全文获取类型
收费全文 | 16832篇 |
免费 | 2039篇 |
国内免费 | 900篇 |
专业分类
电工技术 | 2995篇 |
综合类 | 1775篇 |
化学工业 | 1756篇 |
金属工艺 | 978篇 |
机械仪表 | 2120篇 |
建筑科学 | 994篇 |
矿业工程 | 993篇 |
能源动力 | 698篇 |
轻工业 | 624篇 |
水利工程 | 368篇 |
石油天然气 | 564篇 |
武器工业 | 480篇 |
无线电 | 1870篇 |
一般工业技术 | 1596篇 |
冶金工业 | 456篇 |
原子能技术 | 148篇 |
自动化技术 | 1356篇 |
出版年
2024年 | 209篇 |
2023年 | 288篇 |
2022年 | 443篇 |
2021年 | 527篇 |
2020年 | 591篇 |
2019年 | 488篇 |
2018年 | 530篇 |
2017年 | 710篇 |
2016年 | 721篇 |
2015年 | 734篇 |
2014年 | 1108篇 |
2013年 | 1103篇 |
2012年 | 1258篇 |
2011年 | 1266篇 |
2010年 | 996篇 |
2009年 | 993篇 |
2008年 | 891篇 |
2007年 | 1063篇 |
2006年 | 960篇 |
2005年 | 761篇 |
2004年 | 632篇 |
2003年 | 552篇 |
2002年 | 439篇 |
2001年 | 441篇 |
2000年 | 349篇 |
1999年 | 303篇 |
1998年 | 242篇 |
1997年 | 244篇 |
1996年 | 176篇 |
1995年 | 164篇 |
1994年 | 135篇 |
1993年 | 103篇 |
1992年 | 75篇 |
1991年 | 66篇 |
1990年 | 46篇 |
1989年 | 40篇 |
1988年 | 38篇 |
1987年 | 27篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 9篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 4篇 |
1964年 | 1篇 |
1962年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1958年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
针对漳村煤矿综采工作面上隅角瓦斯浓度高的情况,用抽出式风机处理上隅角瓦斯,较好地解决了上隅角瓦斯频繁超限事故,实现了矿井的安全生产。 相似文献
32.
In the light of fractal geometry theory, the characteristics of coal's electric parameters (including dielectric constant, alternating conductivity, dielectric loss angle tangent and electric polarization constant) were studied by using literature data. The results are shown that the electrical properties of coal have fractal characteristic. The fractal dimensions of dielectric, alternating conductivity, dielectric loss angle tangent were obtained, and are relative to the content of pyrite sulfur, heat and ash content of coal. 相似文献
33.
34.
35.
36.
37.
38.
S. Zimmermann N. AhnerF. Blaschta M. SchallerH. Zimmermann H. RülkeN. Lang J. RöpckeS.E. Schulz T. Gessner 《Microelectronic Engineering》2011,88(5):671-676
Reactive ion etch processes for modern interlevel dielectrics become more and more complex, especially for further scaling of interconnect dimensions. The materials will be damaged within such processes with the result of an increase in their dielectric constants. The capability of selected additives to minimize the low-k sidewall damage during reactive ion etching (RIE) of SiCOH materials in fluorocarbon plasmas was shown in different works in the past. Most of the investigated additive gases alter the fluorine to carbon ratio as well as the dissociation of the parent gas inside the etch plasma. The result is a changed etch rate, a modified polymerization behavior and other characteristics of the process induced SiCOH damage. Heavy inert ions like argon will be accelerated to the sample surface in the cathode dark space and enhance therewith the sputter yield on the SiCOH network [1]. In this paper the additives Ar, O2, C4F8, H2, N2 and CO were added to a conventional CF4 etch plasma. We try to provoke different changes in the plasma conditions and therewith in the process results. Contact angle measurements, spectroscopic ellipsometry, Hg-probe analysis, FTIR measurements and SEM cross-sections were used to overview the additive induced modifications. To understand the influences of the additives gases more exactly, changes in the physical and chemical plasma behavior must be analyzed. Therefore quadrupole mass spectrometry (QMS) and quantum cascade laser absorption spectroscopy (QCLAS) were used. 相似文献
39.
40.