首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1427篇
  免费   140篇
  国内免费   102篇
电工技术   11篇
综合类   62篇
化学工业   536篇
金属工艺   331篇
机械仪表   28篇
建筑科学   5篇
矿业工程   39篇
能源动力   13篇
轻工业   22篇
水利工程   2篇
石油天然气   75篇
武器工业   11篇
无线电   29篇
一般工业技术   182篇
冶金工业   172篇
原子能技术   149篇
自动化技术   2篇
  2024年   7篇
  2023年   29篇
  2022年   38篇
  2021年   54篇
  2020年   56篇
  2019年   53篇
  2018年   58篇
  2017年   61篇
  2016年   45篇
  2015年   62篇
  2014年   65篇
  2013年   158篇
  2012年   108篇
  2011年   93篇
  2010年   57篇
  2009年   81篇
  2008年   51篇
  2007年   85篇
  2006年   65篇
  2005年   63篇
  2004年   63篇
  2003年   43篇
  2002年   55篇
  2001年   43篇
  2000年   27篇
  1999年   25篇
  1998年   18篇
  1997年   12篇
  1996年   10篇
  1995年   8篇
  1994年   14篇
  1993年   6篇
  1992年   10篇
  1991年   11篇
  1990年   10篇
  1989年   6篇
  1988年   6篇
  1987年   3篇
  1986年   3篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
  1976年   1篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有1669条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
Parasitic absorption in transparent electrodes is one of the main roadblocks to enabling power conversion efficiencies (PCEs) for perovskite‐based tandem solar cells beyond 30%. To reduce such losses and maximize light coupling, the broadband transparency of such electrodes should be improved, especially at the front of the device. Here, the excellent properties of Zr‐doped indium oxide (IZRO) transparent electrodes for such applications, with improved near‐infrared (NIR) response, compared to conventional tin‐doped indium oxide (ITO) electrodes, are shown. Optimized IZRO films feature a very high electron mobility (up to ≈77 cm2 V?1 s?1), enabling highly infrared transparent films with a very low sheet resistance (≈18 Ω □?1 for annealed 100 nm films). For devices, this translates in a parasitic absorption of only ≈5% for IZRO within the solar spectrum (250–2500 nm range), to be compared with ≈10% for commercial ITO. Fundamentally, it is found that the high conductivity of annealed IZRO films is directly linked to promoted crystallinity of the indium oxide (In2O3) films due to Zr‐doping. Overall, on a four‐terminal perovskite/silicon tandem device level, an absolute 3.5 mA cm?2 short‐circuit current improvement in silicon bottom cells is obtained by replacing commercial ITO electrodes with IZRO, resulting in improving the PCE from 23.3% to 26.2%.  相似文献   
42.
结合连续重整装置工程设计实际,介绍了氧化锆分析仪的工作原理以及适用于连续重整装置的结构形式,分析了在连续重整装置开工时氧化锆分析仪出现的问题并给出了解决方法。结果表明:氧化锆分析仪是一种比较成熟的产品,分析数据可靠,响应速度快,这些优点比较适合于连续重整催化剂再生循环气中氧含量的控制。  相似文献   
43.
SO_4~(2-)/ZrO_2超强酸催化剂的结构表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
用BET法分析了制备条件对SO_4 ̄(2-)/ZrO_2超强酸催化剂的比表面和孔结构的影响,用SEM观察了催化剂的表面形貌。结果表明,引人SO_4 ̄(2-)后催化剂的比表面和比表面的热稳定性都增大了,在H_2SO_4浓度为1.0mol/1和焙烧温度约773K时催化剂的比表面较大。制备Zr(OH)_4时用浓氨水得到的催化剂的比表面、平均孔径和孔体积都较大。SO_4 ̄(2-)/ZrO_2催化剂的孔为平均孔径3-5nm的中孔。SEM结果表明,SO_4 ̄(2-)/ZrO_2催化剂的表面为很不平整的蜂窝状。  相似文献   
44.
三种不同后处理方式对ZrO2薄膜性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:1  
王聪娟  晋云霞  邵建达  范正修 《中国激光》2008,35(10):1600-1604
采用有氧热处理、激光预处理和离子后处理三种方式对电子束蒸发(EBE)制备的单层ZrO2薄膜进行了后处理,并分别对样品的光学性能和抗激光损伤阈值(LIDT)特性进行了研究.实验结果表明,热处理方式可以有效排除膜层内吸附的水气,弥补薄膜制备过程中的氧损失,使得光谱短移、吸收减小、损伤阈值增高;激光预处理过程可以在一定程度上减少缺陷、提高损伤阂值,但对膜层的光谱和吸收情况没有明显的改善作用;而离子后处理能够提高膜层的堆积密度、减少缺陷、降低吸收从而提高损伤阚值.由于三种方式处理机制不同,在实际应用中应根据膜层的性能选择合适的处理方式.  相似文献   
45.
