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971.
Abstract: The effect of deposition temperature on residual stress evolution with temperature in Ti‐rich NiTi films deposited on silicon substrates was studied. Ti‐rich NiTi films were deposited on 3″ Si (100) substrates by DC magnetron sputtering at three deposition temperatures (300, 350 and 400 °C) with subsequent annealing in vacuum at their respective deposition temperatures for 4 h. The initial value of residual stress was found to be the highest for the film deposited and annealed at 400 °C and the lowest for the film deposited and annealed at 300 °C. All the three films were found to be amorphous in the as‐deposited and annealed conditions. The nature of the stress response with temperature on heating in the first cycle (room temperature to 450 °C) was similar for all three films although the spike in tensile stress, which occurs at ~330 °C, was significantly higher in the film deposited and annealed at 300 °C. All the films were also found to undergo partial crystallisation on heating up to 450 °C and this resulted in decrease in the stress values around 55–60 °C in the cooling cycle. The stress response with temperature in the second thermal cycle (room temperature to 450 °C and back), which is reflective of the intrinsic film behaviour, was found to be similar in all cases and the elastic modulus determined from the stress response was also more or less identical. The three deposition temperatures were also not found to have a significant effect on the transformation characteristics of these films such as transformation start and finish temperatures, recovery stress and hysteresis. 相似文献
972.
合成及表征了八苯基倍半硅氧烷(PH-POSS)、γ-甲基丙烯酰氧丙基倍半硅氧烷(MA-POSS),并利用差示扫描量热(DSC)和热重分析(TGA)分别研究其在聚碳酸酯(PC)体系中对体系热性能的影响。研究结果表明,复合材料Tg随着PH-POSS含量的增加而降低;而随着MA-POSS含量的增加基本不受影响。在氮气中,复合... 相似文献
973.
旋光性聚合物可以使通过它的偏振光发生偏转,在手性识别和对映体拆分、手性催化剂、液晶、生物医药、光学开关和非线性光学等领域展现出良好的应用前景。本文综述了几种利用旋光性单体缩聚合成具有光学活性高分子材料的方法,对所得聚合物的热稳定性、可溶性、旋光性等主要性能进行分析比较,得到一系列重要的结论,并对其影响机理进行讨论。在此... 相似文献
974.
975.
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9Ga2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9Sb2),并分析研究其热电性能。结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低,最终热电性能明显提高。在713K时Zn1.1Ga1.9Sb2的最大ZT值达到0.11,比本征GaSb的ZT值提高了近6倍。 相似文献
976.
977.
利用溶剂热法,以乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和氢氧化钠(NaOH)为源,在乙二醇和水的混合溶剂中制备出了花状氧化锌纳米晶体,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)测试分析,发现样品为六方纤锌矿结构的ZnO单晶,花状晶体的大小约为600nm,单个花瓣的长、宽分别约为300nm、100nm。对比实验发现,产物形貌对NaOH浓度的依赖性很大。紫外可见吸收光谱(UV—vis spectra)显示,产物除了本征吸收外,在长波方向(600nm处)也有一宽化的、较强的吸收峰。室温荧光光谱(PL spectra)显示,产物在400—480nm有一明显的发光带,且在405nm和472nm处有两个较强的发光峰。 相似文献
978.
在氮气气氛和常压下,采用无金属催化的单步热气相法在单晶硅片上制备大量纯非晶氧化硅纳米线,采用SEM、HRTEM、EDS、XRD和荧光光谱(PL)研究氧化硅纳米线形貌、结构和光致发光性质,并分析其发光中心。结果表明1100℃可形成纳米棒,1200℃则获得光滑均匀纳米线,而1300℃得到的纳米线具有较多弯曲结构,氧化硅纳米线中硅氧原子比接近1∶2,且1300℃制得纳米线中氧含量略高于1200℃,氧化硅纳米线呈无定型态。SiO气化分解和氧化时在硅片上形成氧化硅纳米簇,成为无定形氧化硅纳米线生长的成核中心。氧化硅纳米线的两个光致发光峰值波长为467和364nm,其发光机制是纳米线生长过程中产生的不同点缺陷结构构成了蓝光和紫外光辐射复合中心。 相似文献
979.
微发泡聚丙烯/晶须复合材料的发泡行为与力学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
将改性的MgSO4和CaCO3晶须加入聚丙烯中,在二次开模条件下制备微发泡聚丙烯(PP)/晶须复合材料,通过晶须在基体中的分散性、泡孔直径大小分布和泡孔密度,分析了不同晶须对材料的发泡行为与力学性能的影响.结果表明,晶须具有一定成核效应,CaCO3晶须的泡孔尺寸25.27μm左右,填充增强效果差;MgSO4晶须的泡孔尺... 相似文献
980.
以氧化铝(Al<,2>O<,3>)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)和聚乙烯接枝马来酸酐(PE-g-MAH)熔融共混挤出得到Al<,2>O<,3>导热绝缘母粒,然后再与聚碳酸酯(PC)熔融挤出的母料法(两步法)制得高抗冲导热绝缘PC俩/Al<,2>O<,3>(PE为LLDPE与PE-g-MAH)复合材料.探讨了相容刑种类... 相似文献