厂站直流系统接地故障检测方法分析

由于绝缘监测装置的电流互感器只接在母线馈线回路上,因此不能找出具体的接地支路。基于比较电流幅值的变频信号检测原理在一定程度上实现了自动查找故障支路的功能,但可靠性受故障支路分布电容及接地电阻的影响较大。本文通过改进变频信号检测原理的算法,消除了故障支路分布电容及接地电阻对检测可靠性的影响,并计算出故障支路的接地电阻值,提高了查找的可靠性。     

一种新的基于c／v的微电容的检测方法

论文分析了传统及现有小电容检测方法存在的问题,基于C／V电容检测的基本原理,提出了一种新的基于C／V的微电容的检测方法,设计了一个简易的微电容运算放大器检测电路。根据电路模型分析和仿真测试结果表明,该电路具有抗杂敦电容干扰强、灵敏度高、容易实现无损在线检测、成本低等优点。     

表面层型半导体陶瓷电容器

对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。     

基于Zigbee技术的顶板离层仪网络研究

针对目前煤矿使用的顶板离层仪类型,以及根据顶板离层的测量原理和实际中工作人员记录顶板离层数据的方式,文章创新性地提出了采用Zigbee技术进行数据的传输;利用分站和每个测量点处的顶板离层仪构成了无线传感网络,通过分站人机交互界面就可对矿井巷道顶板离层的状态进行实时监测,实现了顶板离层监测的自动化和网络化;采用了分段式数字电容传感器,提高了产品整体测量精度,降低了成本。     

MOS Capacitance-Voltage Characteristics:V.Methods to Enhance the Trapping Capacitance

正Low-frequency and High-frequency Capacitance-Voltage(C-V) curves of Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors,showing electron and hole trapping at shallow-level dopant and deep-level generation-recombination -trapping impurities,are presented to illustrate the enhancement of the giant trapping capacitances by physical means via device and circuit designs,in contrast to chemical means via impurity characteristics previously reported.Enhancement is realized by masking the electron or/and hole storage capacitances to make the trapping capacitances dominant at the terminals.Device and materials properties used in the computed CV curves are selected to illustrate experimental realizations for fundamental trapping parameter characterizations and for electrical and optical signal processing applications.     

中原地区森林环境电波传播实验研究

本文给出在中原地区进行的森林环境电波衰减测试的结果分析，提出经验预测模式     

光伏锑化铟红外探测器的电容效应

在调制信号下工作的光伏锑化铟红外探测器的探测率和响应率受探测器的交流特性的影响，减小探测器的电容有利于提高其电压响应率和探测率。     

宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究

分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用Cout控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用GaN HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.3%,功率为40.75 dBm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。     

a-Si∶HTFT的寄生效应

a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算 ,实验结果表明该方法是有效可行的 ,从而使 L CD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.