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131.
Equations of state and contact values of hard-sphere radial distribution functions (rdf's) which are given by a linear combination of the Percus— Yevick and scaled-particle virial expressions are considered. In the one-component case the mixing coefficient() is, in general, a function of the volume fraction. In mixtures the coefficient(
i
,d
i
), in general, depends upon the volume fraction
i
, and diameterd
i
, of each species,i andj. For the contact valuesY
ij
of the rdf's, the mixing coefficients
ij
(
k
) also depend on speciesi andj. Density expansions for the exact for the one-component hard-sphere fluid are obtained and compared with several approximations made in earlier works and in our own work, as well as with simulations. For a mixture, it turns out that one cannot obtain the exact fourth virial coefficient by using a linear combination of the Percus-Yevick and scaled-particle virial expressions forY
ij
unless one allows
ij
to depend on mole fractionsx
i
even at the zeroth order of its density expansion. We also find that
ij
must depend on particle speciesi andj in order to satisfy the exact limits obtained earlier by Sung and Stell. A new equation of state for the binary hard-sphere mixture which satisfies all the exact limits we have considered is suggested.Paper presented at the Tenth Symposium on Thermophysical Properties, June 20–23, 1988, Gaithersburg, Maryland, U.S.A. 相似文献
132.
本文评述了单晶CoSi_2和NiSi_2的结构特点、各种制备方法、器件应用和发展前景。采用分子束外延(MBE)和“内延”法(Mesotaxy)制备的单晶硅化物质量,电学性能和热稳定性较好。由于首次得到理想的突变的金属——半导体接触,使对金属——半导体接触的理论分析成为可能。硅/单晶硅化物/硅结构在实际应用中非常重要,如单晶硅化物作集电极埋层,能降低集电极串联电阻,克服重掺杂埋层的横扩和自掺杂问题,提高了电路工作速度,减小了器件面积。埋层硅化物也可作为微波传输线的地线,是实现高频集成电路互连的好方法。而采用该结构制备的高速器件——金属基区晶体管(MBT)和穿透基区晶体管(PBT),具有很好的应用前景。 相似文献
133.
针对以前的发电管理系统或只是数据呈现,提供市电及发电相关数据信息,或只是提供出车轨迹,主要实现对出车的管理,不能全面反应发电全过程且不便于对发电事件进行分析的情况,提出可视化发电管理系统的概念。在简要介绍了LBS系统、动力环境监控系统后,讲述了可视化基站发电管理系统的组成以及通过LBS定位管理、短信互动、实时监测数据等进行系统实现。可视化发电管理系统通过可视化的界面帮助发电管理人员进行管理,直观、便捷。 相似文献
134.
In order to meet the requirements of different applications and markets for the accuracy and reliability of IoT chips,a low temperature coefficient bandgap reference with a wide temperature range is proposed.On the basis of the traditional Banba bandgap reference structure,the circuit utilizes high-order temperature compensation technology and piecewise temperature compensation technology to improve the curvature of the output reference voltage.The temperature coefficient of the circuit is reduced.At the same time,the operating temperature range of the circuit is extended.The circuit performances are verified in the TSMC 180 nm CMOS process.Test results show that the temperature coefficient of the circuit is as low as 7.2×10-6/℃ in the range of-40 ℃ to 160 ℃.The power supply rejection ratio at a low frequency is -48.52 dB.The static current under the 1.8 V power supply voltage is 68.38 μA,and the core area of the chip is 0.025 mm2. 相似文献
135.
选择性催化还原(SCR)脱硝技术是我国电厂常用的脱硝技术。该技术运行中对烟气温度的要求比较严格,需要控制好SCR脱硝系统的入口烟温。针对这一问题,从影响SCR脱硝效率的关键因素及常见的宽负荷脱硝技术改进方案入手进行了分析。通过宽负荷脱硝技术改造,明显提高了SCR脱硝系统的入口烟温,进而提高了脱硝效率,减少了氨逃逸率,为电力行业脱硝技术发展提供了实际参考。 相似文献
136.
将5G无线通信基站安装在电力线杆塔上,可以通过电力线路杆塔共享促进5G网络建设,实现电力企业和通信公司的互利共赢。重点讨论了5G基站的新架构,分析了把基站应用到电力杆塔上应考虑的供电、接地、安装等问题,并给出了相应的解决方案。 相似文献
137.
汪志彬 《安徽冶金科技职业学院学报》2021,31(1):46-49
校企合作实践教育基地是产教融合、校企共建的重要载体,是培养满足社会应用型人才需求的有效平台。以校企合作联盟的方式建立旅游专业综合实践教育基地,可以充分利用旅游联盟优势,全面发挥集旅游、酒店、餐饮等为一体的教学、实习、就业体系,可以更好地为旅游人才的全面发展服务,可以更好地培养适应社会需要的复合型旅游人才。 相似文献
138.
REN Jianshi ZHAO Huilin ZHANG Gongshu Institute of Metal Research Academia Sinica.Shenyang China ZHANG Gongshu Senior Engineer Institute of Metal Research Academia Sinica Shenyang China 《金属学报(英文版)》1990,3(7):65-69
Glow discharge cathodic sputtering of alloys containing second phase precipitates or injectedoxide particles has been observed with energy dispersive X-ray spectrometer and scanningelectron microprobe.It was shown that the formation of cones during the sputtering in thesealloys is due to masking of the matrix by glow sputtering second phase precipitates or oxideparticles.At steady state,the density of cottes were found to be a function of the densities pre-cipitates or oxide particles in bulk alloy.In addition to the changes of local sputtering rate,theelectrostatic effect may play a role on the formation fo cones. 相似文献
139.
稀土元素对钯室温电学性能的影响 总被引:2,自引:2,他引:2
研究了稀浓度(0.6at%以下)稀土元素(La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Er、Yb)对钯的室温电学性能的影响。所有稀土元素均提高钯的电阻率(p)、降低电阻温度系数(α),实验结果与理论分析证明(p·α)_((?)d-RE)d=(p·α)_(Pd)。Gd以前的稀土元素降低钯的对铜热电势(ε),其余重稀土元素增大钯的对铜热电势。按0.1at%RE归一化处理的实验数据表明,轻稀土元素对钯电阻率的影响稍大于重稀土,但Ce、Eu、Yb呈反常影响,化合价和尺寸因素是影响电学性能的主要因素。 相似文献
140.