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61.
M. R. Fadavieslam N. Shahtahmasebi M. Rezaee-Roknabadi M. M. Bagheri-Mohagheghi 《半导体学报》2011,32(11):113002-8
Tin sulfide thin films (SnxSy) with an atomic ratio of y/x = 0.5 have been deposited on a glass substrate by spray pyrolysis. The effects of deposition parameters, such as spray solution rate (R), substrate temperature (Ts) and film thickness (t), on the structural, optical, thermo-electrical and photoconductivity related properties of the films have been studied. The precursor solution was prepared by dissolving tin chloride (SnCl4, 5H2O) and thiourea in propanol, and SnxSy thin film was prepared with a mole ratio of y/x = 0.5. The prepared films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and UV-vis spectroscopy. It is indicated that the XRD patterns of SnxSx films have amorphous and polycrystalline structures and the size of the grains has been changed from 7 to 16 nm. The optical gap of SnxSx thin films is determined to be about 2.41 to 3.08 eV by a plot of the variation of (αhν)2 versus hν related to the change of deposition conditions. The thermoelectric and photo-conductivity measurement results for the films show that these properties are depend considerably on the deposition parameters. 相似文献
62.
利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验.测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大.分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.322 4 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427 ℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227 ℃.在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17 Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω·cm,在可见光区域平均透过率为85.13%. 相似文献
63.
研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97.65%SnO2 O.75%Co2O3 0.10%Nb2O5 1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22.2)和最高的势垒(ψB=0.761eV).当CdO的摩尔分数从0增加到3%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V/mm增大到556V/mm,1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。 相似文献
64.
Ga2O3/ITO films were prepared by magnetron sputtering on quartz glass substrates. The transmittance and sheet resistance of ITO films and Ga2O3/ITO films were measured by using a double beam spectrophotometer and four point probes. The effect of the ITO layer and Ga2O3 layer thickness on the electrical and optical properties of Ga2O3/ITO bi-layer films were investigated in detail. Ga2O3 (50 nm)/ITO (23 nm) films exhibited a low sheet resistance of 323 Ω/□ and high deep ultraviolet transmittance of 77.6% at a wavelength of 280 nm. The ITO layer controls the ultraviolet transmittance and sheet resistance of Ga2O3/ITO films. The Ga2O3 layer thickness has a marked effect on the transmission spectral shape of Ga2O3/ITO films in the violet spectral region. 相似文献
65.
66.
提出用原子吸收光谱测定锡的新方法。使用空气-氧气火焰比用空气-乙炔火焰测锡的灵敏度提高了6倍,检测限达0.234μg/ml。考察了4种无机酸和22种金属离子的干扰情况,试验表明加入三氯化铁可以消除多数金属离子的干扰。平行测定8份试样的相对标准偏差为1.83%,分析结果用三种不同的分析方法进行了验证。本文为低含量锡的测定提供了新方法。 相似文献
67.
用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED 所用的ITO(indium tin oxide)膜。利用TLM(transmission line model)研究ITO与GaP接触特性。在氮气环境,435℃条件下,快速热退火40s能获得最小的接触电阻4.3×10-3Ωcm2。Hall测试和俄偈电子能谱表明,影响接触电阻的主要原因是ITO载流子浓度的改变和In,Ga,O的扩散。另外,制作了以300nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED并研究其可靠性。发现ITO的退化导致了LED的电压持续升高。而ITO与GaP热膨胀系数的不同导致了LED的最终失效。 相似文献
68.
工业聚氯乙烯(PVC)环保型热稳定剂研究新进展 总被引:7,自引:0,他引:7
概述了有机锡类热稳定剂的主要生产工艺、研究现状及其新进展,并详细介绍复合钙/锌类热稳定剂的合成工艺、功能化改性和复配研究。最后对我国工业聚氯乙烯(PVC)用热稳定剂的发展方向提出了建议。 相似文献
69.
2006年我国热稳定剂总产量约30万t,同比增长9.3%。钙/锌复合稳定剂的产量增长很快,产量和表观消费量分别增长50%和33%。钙/锌复合稳定剂是较为理想的环保型热稳定剂,应集中力量研究其最佳复合配方和完善制备工艺。全世界的阻燃剂消费量已超过120万t,我国将以10%的速度快速增长。磷系阻燃剂是很有发展前途的阻燃剂品种。 相似文献
70.
CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应 总被引:2,自引:2,他引:2
研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。 相似文献