综述了TiO2载体的应用,对TiO2与传统载体的使用性能进行了对比,指出TiO2载体的优势和存在问题,并提出解决问题的方法.  相似文献   
46.
测定锆合金中氧和氮的方法多为单独测定,操作繁琐,故实验提出了锆合金中氧和氮同时测定的方法。称取0.06g锆合金样品,放入镍篮,投入脱气后的石墨套坩埚中,控制分析功率为5.0kW,氧和氮积分时间分别为40s和60s,以锆合金标样AR640建立校准曲线,实现了惰气熔融-红外/热导法对锆合金中氧和氮含量的同时测定。氧和氮的方法测定下限分别为0.000 7%和0.000 2%。采用实验方法对2个锆合金实际样品中氧和氮进行测定,氧和氮测定结果的相对标准偏差(RSD,n=11)分别为1.5%~4.4%和7.6%~8.6%。按照实验方法测定锆合金标样BCR-276中氧和氮,测定结果与认定值基本一致。  相似文献   
47.
通过扫描电镜和透射电镜观察Zr-Nb-Cu合金最终退火板材的显微组织及第二相,并利用选区电子衍射确定第二相晶体结构。结果表明,在Zr-Nb-Cu合金退火板材中存在两种第二相,第1种为体心立方(bcc)的β-Nb,尺寸较小,在晶粒内部弥散分布;第2种尺寸较大,在晶界分布,这种第二相为含Fe和Nb的四方结构Zr2Cu相。  相似文献   
48.
ICP-AES法同时测定低合金钢中锆和铌   总被引:4,自引:2,他引:4       下载免费PDF全文
张光  高霞 《冶金分析》2004,24(1):1-1
利用全谱ICP -AES(CID检测器 )分析技术 ,对试样溶解方法、元素分析谱线、共存元素干扰、背景校正、仪器分析参数 (射频发生器功率、雾化器压力和泵提升量 )等因素进行了研究 ,综合确定了最佳实验条件 ,并采用稀硫酸溶样后 ,经硫磷酸冒烟 ,直接进行试样前处理 ,建立了一种可同时测定低合金钢中Zr和Nb含量的简单、快速和实用的分析方法。结果表明 :本法测定钢中锆和铌含量的分析误差和精密度符合国标GB2 2 3 3 0 -94和GB2 2 3 3 9-94的技术要求 ,其检出限均为0.0 0 0  相似文献   
49.
张丹  许俊强  周亭  郭芳  陈志  刘奇 《材料导报》2016,30(12):105-110
采用浸渍法制备了不同Zr助剂改性的Ag/Al_2O_3的Ag-Zr系列催化剂,在富氧条件下对比其对选择性催化还原NO的影响。采用XRD、H_2-TPR、NH_3-TPD和O_2-TPD技术对催化剂进行了表征。研究结果表明,以硝酸锆为Zr源的先浸渍Zr后浸渍Ag的1.5%Ag/1%Zr/Al_2O_3催化剂具有最好的催化活性,与Ag/Al_2_3催化剂相比,400℃和450℃的NO转化率分别提高了10%和8%。XRD表征表明少量Zr的添加增强了催化剂的体相储氧能力。H_2-TPR表征表明Zr助剂的添加提高了催化剂的低温活性。NH_3-TPD表明Zr助剂的添加可以增加催化剂的弱酸和中等强度酸中心。O_2-TPD表明Zr的添加显著增强了催化剂储氧能力,从而提高其对NO的催化还原性能。  相似文献   
50.
锆元素对Zn-15Al钎料组织和性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
通过扫描电镜、X射线衍射和纳米压痕等方法研究了微量Zr元素对铝合金/不锈钢异种金属钎焊用Zn-15Al钎料显微组织和性能的影响.结果表明,微量Zr元素的添加对钎料的熔点没有明显影响.Zr元素对Zn-15Al钎料基体中η-Zn相有明显细化作用,当Zr元素的质量分数为0.2%时,细化效果最佳;Zr元素的添加量过多时,钎料中形成块状的Al2ZnZr化合物.当Zr元素的质量分数为0.2%时,Zn-15Al-0.2Zr钎料在不锈钢和铝合金母材上的铺展面积较Zn-15Al钎料分别提高了15.9%和10.2%,钎焊接头抗剪强度达到最大值143 MPa.Zn-15Al,Zn-15Al-0.2Zr,Zn-15Al-0.3Zr 3种钎料的蠕变应力指数分别为6.64,7.35,8.07.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号