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101.
Tsung-Kuei Kang Han-Wen Liu Fang-Hsing Wang Cheng-Li Lin Ta-Chuan Liao Wen-Fa Wu 《Solid-state electronics》2011,61(1):100-105
Stacked HfAlO-SiO2 tunnel layers are designed for Pd nanocrystal nonvolatile memories. For the sample with 1.5 nm-HfAlO/3.5 nm-SiO2 tunnel layer, a smaller initial memory window is obtained compared to the sample with 3.5 nm-HfAlO/1.5 nm-SiO2 tunnel layer. Owing to the thermally induced traps in HfAlO-SiO2 films are located at a farther distance from the Si substrate and more effective blocking of charge leakage by asymmetric tunnel barrier, a larger final memory window and better retention characteristic can be obtained for Al/blocking oxide SiO2/Pd NCs/1.5 nm-HfAlO/3.5 nm-SiO2/Si structure. A N2 plasma treatment can further improve the memory characteristics. Better memory characteristics can be obtained for Pd-nanocrystal-based nonvolatile memory with an adequate thickness ratio of HfAlO to SiO2. 相似文献
102.
风机的尾流效应会导致风能的转化效率下降,还会增加湍流引起的机械应力损伤,降低风机的稳定性和
服务寿命。为研究新疆地区陆上风电场风机尾流特征,
2015年11月于新疆地区陆上风电场使用脉冲相干多普勒激光雷达进行风场观测。通过分析得到
新疆地区陆上风电场风机尾流特征,主要包括风速损失率、尾流宽度、尾流长度及其平均结果,
最大风速损失率,尾流长度随时间的变化趋势、与风速之间的关系等,发现风速损失率、
尾流宽度、尾流长度与背景风速、湍流强度有关。 相似文献
103.
104.
105.
Lattice半导体公司,世界上发明和生产第一个在系统可编程E^2CMOS PLD的公司,所采用的电可擦除的互补MOS管E^2CMOS技术,引导了数字电子技术电路系统设计方法的巨大飞跃。本文就这一技术进行了探讨与研究。 相似文献
106.
107.
矿区配电架空线路雷电波过电压事故分析 总被引:1,自引:0,他引:1
针对风机房进线架空线路雷电事故的问题,从差异性、精细化防雷准则入手,采用进线段保护加装保护间隙与线路绝缘子进行绝缘配合、降低线路避雷器接地体接地电阻以及用双曲折防雷变压器替代风机房所用变压等改造措施,使雷电流取5 mA时风机房进线端冲击电压81.33 kV降低到12.56 kV。利用暂态仿真软件ATP-EMTP对线路绝缘子并联保护间隙和线路避雷器接地电阻进行仿真验证,验证改造措施的防雷效果。 相似文献
108.
109.
基于磁珠带标记DNA电化学传感器、磁珠标记的GMR(TMR)DNA生物传感器和纳米线场效应DNA生物传感器都具有高检测灵敏度的特点,是极具发展前途的研究方向。主要介绍了以上三种高检测灵敏度DNA生物传感器的基本检测原理,并对比分析了这三种传感器的优缺点。 相似文献
110.
介绍了如何通过HP E1529远端应变信号调节单元、HPE 1422A A/D转换模块和Labview软件平台开发一个适于风速实验的测试系统。 相似文献