     

两种离子束方法制备Cr膜的分析研究

在室温下,采用离子束溅射同时经100 keV Ar 离子轰击的动态离子束混合技术和采用离子束溅射技术这两种方法制备Cr膜,并用XPS,SEM及AES对薄膜的结构、表面形貌、薄膜与基体附着力的影响等进行分析对比。结果表明,与离子束溅射技术制备的Cr膜相比较,动态离子束混合技术制备的Cr膜表面平滑,膜致密呈无气隙的柱状结构,且薄膜元素与基体元素混合形成的组分过渡层较宽,因而有效地提高了Cr膜的附着力。     

基于纳米颗粒的铜锌锡硫硒薄膜制备

采用热注入法制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并形成高分散、稳定的"墨水",采用滴注方法形成CZTS前驱体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见光谱(UV-VIS)对CZTS纳米颗粒的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。Raman数据显示合成的纳米颗粒为纯的CZTS,不存在ZnS和Cu2SnS3等杂相。傅里叶红外光谱(FTIR)和UV-VIS表明合成的CZTS纳米颗粒表面被油胺(OLA)包覆,并且其带隙为1.52 eV。对CZTS前驱体薄膜在硫化氢气氛和固态硒气氛中退火处理,得到铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜。结果表明,经硫化氢处理后薄膜表面平整但CZTS晶粒并没长大,而经过固态硒处理后得到了结晶质量较好的CZTSSe薄膜。     

交巡警移动勤务终端的研究与设计

针对交巡警注重高机动性的复合型勤务模式描述了一种交巡警移动勤务终端。终端采用了sTM32F107VC嵌入式微控器,使用GPRSDTU模块解决子系统与远端服务器实时通信问题,将交巡警勤务中的酒精测试、人员核查、交通信息查询功能集成为一体,并扩展了GPS定位常用信息查询等功能。终端采用锂电池供电,具有易操作,便携等特点,应用测试结果显示,使用该设备可提高交巡警勤务效率。     

通信管道设计中应注意的几个问题

介绍了几种常见通信用塑料管的特点、使用范围，最小埋设深度，以及与其他管线的最小隔距。     

各向异性导电胶膜新型填充粒子的研究

用分散聚合法合成了直径为3μm左右的聚苯乙烯核,在核表面化学镀形成带小突起的镍合金导电层,制成ACF新型填充粒子,对聚合物核做了粒径分布、比表面积测试,对核以及导电微球做了环境扫描电镜(ESEM)测试。结果表明:制备的导电微球密度小,呈单分散,镀层结构致密,镀层表面形成了近球形、锥形及其它不定形突起。这些突起可以刺穿电极的氧化膜。实践证明通过控制工艺参数实现控制镀层结构是一条可行方法。     

La0.5Sr0.5CoO3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。     

高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上)

随着45 nm和32 nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求.高k材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的不错选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理和材料特性导致产生很多不可靠因素.从高k材料的基本物理和材料特性角度,回顾了高k材料代替SiO2用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层时产生的主要不可靠因素及根本原因.     

sol-gel法制备的ZnO:(Al,La)透明导电膜光电性能

通过X射线衍射、紫外–可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(Al,La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响。结果表明:随退火温度的升高,薄膜(002)晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升。在x(Al)为1%,退火温度550℃时,薄膜最低电阻率为1.78×10–3?·cm,平均透光率超过85%。