超深亚微米集成电路串扰估计及优化

采用RLC模型来估计互连线间的耦合噪声并对模拟结果进行分析,在此基础上,提出了几种不同的算法实现了带串扰约束的集成电路布线结果调整.     

一种新的不受寄生电容影响的电容式传感器接口电路

给出了一种新的用于微小电容检测的接口电路 .在电荷传送电路的基础上,引入了一个用于参考微变电容读出的电荷传送电路部分,将检测电路与参考电路的输出进行差分放大,从而大大提高了电路的稳定性和检测灵敏度,同时此电路也保持了电荷传送电路检测微小电容变化不受寄生电容影响的特性.     

RF-MEMS电感三维衬底耦合的扩展PEEC法分析

本文扩展了部分元等效电路(PEEC)法来分析RF-MEMS电感的三维结构衬底耦合.将电边界条件引入PEEC法中,从而得到包含了衬底耦合的电容矩阵;通过电荷源等效使得在部分元的计算中能应用均匀介质空间的格林函数;应用合适的网格单元尺寸而引入电磁场滞后效应,使得在较大尺寸器件和较高频段时仍能保证PEEC法的高精度.这些改进降低了分析的复杂度和计算量,并保持了高精度.根据该方法编制的程序的数值结果与已发表的实验数据吻合得很好.     

基于充放电原理实现的微电容测量电路

具有抗分布电容以及简单实用等特性的充放电电路是目前微电容测量中广泛采用的一种测量电路。本文对基于充放电原理的微电容测量电路进行了深入研究，并介绍一种基于充放电原理的实用电路。     

变极距电容位移传感器的双频激励方法研究

针对变极距电容位移传感器提出了一种双频激励方法。同时采用低频、高频正弦电压源激励平板发射电极,通过电容耦合效应将极距变化转换为双频调幅信号,并通过高阻抗缓冲、带通滤波、精密整流电路获得双路位移调制电压信号。采用数字信号处理器（DSP）同步采集双路位移调制电压信号以及参考位移信号,对高、低频激励方式下的位移检测分辨率、纹波、动态响应速度等性能进行了对比分析。实验结果表明：双频激励时,通道间耦合作用较小,低频激励方式在位移分辨率、测量范围、线性度、抗干扰等指标上显著优于高频激励;高频激励在动态响应速度上具有明显优势。     

电容对STN-LCD显示性能的影响

本文着重讨论了电容对STN－LCD阈值陡度和对比度的影响,由实验结果得出,STN－LCD一定显示面积的电容越小,显示品质越好,同时可使用较低的驱动频率,最后提高出减小电容的方法。     

高压VDMOS电容的研究

本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.     

圆杆交指型滤波器的设计

介绍了圆杆交指型带通滤波器的设计原理和方法,根据交指滤波器的设计理论获得圆杆的自电容和互电容,利用计算机辅助设计工具进行数值计算,结合图表得到滤波器的最初尺寸。给出了一个中心频率为830 MHz圆杆交指滤波器的设计过程,利用HFSS软件仿真,提高了设计效率和精度,仿真结果和理论结果吻合良好,证明了设计方法的可行性。     

应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究

针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6Ω.cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.     

钽阳极氧化膜的半导体性研究

用电容测量技术和电化学阻抗技术研究了高纯钽丝在稀磷酸(质量分数为0.01%,0.10%和1.00%)、氨水(pH=11)和饱和CO2水溶液(pH=4)中阳极氧化形成的氧化钽膜在酸性缓冲液(pH=2)中的半导体性和阻抗特性.实验结果表明,来自非磷酸系的阳极氧化钽膜呈现出双极性(p-n)半导体结构特征,而来自磷酸系的则表现...