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激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
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Nonlinear Propagation of Coupling Optical Pulse under Compton Scattering in Laser Medium 总被引:1,自引:1,他引:0
HAO Dong-shan ZHANG Xiao-fu 《半导体光子学与技术》2006,12(3):178-183,204
After considering Kerr nonlinear effect,group velocity dispersion of host and gain distribution of active particle in laser amplifying medium,a basic equation describing propagation of the coupling optical pulse under the multi-photon nonlinear Compton scattering in the laser amplifying medium has been deduced. Besides,the profile and power spectrum of a picosecond-level super-Gaussian coupling pulse in the laser amplifying medium have been discussed when its central frequency coincides with the gain peak frequency of the laser amplifying medium. 相似文献
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研究了厚膜永磁阵列微致动器中的磁场分布,并研究了永磁阵列单元几何尺寸对微致动器电磁力的影响。结果表明,厚膜永磁阵列单元高宽比和磁体单元间隔对微致动器电磁力影响较大磁徕单元高宽比为0.7是一个比较合适的尺寸。 相似文献
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现代电子工业Cpk评价中的特殊问题 总被引:2,自引:0,他引:2
现代电子工业生产具有许多新的特点,如果不针对具体情况,均采用传统工业生产中广泛使用的常规方法计算其工序能力指数,评价生产工艺水平,将可能导致错误的结论。总结了电子工业生产中工艺参数的典型特点,并讨论了工序能力指数的正确计算方法。 相似文献
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